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封装：SOT-227B-4
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APL502J
Microchip(美国微芯)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-227B-4
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APL602J
Microchip(美国微芯)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-227B-4
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APT10021JFLL
Microchip(美国微芯)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-227B-4
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APT10021JLL
Microchip(美国微芯)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-227B-4
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APT10025JVFR
Microchip(美国微芯)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-227B-4
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APT10025JVR
Microchip(美国微芯)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-227B-4
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APT10026JFLL
Microchip(美国微芯)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-227B-4
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APT10026JLL
Microchip(美国微芯)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-227B-4
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APT10035JFLL
Microchip(美国微芯)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-227B-4
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APT10045JFLL
Microchip(美国微芯)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-227B-4
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APT10045JLL
Microchip(美国微芯)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-227B-4
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APT10050JVFR
Microchip(美国微芯)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-227B-4
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APT100F50J
Microchip(美国微芯)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-227B-4
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APT100GLQ65JU2
Microchip(美国微芯)
IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
SOT-227B-4
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APT100GN120J
Microchip(美国微芯)
IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
SOT-227B-4
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APT100GN120JDQ4
Microchip(美国微芯)
APT100GN120JDQ4
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
SOT-227B-4
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APT10M07JVFR
Microchip(美国微芯)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-227B-4
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APT10M11JVFR
Microchip(美国微芯)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-227B-4
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APT12031JFLL
Microchip(美国微芯)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-227B-4
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APT12057JFLL
Microchip(美国微芯)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-227B-4
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APT12080JVFR
Microchip(美国微芯)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-227B-4
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APT17F120J
Microchip(美国微芯)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-227B-4
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APT19F100J
Microchip(美国微芯)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-227B-4
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APT19M120J
Microchip(美国微芯)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
封装SOT-227B-4
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-227B-4
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