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封装：TO-252
封装：TO-252
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TO-252 结果较多，先缩小范围
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类目
品牌
封装 / 规格
UTC(友顺) / CJ/长电/长晶 / AGMSEMI(芯控源) / AOSTO-252
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价
15N10L-TN3-R
UTC(友顺)
15N10L-TN3-R，UTC(友顺)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，15,000件现货，UTC 15N10 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，它采用 UTC 的先进技术，为客户提供最低导通电阻、高开关速度和低栅极电荷。UTC 15N10 适用于高效开关式 DC/DC 转换器、LCD 显示器逆变器和负载开关。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
15,000
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2SB1261
CJ/长电/长晶
2SB1261，CJ/长电/长晶，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，TO-252封装，32,550件现货，低集电极饱和电压 高功率耗散：在Tc = 25°C时，Pc = 10W（最大值）三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-252
32,550
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78D05AL-TN3-R
UTC(友顺)
78D05AL-TN3-R，UTC(友顺)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，TO-252封装，32,500件现货，是单片固定电压调节器集成电路，适用于需要高达 1A 电源电流的应用。电源管理 > 线性稳压器(LDO)
TO-252
32,500
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78D05L-TN3-R
UTC(友顺)
78D05L-TN3-R，UTC(友顺)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，TO-252封装，75,135件现货，是单片固定电压调节器集成电路，适用于需要高达 0.5A 电源电流的应用。电源管理 > 线性稳压器(LDO)
TO-252
75,135
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78D05LL-TN3-R
UTC(友顺)
78D05LL-TN3-R，UTC(友顺)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，TO-252封装，27,500件现货，UTC 78DXXL 系列是单片固定电压调节器集成电路。它们适用于需要高达 0.5 A 供电电流的应用。电源管理 > 线性稳压器(LDO)
TO-252
27,500
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78D12AL-TN3-R
UTC(友顺)
78D12AL-TN3-R，UTC(友顺)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，TO-252封装，14,095件现货，是单片固定电压调节器集成电路，适用于需要高达 1A 电源电流的应用。电源管理 > 线性稳压器(LDO)
TO-252
14,095
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AGM60P90D
AGMSEMI(芯控源)
AGM60P90D，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，950件现货，AGM60P90D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
950
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AOD240
AOS
AOD240，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，9,000件现货，1个N沟道 耐压:40V 电流:23A 电流:70A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
9,000
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AOD2610E
AOS
AOD2610E，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，45,000件现货，特性：低导通电阻。 低栅极电荷。 低输出电容。 ESD保护。 符合RoHS和无卤标准。 漏源电压（VDS）：60V。 连续漏极电流（ID）：46A（VGS = 10V）。 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：< 9.5mΩ（VGS = 10三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
45,000
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AOD2910
AOS
AOD2910，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，57,518件现货，使用沟槽 MOSFET 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于 RDS(ON)、Ciss 和 Coss 的极低组合，传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和 LED 背光的升压转换器和同步整流三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
57,518
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AOD403
AOS
AOD403，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，50,000件现货，MOS管 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-70A 功率(Pd)：73W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,10A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
50,000
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AOD407
AOS
AOD407，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，95,000件现货，AOD407采用先进的沟槽技术，可实现出色的 $\\mathsf{R}_{\\mathsf{DS}(\\mathsf{ON})}$、低栅极电荷和低栅极电阻。凭借DPAK封装出色的热阻特性，该器件非常适合大电流负载应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
95,000
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AOD409
AOS
AOD409，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，92,500件现货，特性：高密度单元设计，实现超低导通电阻。 具备完全表征的雪崩电压和电流。 出色的封装，实现良好的散热。应用：PWM应用。 电源管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
92,500
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AOD4132
AOS
AOD4132，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，55,000件现货，特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻。 漏源电压（VDS）：30V。 漏极电流（ID）：85A（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）< 4mΩ（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）<三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
55,000
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AOD413A
AOS
AOD413A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，50,000件现货，P沟 -40V -12A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
50,000
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AOD4184A
AOS
AOD4184A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，30,000件现货，AOD4184A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
30,000
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AOD4185
AOS
AOD4185，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，83,435件现货，P沟道 -40V -40A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
83,435
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AOD4189
AOS
AOD4189，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，30,000件现货，P沟道,-40V,-40A,22mΩ@-10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
30,000
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AOD442
AOS
AOD442，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，45,000件现货，特性：采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 VDS(V) = 60V。 ID = 37A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 20mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 25mΩ (VGS =三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
45,000
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AOD444
AOS
AOD444，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，80,000件现货，将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的导通电阻。适用于PWM、负载开关和通用应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
80,000
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AOD454A
AOS
AOD454A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，10,000件现货，AOD454A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。凭借DPAK封装出色的热阻性能，该器件非常适合大电流负载应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
10,000
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AOD482
AOS
AOD482，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，45,000件现货，N沟道三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
45,000
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PROCUREMENT CONTEXT
TO-252 现货采购说明
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4高频品牌
1封装规格
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