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HL(富海微) 制造商型号现货与清单询价

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40N06D

HL(富海微)

40N06D是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RD
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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30P06

HL(富海微)

特性：超低栅极电荷 · 有绿色环保器件可选
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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HL118

HL(富海微)

输入电压：1.8~8.5V · 持续电流：1.4A
电机驱动芯片 > 有刷直流电机驱动芯片
SOP-8
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6206A33

HL(富海微)

最大输入电压：6V · 输出电压：3.3V
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-3L
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50P03D

HL(富海微)

50P03D是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8L
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60N04D

HL(富海微)

特性：绿色环保器件 · 开关速度快
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8-EP
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40P30

HL(富海微)

40P30是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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20P09L

HL(富海微)

20P09L是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET · 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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3400Q

HL(富海微)

3400Q 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET · 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-89-3L
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3416

HL(富海微)

3416是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET · 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RD
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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3N10L

HL(富海微)

MOSFET类型:N · 漏源电压(Vdss) (V):100
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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20N06D

HL(富海微)

20N06D是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET · 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RD
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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4056D

HL(富海微)

9V耐压 · 电池正反接保护
电源管理 > 电池管理
ESOP-8
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6G03L

HL(富海微)

N+PMOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):30 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.0～
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6L
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30N10

HL(富海微)

30N10是高性能沟槽N沟道MOSFET · 具有极高的单元密度
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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40P03

HL(富海微)

特性：超低栅极电荷 · 有环保产品可供选择
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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S130N10LF

HL(富海微)

DC-DC转换器 · 电源管理功能
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8L
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S8N10

HL(富海微)

S8N10 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET · 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-89-3L
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S400N06HTL

HL(富海微)

平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):60 阈值电压VGS:±20 Vth(V):2～4
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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S50N10LF

HL(富海微)

分裂栅极沟槽MOSFET技术 · 优异的封装散热性能
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8L
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4009S

HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 40阈值电压VGS:±20Vth(V):1～2导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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20P06

HL(富海微)

特性：超低栅极电荷 · 有环保器件可供选择
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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30P03

HL(富海微)

30P03是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSO
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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HL8205

HL(富海微)

工艺:沟槽 · 类型:N+N
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6L
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50N03D

HL(富海微)

50N03D是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN
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4430

HL(富海微)

4430 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（R
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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S40P06F

HL(富海微)

MOSFET类型:P · 漏源电压(Vdss) (V)：-60
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8L
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HL7550L

HL(富海微)

24V LDO 线性稳压器 · 高精度输出电压±2%
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89-3
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50P02

HL(富海微)

50P02是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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4409A

HL(富海微)

30V 18A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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50P03

HL(富海微)

50P03是高单元密度的沟槽型P沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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80N03F

HL(富海微)

特性：100% EAS Guaranteed · Green Device Available
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6
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40P04

HL(富海微)

40P04是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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40N05

HL(富海微)

Tphtei o4n0N05 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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2302V

HL(富海微)

2302V 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET · 能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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3080K

HL(富海微)

特性：100% EAS保证 · 超低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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4614

HL(富海微)

4614是高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET · 具有极高的单元密度
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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25P10

HL(富海微)

MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V): -100阈值电压VGS:±20Vth(V):-1.5～
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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S40N06D

HL(富海微)

阈值电压VGS:±20
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN
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90N03

HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 30阈值电压VGS:±20V th(V):1.2～2.
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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20N03D

HL(富海微)

20N03D是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN
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2301V

HL(富海微)

2301V 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET · 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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8810

HL(富海微)

8810 是一款低导通电阻 (RDSON) 沟槽 N 沟道 MOSFET · 具有强大的 ESD 保护功能
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6L
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20P03

HL(富海微)

20P03是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSO
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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S15V06S

HL(富海微)

特性：出色的散热封装 · 用于低导通电阻的高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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S100N10LF

HL(富海微)

DC-DC 转换器 · 电源管理功能
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8L
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9435A

HL(富海微)

9435A是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET · 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSO
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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70P03

HL(富海微)

70P03是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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80N06F

HL(富海微)

80N06F 是高单元密度的沟槽式 N 沟道 MOSFET · 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8-EP
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40P02

HL(富海微)

40P02是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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7550

HL(富海微)

30V LDO 线性稳压器 · 高精度输出电压±2%
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89-3
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S4866D

HL(富海微)

绿色器件 · 超低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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30N06F

HL(富海微)

特性：100% EAS保证 · 有绿色环保器件
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8-EP
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30N03

HL(富海微)

特性：100% EAS保证 · 超低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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20N02

HL(富海微)

20N02 是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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S100N75F

HL(富海微)

100V · 75A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5X6-8
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20G10F

HL(富海微)

工艺:沟槽 · 类型:N+P
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8L
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2P15D

HL(富海微)

工艺:沟槽 · 类型:P
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3x3-8L
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S225N04F

HL(富海微)

SGT · N沟道
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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S60V04F

HL(富海微)

SGT · N沟道
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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40P04F

HL(富海微)

MOSFET类型:P · 漏源电压(Vdss) (V):-40
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8L
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30G20F

HL(富海微)

30G20F 是具有高单元密度的高性能互补 N 沟道和 P 沟道 MOSFET · 可为大多数同步降压转换器
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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60P03F

HL(富海微)

MOSFET类型:P · 漏源电压(Vdss) (V):-30
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8L
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S60N03D

HL(富海微)

S60N03D 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET · 可为 DC
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3x3-8
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90P03F

HL(富海微)

MOSFET类型:P · 漏源电压(Vdss) (V):-30
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8L
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S120N04D

HL(富海微)

工艺:SGT · 类型:N
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3x3-8L
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S25V06D

HL(富海微)

特性：采用分裂栅沟槽MOSFET技术 · 出色的散热封装
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3x3-8L
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S80N04D

HL(富海微)

工艺:SGT · 类型:N
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3x3-8L
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650SJ520

HL(富海微)

650V · 8A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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2318

HL(富海微)

特性：绿色设备可用 · 出色的CdV
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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4559A

HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 60阈值电压VGS:±20V th(V):1.0～2.
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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3401A

HL(富海微)

3401A 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET · 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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S125N06F

HL(富海微)

平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):60 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.2
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8
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90N03D

HL(富海微)

特性：超低栅极电荷 · 100%保证EAS
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3x3-8L
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30G20D

HL(富海微)

30G20D 是高性能互补型 N 沟道和 P 沟道 MOSFET · 具有高单元密度
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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3P10

HL(富海微)

MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V):-100 阈值电压VGS:±20 Vth(V):-1.2
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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S100N85F

HL(富海微)

Tphtei S100N85F是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET · 能为大多数同步降压转换器应用提供出
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8L
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S60P06F

HL(富海微)

MOSFET类型:P · 漏源电压(Vdss) (V)：-60
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8L
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3419

HL(富海微)

阈值电压VGS:±20
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN
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HL6288Q

HL(富海微)

耐压最高250V · 输出驱动电流1.5A
电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片
QFN-24
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