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HGT1S10N120BNST onsemi(安森美) 现货与清单询价

HGT1S10N120BNST，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S10N120BNST 基于无通冲孔 (NPT) IGBT 设计。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。