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HY15P03C2

HUAYI(华羿微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
现货可核批号 26+
封装PDFN8L 可供数量10,000
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
10,000
询盘报价
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HY1904C2

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
现货可核批号 26+
封装PDFN8L 可供数量35,000
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
35,000
询盘报价
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HYG009N04LS1C2

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
现货可核批号 26+
封装PDFN8L 可供数量180,668
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
180,668
询盘报价
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HYG009N06NS1C2

HUAYI/华羿微

PDFN8L封装
现货可核批号 26+
封装PDFN8L 可供数量50,000
现货库存
PDFN8L
50,000
询盘报价
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HYG011N04LS1C2

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
现货可核批号 25+
封装PDFN8L 可供数量5,000
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
5,000
询盘报价
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HYG011N04LS2C2

HUAYI(华羿微)

HYG011N04LS2C2
现货可核批号 26+
封装PDFN8L 可供数量1,005,000
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
1,005,000
询盘报价
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HYG013N03LS1C2

HUAYI(华羿微)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):150A
现货可核批号 26+
封装PDFN8L 可供数量51,840
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
51,840
询盘报价
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HYG015N03LS1C2

HUAYI(华羿微)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):130A
现货可核批号 25+
封装PDFN8L 可供数量60,000
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
60,000
询盘报价
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HYG015N04LS1C2

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
现货可核批号 26+
封装PDFN8L 可供数量20,000
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
20,000
询盘报价
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HYG019N06LS1C2

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
现货可核批号 25+
封装PDFN8L 可供数量15,000
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
15,000
询盘报价
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HYG025N06LS1C2

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
现货可核批号 26+
封装PDFN8L 可供数量25,100
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
25,100
询盘报价
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HYG026N03LS1C2

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
现货可核批号 26+
封装PDFN8L 可供数量20,000
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
20,000
询盘报价
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HYG030N03LQ1C2

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
现货可核批号 25+
封装PDFN8L 可供数量15,000
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
15,000
询盘报价
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HYG035N08NS2C2

HUAYI(华羿微)

漏源电压(Vdss):80V · 连续漏极电流(Id):105A
现货可核批号 25+
封装PDFN8L 可供数量5,000
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
5,000
询盘报价
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HYG037N04LR1C2

华羿微电

PDFN8L封装
现货可核批号 26+
封装PDFN8L 可供数量50,000
现货库存
PDFN8L
50,000
询盘报价
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HYG038N03LR1C2

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
现货可核批号 26+
封装PDFN8L 可供数量75,000
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
75,000
询盘报价
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HYG045N03LA1C2

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
现货可核批号 25+
封装PDFN8L 可供数量15,000
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
15,000
询盘报价
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HYG045P03LQ2C2

HUAYI/华羿微

PDFN8L封装
现货可核批号 26+
封装PDFN8L 可供数量40,000
现货库存
PDFN8L
40,000
询盘报价
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HYG090ND06LS1C2

HUAYI(华羿微)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
现货可核批号 2445+,25+
封装PDFN56 可供数量47,740
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN56
47,740
询盘报价
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HYG110P04LQ2C2

HUAYI(华羿微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
现货可核批号 26+
封装PDFN8L 可供数量50,780
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
50,780
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HYG180ND10LS1C2

华羿微电

PDFN8L封装
现货可核批号 26+
封装PDFN8L 可供数量50,000
现货库存
PDFN8L
50,000
询盘报价
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HYG210P06LQ1C2

HUAYI(华羿微)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):40A
现货可核批号 26+
封装PDFN8L 可供数量25,000
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
25,000
询盘报价
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