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无锡紫光微 品牌现货

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无锡紫光微 前排 4 款

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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

TPD65R950M

无锡紫光微

超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术 · 它是根据超结（SJ）原理设计的 · 场效应管(MOSFET)
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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TPD65R380D

无锡紫光微

超结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术 · 它是根据超结（SJ）原理设计的 · 场效应管(MOSFET)
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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TTD120N04AT

无锡紫光微

特性：沟槽功率MOSFET技术 · 低漏源导通电阻（RDS(ON)） · 场效应管(MOSFET)
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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TPD65R600M

无锡紫光微

超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术 · 它是根据超结（SJ）原理设计的 · 场效应管(MOSFET)
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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