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TO-263-2L 现货库存

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TO-263-2L 现货结果

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封装:TO-263-2L
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结果货架 当前页 24 行 / 共 154 个 封装:TO-263-2L
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

HY4903B

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
状态现货可下单批号批号 22+起订按需交期核对后发
封装TO-263-2L 可供数量6,680 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-2L
6,680
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AUGK40N65F1A1

luxin-semi(上海陆芯)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263-2L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-263-2L
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B1D04065F

BASiC(基本)

整流电流:14A · 正向压降(Vf):1.45V@4A
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封装TO-263-2L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
二极管 / 碳化硅二极管
TO-263-2L
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B1D10065F

BASiC(基本)

二极管配置:独立式 · 整流电流:32A
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封装TO-263-2L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
二极管 / 碳化硅二极管
TO-263-2L
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BCB120S10D2

Bestirpower(萃锦半导体)

整流电流:10A · 正向压降(Vf):1.43V@10A
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-263-2L
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BCB120S20D2

Bestirpower(萃锦半导体)

整流电流:20A · 正向压降(Vf):1.39V@20A
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-263-2L
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BL1084-CS

BL(上海贝岭)

输出类型:可调 · 工作电压:15V
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封装TO-263-2L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
电源与功率 / 线性稳压器(LDO)
TO-263-2L
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BMB60N076UC1

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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封装TO-263-2L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-2L
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BMB65N380E1

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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封装TO-263-2L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-2L
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BMB80N180C1

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):800V
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封装TO-263-2L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-2L
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CJ7805B-TGN-ARG

CJ(江苏长电/长晶)

输出类型:固定 · 工作电压:25V
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封装TO-263-2L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
电源与功率 / 线性稳压器(LDO)
TO-263-2L
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CJ7806B-TGN-ARG

CJ(江苏长电/长晶)

输出类型:固定 · 工作电压:26V
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电源与功率 / 线性稳压器(LDO)
TO-263-2L
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CJ7808B-TGN-ARG

CJ(江苏长电/长晶)

输出类型:固定 · 工作电压:28V
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电源与功率 / 线性稳压器(LDO)
TO-263-2L
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CJ7809B-TGN-ARG

CJ(江苏长电/长晶)

输出类型:固定 · 工作电压:29V
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封装TO-263-2L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
电源与功率 / 线性稳压器(LDO)
TO-263-2L
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CJ7812B-TGN-ARG

CJ(江苏长电/长晶)

输出类型:固定 · 工作电压:32V
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电源与功率 / 线性稳压器(LDO)
TO-263-2L
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CJ7815

CJ(江苏长电/长晶)

输出类型:固定 · 工作电压:30V
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电源与功率 / 线性稳压器(LDO)
TO-263-2L
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CJ7815B-TGN-ARG

CJ(江苏长电/长晶)

输出类型:固定 · 工作电压:32V
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封装TO-263-2L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
电源与功率 / 线性稳压器(LDO)
TO-263-2L
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CJB130SN10

CJ(江苏长电/长晶)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-2L
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CMS038H10G

iCM(创芯微)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):180A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-2L
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CMSH10H12G

iCM(创芯微)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):120A
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封装TO-263-2L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-2L
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HC1D20120G

HXY MOSFET(华轩阳电子)

整流电流:54A · 正向压降(Vf):1.4V@20A
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-263-2L
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HSH120N85

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):85V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-2L
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HY1606B

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263-2L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-2L
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HY1607B

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):68V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-263-2L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-263-2L
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