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PDFN-8L 匹配型号
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已匹配 496 个型号
封装：PDFN-8L
封装：PDFN-8L
先缩小范围496 个匹配优先锁定封装、品牌或类目，再保存筛选条件。当前页现货22 行可推进建议先暂存数量明确、资料完整的型号。优先封装PDFN8L当前页 21 行同封装，适合先看替代与交期。品牌核对HUAYI(华羿微)当前页 18 行集中在该品牌，可先核品牌偏好。
当前页型号可先加入 BOM，业务人员会继续核对批号、包装、交期和最终报价。
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PDFN-8L 结果较多，先缩小范围
采购员通常先按品牌、封装或类目缩小，再把候选型号暂存到 BOM，能减少后续反复确认。
类目
品牌
封装 / 规格
库存1,005,000
理由优先核可发库存
库存180,668
理由优先核可发库存
库存75,000
理由优先核可发库存
HUAYI(华羿微) / HUAYI/华羿微PDFN8L
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价
HY15P03C2
HUAYI(华羿微)
HY15P03C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，10,000件现货，特性：- 30V/-60A，RDS(ON)= 4.8mΩ(典型值) @VGS = 10V。RDS(ON)= 6.8mΩ(典型值) @VGS = 4.5V。可靠耐用。提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：高频负载点同步降压转三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
10,000
询盘报价
HY1904C2
HUAYI(华羿微)
HY1904C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，35,000件现货，40V/65A RDSON = 5.1 mΩ（典型值）@ VGS = 10V；RDSON = 6.2 mΩ（典型值）@ VGS = 4.5V；经过100%雪崩测试；可靠耐用；提供无卤器件三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
35,000
询盘报价
HYG009N04LS1C2
HUAYI(华羿微)
HYG009N04LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，180,668件现货，40V/200A。RDS(ON) = 0.75mΩ（典型值）。在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 1.05mΩ（典型值）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
180,668
询盘报价
HYG011N04LS1C2
HUAYI(华羿微)
HYG011N04LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，5,000件现货，40V/165A。在VGS = 10V时，RDS(ON) = 1.1mΩ（典型值）。在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 1.5mΩ（典型值）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
5,000
询盘报价
HYG011N04LS2C2
HUAYI(华羿微)
HYG011N04LS2C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，1,005,000件现货，HYG011N04LS2C2三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
1,005,000
询盘报价
HYG013N03LS1C2
HUAYI(华羿微)
HYG013N03LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，51,840件现货，30V/150A。RDS(ON)=1.3mΩ（典型值），VGS=10V；RDS(ON)=2.0mΩ（典型值），VGS=4.5V。经过100%雪崩测试三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
51,840
询盘报价
HYG015N03LS1C2
HUAYI(华羿微)
HYG015N03LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，60,000件现货，MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
60,000
询盘报价
HYG015N04LS1C2
HUAYI(华羿微)
HYG015N04LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，20,000件现货，40V/150A。RDS(ON)=1.4mΩ（典型值）（VGS = 10V）。RDS(ON)=2.0mΩ（典型值）（VGS = 4.5V）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
20,000
询盘报价
HYG019N06LS1C2
HUAYI(华羿微)
HYG019N06LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，15,000件现货，特性：60V/210A-RDS(ON) = 1.6mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 100% 雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤器件（符合 RoHS 标准）。应用：高频负载点同步降压转换器。 电动工具应用三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
15,000
询盘报价
HYG025N06LS1C2
HUAYI(华羿微)
HYG025N06LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，25,100件现货，特性：60V/170A，RDS(ON) = 2.1mΩ (典型值) @ VGS = 4.5V，RDS(ON) = 3.2mΩ (典型值) @ VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
25,100
询盘报价
HYG026N03LS1C2
HUAYI(华羿微)
HYG026N03LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，20,000件现货，HYG026N03LS1C2三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
20,000
询盘报价
HYG030N03LQ1C2
HUAYI(华羿微)
HYG030N03LQ1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，15,000件现货，特性：30V/100A，RDS(ON) = 2.4mΩ（典型值），VGS = 10V；RDS(ON) = 3.5mΩ（典型值），VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件（符合RoHS标准）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
15,000
询盘报价
HYG035N08NS2C2
HUAYI(华羿微)
HYG035N08NS2C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，5,000件现货，特性：80V/105A。RDS(ON) = 2.8mΩ (typ.) @ VGS = 10V。100%雪崩测试。可靠耐用。有符合RoHS标准的无卤器件。应用：开关应用。逆变器系统的电源管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
5,000
询盘报价
HYG038N03LR1C2
HUAYI(华羿微)
HYG038N03LR1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，75,000件现货，特性：30V/84A，RDS(ON) = 3.3mΩ（典型值），VGS = 10V；RDS(ON) = 5.1mΩ（典型值），VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可选。应用：负载开关-三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
75,000
询盘报价
HYG045N03LA1C2
HUAYI(华羿微)
HYG045N03LA1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，15,000件现货，特性：30V/78A。 RDS(ON) = 3.6mΩ（典型值），VGS = 10V。 RDS(ON) = 4.8mΩ（典型值），VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 可提供无卤器件。应用：负载开三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
15,000
询盘报价
HYG090ND06LS1C2
HUAYI(华羿微)
HYG090ND06LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN56封装，47,740件现货，特性：60V/56A。 RDS(ON) = 8.0 mΩ（典型值） @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 12.2 mΩ（典型值） @ VGS = 4.5 V。 100% 雪崩测试。 可靠且耐用。 提供三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN56
47,740
询盘报价
HYG110P04LQ2C2
HUAYI(华羿微)
HYG110P04LQ2C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，50,780件现货，特性：40V / -55A。 RDS(on)=9.0 mΩ (典型值) @ VGS=-10V。 RDS(on)=13.0 mΩ (典型值) @ VGS=-4.5V。 100% 雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可供三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
50,780
询盘报价
HYG210P06LQ1C2
HUAYI(华羿微)
HYG210P06LQ1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，25,000件现货，特性：-60V/-40A。 RDS(ON) = 20mΩ (typ.)@VGS = -10V。 RDS(ON) = 20mΩ (typ.)@VGS = -4.8V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤环保器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
25,000
询盘报价
150N03NF-ES
ElecSuper(静芯)
150N03NF-ES，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8L封装，询盘确认库存，150N03NF-ES 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
询盘确认
询盘报价
PROCUREMENT CONTEXT
PDFN-8L 现货采购说明
本页展示可公开查询的电子元器件现货和资料库候选。采购人员可先核对品牌、封装、数量和资料入口，再统一提交 BOM 询价。
496匹配型号
5高频品牌
3封装规格
PDFN-8L 可以直接下单吗？
页面展示的是华芯购公开现货和可询型号。现货型号可先暂存、对比或加入 BOM，最终数量、批号、包装、交期和报价由业务人员确认后执行。
搜索到 496 个匹配型号后，怎样更快筛选？
建议继续按品牌、封装、类目和参数筛选；也可以保存筛选链接，后续回到会员中心或首页采购台继续核对。
没有完全匹配 PDFN-8L 时怎么办？
可以提交 BOM 或寻料需求，业务会按资料库候选、替代料、渠道库存和现货库存继续确认。
当前页型号能批量询价吗？
可以。当前页可将 HY15P03C2、HY1904C2、HYG009N04LS1C2、HYG009N06NS1C2 等型号加入 BOM 或采购暂存，集中确认数量与交期。