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SVF10N65F TO-220F 产品封装示意图

图片按封装类型匹配，仅供识别包装形态，实物与批号请以询价确认结果为准。

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库存88,560 件现货 封装TO-220F 资料官方资料可核对 建议先暂存再核批号
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TO-220F

SVF10N65F SILAN(士兰微) 现货与询价

SVF10N65F，SILAN(士兰微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，88,560件现货，SVF10N65T/F/K/S是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的F- Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式

型号
SVF10N65F
品牌
SILAN(士兰微)
制造商
SILAN(士兰微)
分类
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
封装
TO-220F
批号
25+
库存状态
88,560 件现货
报价方式
询盘报价

RFQ READINESS

核价准备度 100%

适合直接提交核价
1库存88,560 件公开现货
2封装TO-220F
3品牌SILAN(士兰微)
4批号25+
5资料可打开官方 PDF
信息较完整，可先加入 BOM，由业务继续核对批号、包装、交期和最终报价。 带入 BOM 核价
人工核对确认型号、品牌、封装、批号与可发数量
BOM 协同暂存对比后统一提交，业务人工复核回复
资料辅助结合制造商 PDF、参数与替代料建议核对
交付确认报价前确认交期、发票和收货要求

QUICK SOURCING

先把 SVF10N65F 放入采购台

适合从搜索引擎进入后先保留型号，再继续找同封装、同品牌或统一转 BOM。

88,560库存 TO-220F主封装 SILAN(士兰微)品牌
加入 BOM 同封装现货 封装专题

PROCUREMENT FLOW

把这个型号推进到采购清单

适合先暂存再批量核价
01型号识别SVF10N65F
02库存/封装88,560 件现货 · TO-220F
03批量处理暂存、对比或转入 BOM
04询价确认批号、包装、交期和检测资料
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BUYER CHECK

采购确认清单

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库存

现货 88,560 件，提交后核对批号与可发数量。

资料

采购前核对制造商数据手册、封装尺寸、温度等级和订购料号。

封装

TO-220F 是当前主封装识别结果，完整封装/包装仍以询价确认结果为准。

同品牌型号同封装现货替代料候选封装专题品牌专题制造商页提交询价

NEXT STEP

继续找料与替代

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同封装TO-220F 同品牌SILAN(士兰微) 同类目三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 封装页TO-220F 品牌页SILAN(士兰微) 制造商SILAN(士兰微) 替代料候选与边界 BOM带入当前型号
推荐组合 当前型号 + 4 个同类候选，适合一起核价、对比和确认替代范围。
组合转 BOM 组合对比
SVF12N65FSILAN(士兰微) · TO-220F 88,560 件 询价
SVF7N65FSILAN(士兰微) · TO-220F 88,560 件 询价
TK12A50D(STA4,X,S)TOSHIBA(东芝) · TO-220F 66,793 件 询价
CR7N65FA9KCRMICRO(华润微) · TO-220F 41,046 件 询价

从搜索引擎进入的采购用户，可在这里继续横向比较封装、品牌和同类目现货。

进入询价查替代料打开制造商官方PDF提交 BOM 配单

商品参数

漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))800mΩ@10V
耗散功率(Pd)50W

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SILAN(士兰微) SVF7N65T/F/S 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用专有的 F - Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构专门设计用于最小化导通电阻、提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器

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TOSHIBA(东芝) 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 Ω（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 640 V)。 增强模式：Vtch = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：开关稳压器

库存 20,000TO-220F

4N90CL-TF3-T

UTC(友顺) UTC 4N90C 是一款功率 MOSFET 结构器件，其设计旨在具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于电力应用的 AC-DC 转换器中。

库存 17,000TO-220F

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TOSHIBA(东芝) 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.0 mΩ (典型值) (VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 100V)。 增强模式：VtG = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器

库存 10,000TO-220F

TK6A65D(STA4,X,M)

TOSHIBA(东芝) 特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 0.95Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 4.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 650V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

库存 10,000TO-220F

OSG60R180FF

ORIENTAL SEMI(东微) 采用电荷平衡技术，实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。针对极致开关性能进行优化，以最大限度地降低开关损耗。专为高功率密度应用量身定制，以满足最高效率标准。

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CRMICRO(华润微) CR13N50FA9K

库存 询盘确认TO-220F

AOTF5N50

AOS 1个N沟道 耐压:500V 电流:5A

库存 询盘确认

PROCUREMENT FAQ

采购常见问题

SVF10N65F 是否有现货？

SVF10N65F 当前公开库存为 88,560 件，最终可供数量、批号、包装和交期以业务确认报价为准。

如何核对 SVF10N65F 的官方资料？

页面提供 SVF10N65F 的制造商资料入口，采购前建议核对封装、关键电气参数、温度等级和订购料号。

找不到完全一致的 SVF10N65F 时怎么办？

可以按 SILAN(士兰微)、TO-220F 和同类目继续筛选相似型号，也可以在 BOM 备注中写明替代要求。