先用原型号和候选型号做一对一比对,避免只拿封装名替代完整型号。
PACKAGE STOCK
BGA 封装现货型号与BOM询价
围绕 BGA 封装聚合公开现货和可询型号,方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 1,539 个公开可查询型号。
PACKAGE COMPATIBILITY
BGA 同封装兼容核对台
同封装只代表初筛入口,不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、PDF 证据和不可放宽条件放到同一张核对表里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准,页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入 BOM 备注,减少业务和工程反复确认。
PACKAGE DECISION
BGA 封装核对指南
把封装页从“型号列表”变成采购员可执行的筛选台:先统一封装写法,再按品牌、类目、库存和资料把候选缩小到可核价范围。
先识别封装写法
BGA 可能会和 相近写法 同时出现在资料或BOM里,先统一封装关键词再筛型号。
再核对品牌与类目
当前样本覆盖 TI(德州仪器)、micron(镁光)、SAMSUNG(三星半导体)、ST(意法半导体),常见分类包括 现货库存、存储器 > DDR SDRAM、存储器 > eMMC,避免只按封装忽略应用参数。
保留可替代候选
同封装型号可先暂存或对比,提交 BOM 时写明可接受品牌、参数范围和交期要求。
下单前复查资料
封装页是入口,最终仍需核对制造商 PDF、引脚数、尺寸图、批号、包装和检测资料。
采购入口:BGA 封装 候选型号:BC846B,215 / IRF9530NPBF / W632GU6RB-11 / W634GU6RB-11 / SN65LBC184DR / LP5907SNX-1.8/NOPB 品牌/制造商范围:TI(德州仪器) / micron(镁光) / SAMSUNG(三星半导体) / ST(意法半导体) / Microchip(美国微芯) 分类范围:现货库存 / 存储器 > DDR SDRAM / 存储器 > eMMC / 存储器 > NAND FLASH / 通信接口芯片 > 以太网收发器 封装线索:SOT-23 / BGA / FBGA-96 / SOIC-8 / TFBGA-100 需求数量:请按型号填写目标数量、阶梯数量或年用量 不可放宽参数:完整MPN、品牌/制造商、封装、引脚、电压、电流、温度等级、认证、替代边界 可接受替代范围:请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代 交付要求:批号、包装、交期、检测资料、含税报价、付款和交付条件 公开库存和价格仅用于采购初筛,最终以业务人员确认报价为准
SOURCING PATH
BGA 封装采购路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作,适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或 BOM,避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
BC846B,215
Nexperia(安世)
BC846B,215,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),SOT-23封装,2,198,000件现货,采用小型SOT23(TO236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN通用晶体管。IRF9530NPBF
Infineon(英飞凌)
IRF9530NPBF,Infineon(英飞凌),现货库存,BGA封装,479,333件现货W632GU6RB-11
Winbond(华邦)
W632GU6RB-11,Winbond(华邦),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,285,120件现货,W632GU6RB-11W634GU6RB-11
Winbond(华邦)
W634GU6RB-11,Winbond(华邦),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,275,628件现货,W634GU6RB-11SN65LBC184DR
TI(德州仪器)
SN65LBC184DR,TI(德州仪器),通信接口芯片 > RS-485/RS-422芯片,SOIC-8封装,203,533件现货,具有瞬态电压抑制功能的差分收发器,适用于工业网络、电表和电机控制等应用。LP5907SNX-1.8/NOPB
TI(德州仪器)
LP5907SNX-1.8/NOPB,TI(德州仪器),现货库存,BGA封装,171,712件现货STM32H743VIH6
ST(意法半导体)
STM32H743VIH6,ST(意法半导体),现货库存,TFBGA-100封装,117,247件现货ICM-42670-P
TDK InvenSense(应美盛)
ICM-42670-P,TDK InvenSense(应美盛),传感器 > 姿态传感器/陀螺仪,LGA-14封装,110,200件现货,ICM - 42670 - P是一款高性能6轴MEMS运动追踪设备,集成了一个3轴陀螺仪和一个3轴加速度计。它具有可配置的主机接口,支持I3CSM、I²C和SPI串行通信,具备高达2.25千字节的FIFO和2个可编程中断,支KLM8G1GETF-B041
SAMSUNG(三星半导体)
KLM8G1GETF-B041,SAMSUNG(三星半导体),存储器 > eMMC,FBGA-153封装,107,982件现货,eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同,因此它是使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成MT41K128M16JT-125IT:K
micron(镁光)
MT41K128M16JT-125IT:K,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,106,691件现货,1.35V DDR3L SDRAM设备是1.5V DDR3 SDRAM设备的低压版本。在1.5V兼容模式下运行时,请参考DDR3 (1.5V) SDRAM数据手册规格。AMS1117-2.5
AMS
AMS1117-2.5,AMS,电源管理 > 线性稳压器(LDO),SOT-223封装,106,151件现货,AMS1117是一個輸出電流達到1A的三端輸出低壓差線性穩壓器,有1.2V、1.8V、2.5V、3.3V、5.0V及可調節輸出電壓等各種版本,其電壓降在1A時僅為1.2V。以其優良的性能和極度的經濟性能,適用於各種電器產品。MT41K256M16TW-107:P
micron(镁光)
MT41K256M16TW-107:P,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,101,209件现货,商业级HAC19-64G0BSAC
Hosin Global/宏芯宇
HAC19-64G0BSAC,Hosin Global/宏芯宇,现货库存,BGA封装,100,000件现货BVSS84LT1G
onsemi(安森美)
BVSS84LT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOT-23封装,95,000件现货IR3555MTRPBF
Infineon(英飞凌)
IR3555MTRPBF,Infineon(英飞凌),电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片,QFN-30封装,92,478件现货,集成 PowIRstage® 封装,包含一个同步降压栅极驱动器 IC,该 IC 与控制和同步 MOSFET 以及一个肖特基二极管集成在一起,以进一步提高效率。该封装针对 PCB 布局、传热、驱动器/MOSFET 控制时序以及遵循布局指南MT41K256M16TW-107IT:P
micron(镁光)
MT41K256M16TW-107IT:P,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,92,014件现货,DDR3L SDRAM(1.35V)是DDR3(1.5V)SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时,请参考DDR3(1.5V)SDRAM(芯片版本:E)数据手册规格。TXS0102DQER
TI(德州仪器)
TXS0102DQER,TI(德州仪器),逻辑器件 > 转换器/电平移位器,BGA封装,92,000件现货,此两位同相转换器是一个双向电压电平转换器,可用来在混合电压系统之间建立数字开关兼容性。它使用两个独立的可配置电源轨,其中A端口支持1.65V至3.6V工作电压范围,同时可跟踪VCCA电源,而B端口支持2.3V至5.5V工作电压范围,同时可跟踪VCCB电K4B4G1646E-BCNB
SAMSUNG(三星半导体)
K4B4G1646E-BCNB,SAMSUNG(三星半导体),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,90,590件现货,K4B4G1646E-BCNBLAN8720AI-CP-TR
Microchip(美国微芯)
LAN8720AI-CP-TR,Microchip(美国微芯),通信接口芯片 > 以太网收发器,QFN-24封装,89,625件现货,单芯片以太网物理层收发器,支持IEEE 802.3/802.3u标准,具有灵活的电源管理架构和自动MDIX支持。TS5MP646NYFPR
TI(德州仪器)
TS5MP646NYFPR,TI(德州仪器),现货库存,BGA封装,83,548件现货K4B2G1646F-BCNB
SAMSUNG(三星半导体)
K4B2G1646F-BCNB,SAMSUNG(三星半导体),存储器 > DDR SDRAM,BGA-96封装,81,096件现货,DDR3 SDRAM内存KLMAG1JETD-B041
SAMSUNG(三星半导体)
KLMAG1JETD-B041,SAMSUNG(三星半导体),存储器 > eMMC,FBGA-153封装,80,320件现货,eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC操作与MMC设备相同,因此使用行业标准的MMC协议v5.1对内存进行简单的读写。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。NAND区域(VDDF或VCC)需要3V电源ATSHA204A-SSHDA-B
Microchip(美国微芯)
ATSHA204A-SSHDA-B,Microchip(美国微芯),通信接口芯片 > 安全验证/加密芯片,SOIC-8封装,80,280件现货,具有硬件保护密钥存储的安全对称认证设备,支持多种接口,包括单线和I²C接口。提供独特的72位序列号,高质量随机数生成器,4.5Kb EEPROM用于存储密钥和数据,以及512位一次性可编程位。SN74AUP2G17DSFR
TI(德州仪器)
SN74AUP2G17DSFR,TI(德州仪器),现货库存,BGA封装,80,000件现货K4A4G165WF-BCTD
SAMSUNG(三星半导体)
K4A4G165WF-BCTD,SAMSUNG(三星半导体),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,78,824件现货,4Gb F-die x16 DDR4 SDRAMTS3USB221ARSER
TI(德州仪器)
TS3USB221ARSER,TI(德州仪器),通信接口芯片 > 模拟开关-特殊用途,UQFN-10封装,75,869件现货,专为手机和消费应用中的高速USB 2.0信号切换设计,支持高达900 MHz的宽带宽,低功耗模式下功耗仅为1 μA。SN74HC245PWR
TI(德州仪器)
SN74HC245PWR,TI(德州仪器),现货库存,BGA封装,70,000件现货STM32F411CEY6TR
ST(意法半导体)
STM32F411CEY6TR,ST(意法半导体),现货库存,WLCSP-49封装,68,187件现货MT29F2G01ABAGDWB-IT:G
micron(镁光)
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G,micron(镁光),存储器 > NAND FLASH,DFN-8封装,63,050件现货,MT29F2G01ABAGDWB-IT:G74HC4051PW-Q100
Nexperia(安世)
74HC4051PW-Q100,Nexperia(安世),现货库存,TSSOP-16封装,60,000件现货MC34063ACD-TR
ST(意法半导体)
MC34063ACD-TR,ST(意法半导体),电源管理 > DC-DC电源芯片,SOP-8封装,59,551件现货,MC34063A/E 系列是一款单片控制电路,具备 DC-DC 电压转换的主要功能。该器件包含一个内部温度补偿基准源、比较器、带有有源电流限制电路的占空比控制振荡器、驱动器和大电流输出开关。通过两个外部电阻可调节输出电压,基准精度为 2%S29AL016J70BFI020
Cypress
S29AL016J70BFI020,Cypress,现货库存,BGA-48封装,51,169件现货HI1103GFCV110
HISILCON
HI1103GFCV110,HISILCON,现货库存,BGA封装,50,000件现货MEC5106K-D2-TN-TR
Microchip(美国微芯)
MEC5106K-D2-TN-TR,Microchip(美国微芯),现货库存,BGA封装,50,000件现货SN1804044ZBHR
TI(德州仪器)
SN1804044ZBHR,TI(德州仪器),现货库存,BGA封装,50,000件现货STM32H757XIH6
ST(意法半导体)
STM32H757XIH6,ST(意法半导体),现货库存,TFBGA-265封装,45,696件现货MT41K64M16TW-107:J
micron(镁光)
MT41K64M16TW-107:J,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,45,550件现货,1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时,请参考 DDR3(1.5V)SDRAM 数据表规格。H5CG48MEBDX014N
HYNIX(海力士)
H5CG48MEBDX014N,HYNIX(海力士),存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM),FBGA封装,44,800件现货,H5CG48MEBDX014NMAX20024MGXXA/V+T
MAXIM/美信
MAX20024MGXXA/V+T,MAXIM/美信,现货库存,BGA封装,42,828件现货BCM7428ZZKFEB3G
BROADCOM
BCM7428ZZKFEB3G,BROADCOM,现货库存,BGA封装,42,336件现货MT41K512M8DA-107IT:P
micron(镁光)
MT41K512M8DA-107IT:P,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-78封装,41,499件现货,DDR3L SDRAM (1.35V) 是 DDR3 (1.5V) SDRAM 的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时,请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM (Die Rev :E) 数据手册规格。AMAP42KK-KBR-B2
AMBIQ
AMAP42KK-KBR-B2,AMBIQ,现货库存,BGA封装,40,000件现货BSC023N08NS5SC
英飞凌
BSC023N08NS5SC,英飞凌,现货库存,BGA封装,38,000件现货ICE40LP1K-CM49TR
LATTICE
ICE40LP1K-CM49TR,LATTICE,现货库存,BGA封装,37,908件现货AT91SAM9G25-CU
Microchip(美国微芯)
AT91SAM9G25-CU,Microchip(美国微芯),现货库存,BGA-217封装,36,204件现货XC7K325T-2FFG900I
Xilinx/赛灵思
XC7K325T-2FFG900I,Xilinx/赛灵思,现货库存,BGA-900封装,35,245件现货MT29F2G08ABAGAWP-IT:G
micron(镁光)
MT29F2G08ABAGAWP-IT:G,micron(镁光),存储器 > NAND FLASH,TSSOP封装,33,512件现货,特性:符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8:2176字节 (2048 + 128字节)。块大小:64页 (128K + 8K字节)。平面大W664GG6RB-06
Winbond(华邦)
W664GG6RB-06,Winbond(华邦),存储器 > DDR SDRAM,BGA-96封装,33,245件现货,W664GG6RB-06KLM8G1GETF-B041006
SAMSUNG(三星半导体)
KLM8G1GETF-B041006,SAMSUNG(三星半导体),存储器 > eMMC,FBGA封装,30,680件现货,KLM8G1GETF-B041006SN74LVC1G125DRYR
TI(德州仪器)
SN74LVC1G125DRYR,TI(德州仪器),现货库存,BGA封装,30,000件现货TPS53605DSQR
TI(德州仪器)
TPS53605DSQR,TI(德州仪器),现货库存,BGA封装,30,000件现货TPS65132SYFFR
TI(德州仪器)
TPS65132SYFFR,TI(德州仪器),现货库存,BGA封装,30,000件现货ST21NFCDXBGARA7
ST(意法半导体)
ST21NFCDXBGARA7,ST(意法半导体),射频芯片/天线 > 射频卡芯片,BGA封装,30,000件现货,是一款用于集成在移动设备和NFC兼容产品中的单NFC控制器IC。它包括三种操作模式下的NFC功能:卡模拟、读写器和点对点通信。基于运行频率为28 MHz的先进ARM Cortex-M3 32位微控制器。所有内部操作由时钟发生器模块同步。有两种时STBC02AJR
ST(意法半导体)
STBC02AJR,ST(意法半导体),电源管理 > 电池管理,BGA封装,30,000件现货,配有LDO、负载开关和复位发生器的线性锂离子电池充电器AT91SAM9G20B-CU
Microchip(美国微芯)
AT91SAM9G20B-CU,Microchip(美国微芯),现货库存,BGA-217封装,29,660件现货SDINBDG4-8G
SANDISK(闪迪)
SDINBDG4-8G,SANDISK(闪迪),存储器 > eMMC,BGA-153封装,29,080件现货,SDINBDG4-8GMX52LM04A11XVW
MXIC(旺宏电子)
MX52LM04A11XVW,MXIC(旺宏电子),存储器 > NAND FLASH,BGA-153封装,28,920件现货,MX52LM04A11XVWK4A8G165WG-BCWE000
三星
K4A8G165WG-BCWE000,三星,现货库存,FBGA-96封装,28,000件现货RK628D
Rockchip(瑞芯微)
RK628D,Rockchip(瑞芯微),通信接口芯片 > 其他接口,BGA封装,27,840件现货,是高集成接口芯片,可支持HDMI / 并行RGB / BT.1120作为输入,双MIPI/双LVDS/GVI(通用视频接口)/并行RGB/ BT.1120作为输出,内置特色缩放器。关键应用场景是为原始应用处理器(如RK3288 / RK3399)扩展显示输出88E1512-A0-NNP2C000
MARVELL(迈威)
88E1512-A0-NNP2C000,MARVELL(迈威),通信接口芯片 > 以太网收发器,QFN-56封装,27,751件现货,集成10/100/1000 Mbps 能效以太网收发器,支持RGMII和SGMII接口。UCC3818DTR
TI(德州仪器)
UCC3818DTR,TI(德州仪器),电源管理 > 功率因数校正(PFC)控制器,SOP-16封装,27,500件现货,BiCMOS 功率因子前置稳压器 16-SOIC 0 to 70CXDB4CBAM-MK-A
CXMT(长鑫)
CXDB4CBAM-MK-A,CXMT(长鑫),存储器 > DDR SDRAM,BGA-200封装,27,480件现货,2GB LPDDR4X 同步动态随机存取存储器 停产WCN-3990-0-116WLPSP-TR-0M-0
QUALCOMM
WCN-3990-0-116WLPSP-TR-0M-0,QUALCOMM,现货库存,BGA封装,27,132件现货NT5CB64M16GP-EK
Nanya(南亚科技)
NT5CB64M16GP-EK,Nanya(南亚科技),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,26,700件现货,1Gb 双倍数据速率 3(DDR3(L))G 型裸片动态随机存取存储器(DRAM)采用双倍数据速率架构,以实现高速运行。它为内部配置。H5CG48AGBDX018N
HYNIX(海力士)
H5CG48AGBDX018N,HYNIX(海力士),存储器 > DDR SDRAM,BGA封装,25,600件现货,H5CG48AGBDX018NMT25QL512ABB8E12-0SIT
Micron美光
MT25QL512ABB8E12-0SIT,Micron美光,现货库存,BGA-24封装,25,362件现货MT41K128M16JT-125:K
micron(镁光)
MT41K128M16JT-125:K,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,25,228件现货,2-Gbit(128M × 16bit),工作电压:1.35V88E1548-A1-BAM2C000
MARVELL(迈威)
88E1548-A1-BAM2C000,MARVELL(迈威),通信接口芯片 > 以太网收发器,TFBGA-196封装,24,920件现货,支持10/100/1000 Mbps的节能以太网收发器,符合IEEE 802.3标准,支持多种操作模式。MA2155SLM6R
INTEL
MA2155SLM6R,INTEL,现货库存,BGA封装,24,900件现货K4A4G165WG-BCWE
SAMSUNG(三星半导体)
K4A4G165WG-BCWE,SAMSUNG(三星半导体),存储器 > DDR SDRAM,BGA封装,24,640件现货,K4A4G165WG-BCWEXC3S200A-4VQG100C
XILINX
XC3S200A-4VQG100C,XILINX,现货库存,TQFP-100封装,23,840件现货NT5CC64M16GP-DI
Nanya(南亚科技)
NT5CC64M16GP-DI,Nanya(南亚科技),存储器 > DDR SDRAM,BGA-96封装,23,800件现货,1Gb 双倍数据速率 3(DDR3(L))G 型裸片 DRAM 采用双倍数据速率架构,以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。这款 1Gb 芯片的组织形式为 16Mbit × 8 I/O × 8 存储体,或 8Mbit × 1MT41K512M8DA-107:P
micron(镁光)
MT41K512M8DA-107:P,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA封装,23,567件现货,4Gb:X4、x8、X16 DDR3L 同步动态随机存取存储器MT25QL256ABA8E12-1SIT
MICRON
MT25QL256ABA8E12-1SIT,MICRON,现货库存,BGA封装,22,500件现货K4B2G1646F-BFMA
SAMSUNG(三星半导体)
K4B2G1646F-BFMA,SAMSUNG(三星半导体),存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM),BGA封装,22,400件现货,K4B2G1646F-BFMAK4ZAF325BC-SC20
SAMSUNG
K4ZAF325BC-SC20,SAMSUNG,现货库存,BGA封装,22,400件现货LPC1768FBD100
NXP(恩智浦)
LPC1768FBD100,NXP(恩智浦),现货库存,LQFP-100封装,22,383件现货MT47H64M16NF-25EIT:M
micron(镁光)
MT47H64M16NF-25EIT:M,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-84封装,22,168件现货,特性:VDD = 1.8V±0.1V,VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O(SSTL_18兼容)。 差分数据选通(DQS,DQS#)选项。 4n位预取架构。 x8的双输出选通(RDQS)选项。IS46TR16512BL-125KBLA1
ISSI/芯成
IS46TR16512BL-125KBLA1,ISSI/芯成,现货库存,BGA封装,22,000件现货MT41K128M16JT-107IT:K
micron(镁光)
MT41K128M16JT-107IT:K,micron(镁光),存储器 > DDR SDRAM,FBGA-96封装,22,000件现货,MT41K128M16JT 107 IT:KPACKAGE FAQ
BGA 封装采购常见问题
BGA 封装在华芯购有多少可查询型号?
当前 BGA 封装页收录 1,539 个公开可查询型号,本页优先展示 80 个现货样本。
筛选 BGA 封装型号时还要核对什么?
除封装外,还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
BGA 封装找不到完全一致型号怎么办?
可以从 Nexperia(安世)、Infineon(英飞凌)、Winbond(华邦)、TI(德州仪器)、ST(意法半导体) 或 三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)、现货库存、存储器 > DDR SDRAM、通信接口芯片 > RS-485/RS-422芯片 继续筛选,也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围,由业务按同封装和关键参数协助确认。
