公开现货
X1-DFN1006-2 现货结果
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封装：X1-DFN1006-2
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AOZ8211DI-12
AOS
极性:单向 · 反向截止电压(Vrwm):12V
封装X1-DFN1006-2
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三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
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AOZ8831DT-05
AOS
极性:双向 · 反向截止电压(Vrwm):5.5V
封装X1-DFN1006-2
可供数量询盘确认
报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
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BAS16LP-7B
DIODES(美台)
二极管配置:1个独立式 · 正向压降(Vf):1.25V@150mA
封装X1-DFN1006-2
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二极管 / 通用二极管
X1-DFN1006-2
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BAS16LPQ-7
DIODES(美台)
正向压降(Vf):1.25V@150mA · 直流反向耐压(Vr):75V
封装X1-DFN1006-2
可供数量询盘确认
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二极管 / 开关二极管
X1-DFN1006-2
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BAS16LPQ-7B
DIODES(美台)
正向压降(Vf):1.25V@150mA · 直流反向耐压(Vr):75V
封装X1-DFN1006-2
可供数量询盘确认
报价方式询盘报价
二极管 / 开关二极管
X1-DFN1006-2
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BAS40LP-7B
DIODES(美台)
正向压降(Vf):1V@40mA · 直流反向耐压(Vr):40V
封装X1-DFN1006-2
可供数量询盘确认
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二极管 / 肖特基二极管
X1-DFN1006-2
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BAS70LP-7B
DIODES(美台)
正向压降(Vf):960mV@15mA · 直流反向耐压(Vr):70V
封装X1-DFN1006-2
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二极管 / 肖特基二极管
X1-DFN1006-2
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BAT54LP-7
DIODES(美台)
正向压降(Vf):1V@100mA · 直流反向耐压(Vr):30V
封装X1-DFN1006-2
可供数量询盘确认
报价方式询盘报价
二极管 / 肖特基二极管
X1-DFN1006-2
询盘确认
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BAT54LP-7B
DIODES(美台)
正向压降(Vf):1V@100mA · 直流反向耐压(Vr):30V
封装X1-DFN1006-2
可供数量询盘确认
报价方式询盘报价
二极管 / 肖特基二极管
X1-DFN1006-2
询盘确认
询盘报价
BAT54LPQ-7
DIODES(美台)
正向压降(Vf):1V@100mA · 直流反向耐压(Vr):30V
封装X1-DFN1006-2
可供数量询盘确认
报价方式询盘报价
二极管 / 肖特基二极管
X1-DFN1006-2
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CESD1006LC5VU
CREATEK(达晶微)
极性:单向 · 反向截止电压(Vrwm):5V
封装X1-DFN1006-2
可供数量询盘确认
报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
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CLAMP0551P1
WPMtek(维攀)
极性:双向 · 反向截止电压(Vrwm):5V
封装X1-DFN1006-2
可供数量询盘确认
报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
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DF2B12M1CT(TPL3)
TOSHIBA(东芝)
反向截止电压(Vrwm):8V · 钳位电压:18V
封装X1-DFN1006-2
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三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
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DF2B6.8ACT,L3F
TOSHIBA(东芝)
反向截止电压(Vrwm):5V · 钳位电压:7V
封装X1-DFN1006-2
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三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
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DF2B6M4CT,L3F
TOSHIBA(东芝)
反向截止电压(Vrwm):5.5V · 钳位电压:15V
封装X1-DFN1006-2
可供数量询盘确认
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三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
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DF2B7ACT,L3F
TOSHIBA(东芝)
反向截止电压(Vrwm):5.5V · 钳位电压:20V
封装X1-DFN1006-2
可供数量询盘确认
报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
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DF2S24UCT,L3F
TOSHIBA(东芝)
反向截止电压(Vrwm):19V · 5V
封装X1-DFN1006-2
可供数量询盘确认
报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
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DF2S8.2ASL,L3F
TOSHIBA(东芝)
反向截止电压(Vrwm):6.5V · 钳位电压:11.5V
封装X1-DFN1006-2
可供数量询盘确认
报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
询盘确认
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DF2S8.2CT,L3F
TOSHIBA(东芝)
反向截止电压(Vrwm):6.5V · 击穿电压:7.7V
封装X1-DFN1006-2
可供数量询盘确认
报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
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RCLAMP3321P
UMW(友台半导体)
极性:双向 · 反向截止电压(Vrwm):3.3V
封装X1-DFN1006-2
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TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X1-DFN1006-2
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SBR0240LPW-7B
DIODES(美台)
正向压降(Vf):590mV@200mA · 直流反向耐压(Vr):40V
封装X1-DFN1006-2
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二极管 / 肖特基二极管
X1-DFN1006-2
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SBR0240LPWQ-7B
DIODES(美台)
正向压降(Vf):590mV@200mA · 直流反向耐压(Vr):40V
封装X1-DFN1006-2
可供数量询盘确认
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二极管 / 超势垒整流器(SBR)
X1-DFN1006-2
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SBR02U100LPQ-7
DIODES(美台)
正向压降(Vf):800mV@200mA · 直流反向耐压(Vr):100V
封装X1-DFN1006-2
可供数量询盘确认
报价方式询盘报价
二极管 / 超势垒整流器(SBR)
X1-DFN1006-2
询盘确认
询盘报价
SBR02U100LPQ-7B
DIODES(美台)
正向压降(Vf):800mV@200mA · 直流反向耐压(Vr):100V
封装X1-DFN1006-2
可供数量询盘确认
报价方式询盘报价
二极管 / 超势垒整流器(SBR)
X1-DFN1006-2
询盘确认
询盘报价