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S80N04D HL(富海微) 现货与BOM询价

S80N04D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3x3-8L封装，询盘确认库存，工艺:SGT，类型:N，漏源电压(Vdss) (V):40，阈值电压VGS:±20，Vth(V):1～2.2，导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.4/4.1，连续漏极电流ID(A):80A