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SCS212AJTLL

ROHM(罗姆)

SCS212AJTLL，ROHM(罗姆)，二极管 > 碳化硅二极管，TO-263AB封装，16,608件现货，SCS212AJTLL
批号 22+按需询价现货核对后发
二极管 > 碳化硅二极管
TO-263AB
16,608
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2SCR586JGTLL

ROHM(罗姆)

2SCR586JGTLL，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，TO-263AB封装，询盘确认库存，NPN 电流:5A 电压:80V
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-263AB
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30CTQ040S

DIOTEC(德欧泰克)

30CTQ040S，DIOTEC(德欧泰克)，二极管 > 肖特基二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，电压:40V 电流:15A
批号询价确认按需询价交期询价确认
二极管 > 肖特基二极管
TO-263AB
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FESB16JT-E3/81

Vishay(威世)

FESB16JT-E3/81，Vishay(威世)，二极管 > 快恢复/高效率二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，耐压:600V 电流:16A 反向恢复时间：50ns
批号询价确认按需询价交期询价确认
二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-263AB
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FGB3040G2-F085

onsemi(安森美)

FGB3040G2-F085，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，N 沟道点火 IGBT，用于汽车点火线圈驱动器电路和插头应用上的线圈。
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
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FGB3056-F085

onsemi(安森美)

FGB3056-F085，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，IGBT，EcoSPARK 300mJ，560V，N 沟道点火
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三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
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FGB3245G2-F085

onsemi(安森美)

FGB3245G2-F085，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，FGB3245G2_F085 和 FGD3245G2 是使用安森美半导体的 EcoSPARK 2 技术设计的 N 沟道 IGBT，有助于消除外部保护电路。该技术适用于在汽车点火系统的严酷环境中驱动线圈，在更高的运行温度下也
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三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
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FGB3440G2-F085

onsemi(安森美)

FGB3440G2-F085，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，FGB3245G2_F085 和 FGD3245G2 是使用安森美半导体的 EcoSPARK 2 技术设计的 N 沟道 IGBT，有助于消除外部保护电路。该技术适用于在汽车点火系统的严酷环境中驱动线圈，在更高的运行温度下也
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三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
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FGB5N60UNDF

onsemi(安森美)

FGB5N60UNDF，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，FGB5N60UNDF
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三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
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GPAS1004

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

GPAS1004，Taiwan Semiconductor(台湾半导体)，二极管 > 通用二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，GPAS1004
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二极管 > 通用二极管
TO-263AB
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GPAS1005

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

GPAS1005，Taiwan Semiconductor(台湾半导体)，二极管 > 通用二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，GPAS1005
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二极管 > 通用二极管
TO-263AB
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GPAS1006

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

GPAS1006，Taiwan Semiconductor(台湾半导体)，二极管 > 通用二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，GPAS1006
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二极管 > 通用二极管
TO-263AB
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GPAS1007

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

GPAS1007，Taiwan Semiconductor(台湾半导体)，二极管 > 通用二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，GPAS1007
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二极管 > 通用二极管
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HGT1S10N120BNS

onsemi(安森美)

HGT1S10N120BNS，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S10N120BNST 基于无通冲孔 (NPT) IGBT 设计。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。
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HGT1S10N120BNST

onsemi(安森美)

HGT1S10N120BNST，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S10N120BNST 基于无通冲孔 (NPT) IGBT 设计。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。
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HGT1S12N60B3DS

TI(德州仪器)

HGT1S12N60B3DS，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S12N60B3DS
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HGT1S12N60C3DS

onsemi(安森美)

HGT1S12N60C3DS，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S12N60C3DS
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HGT1S14N41G3VLS

onsemi(安森美)

HGT1S14N41G3VLS，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S14N41G3VLS
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HGT1S15N120C3S

TI(德州仪器)

HGT1S15N120C3S，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S15N120C3S
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HGT1S20N36G3VLS

onsemi(安森美)

HGT1S20N36G3VLS，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S20N36G3VLS
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三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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HGT1S20N60B3S

TI(德州仪器)

HGT1S20N60B3S，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S20N60B3S
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HGT1S20N60C3S9A

onsemi(安森美)

HGT1S20N60C3S9A，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S20N60C3S9A
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HGT1S3N60B3S

TI(德州仪器)

HGT1S3N60B3S，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S3N60B3S
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三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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HGT1S3N60C3DS

TI(德州仪器)

HGT1S3N60C3DS，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S3N60C3DS
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三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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