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TO-263AB 现货库存

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TO-263AB 现货结果

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封装：TO-263AB
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结果货架 当前页 24 行 / 共 306 个 封装：TO-263AB
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

SCS212AJTLL

ROHM(罗姆)

二极管配置:独立式 · 整流电流:12A
状态现货可下单批号批号 22+起订按需交期核对后发
封装TO-263AB 可供数量16,608 起订按需 报价方式询盘报价
二极管 / 碳化硅二极管
TO-263AB
16,608
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2SCR586JGTLL

ROHM(罗姆)

晶体管类型:NPN · 集电极电流(Ic):5A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263AB 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
TO-263AB
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30CTQ040S

DIOTEC(德欧泰克)

二极管配置:1对共阴极 · 正向压降(Vf):620mV@15A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263AB 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
二极管 / 肖特基二极管
TO-263AB
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FESB16JT-E3/81

Vishay(威世)

二极管配置:1个独立式 · 正向压降(Vf):1.5V@16A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263AB 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
二极管 / 快恢复/高效率二极管
TO-263AB
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FGB3040G2-F085

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):400V · 集电极电流(Ic):41A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263AB 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-263AB
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FGB3056-F085

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):600V · 栅极阈值电压(Vge(th)):1.55V@5V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263AB 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-263AB
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FGB3245G2-F085

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):450V · 耗散功率(Pd):150W
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封装TO-263AB 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-263AB
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FGB3440G2-F085

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):400V · 集电极电流(Ic):26.9A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263AB 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-263AB
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FGB5N60UNDF

onsemi(安森美)

FGB5N60UNDF
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封装TO-263AB 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-263AB
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GPAS1004

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

GPAS1004
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封装TO-263AB 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
二极管 / 通用二极管
TO-263AB
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GPAS1005

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

GPAS1005
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封装TO-263AB 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
二极管 / 通用二极管
TO-263AB
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GPAS1006

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

GPAS1006
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封装TO-263AB 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
二极管 / 通用二极管
TO-263AB
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GPAS1007

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

GPAS1007
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二极管 / 通用二极管
TO-263AB
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HGT1S10N120BNS

onsemi(安森美)

HGT1S10N120BNST 基于无通冲孔 (NPT) IGBT 设计 · 此 IGBT 适用于低导通损耗
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-263AB
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HGT1S10N120BNST

onsemi(安森美)

IGBT类型:NPT(非穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
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HGT1S12N60B3DS

TI(德州仪器)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):27A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-263AB
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HGT1S12N60C3DS

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):24A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
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HGT1S14N41G3VLS

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):445V · 集电极电流(Ic):25A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-263AB
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HGT1S15N120C3S

TI(德州仪器)

集射极击穿电压(Vces):1.2kV · 集电极电流(Ic):35A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-263AB
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HGT1S20N36G3VLS

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):415V · 栅极电荷量(Qg):28.7nC
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-263AB
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HGT1S20N60B3S

TI(德州仪器)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):40A
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-263AB
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HGT1S20N60C3S9A

onsemi(安森美)

HGT1S20N60C3S9A
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封装TO-263AB 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-263AB
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HGT1S3N60B3S

TI(德州仪器)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):7A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263AB 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-263AB
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HGT1S3N60C3DS

TI(德州仪器)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):6A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263AB 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-263AB
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