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HC1D20120G HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HC1D20120G，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 碳化硅二极管，TO-263-2L封装，询盘确认库存，这款碳化硅二极管拥有20安培的最大工作电流IF，反向电压VR高达1200伏特，同时其正向电压VF为1.4伏特。其高性能特点适合应用于需要高电压隔离和快速开关特性的电子设备中，可以广泛支持从电源适配到能量转换的各种非工业标准电路配置，确保了

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MPN
HC1D20120G
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-263-2L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HC1D20120G
公开内容边界

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