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20G10F HL(富海微) 现货与清单询价

20G10F，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，工艺:沟槽，类型:N+P，漏源电压(Vdss) (V):100/-100，阈值电压VGS:±20，Vth(V):±1.2～±2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):65/180，连续漏极电流ID(A):15A/-7A