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S125N06F HL(富海微) 现货与清单询价

S125N06F，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):60 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.2～2.2导通电阻RDS(ON) (mΩ):2.4连续漏极电流ID(A):125A

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MPN
S125N06F
品牌/制造商
HL(富海微)
封装
PDFN5x6-8
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/S125N06F
公开内容边界

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