公开现货
L=4.4mm 现货结果
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封装：L=4.4mm
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品牌：
封装：
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型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价
LTE-302
LITEON(光宝)
正向压降(Vf):1.2V · 耗散功率(Pd):75mW
封装L=4.4mm
可供数量询盘确认
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光电器件 / 红外发射管
L=4.4mm
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LTR-301
LITEON(光宝)
晶体管类型:NPN · 集射极击穿电压(Vceo):30V
封装L=4.4mm
可供数量询盘确认
报价方式询盘报价
光电器件 / 光电晶体管
L=4.4mm
询盘确认
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QEE113
onsemi(安森美)
正向压降(Vf):1.5V · 耗散功率(Pd):100mW
封装L=4.4mm
可供数量询盘确认
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光电器件 / 红外发射管
L=4.4mm
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QEE113E3R0
onsemi(安森美)
正向压降(Vf):1.5V · 波长:940nm
封装L=4.4mm
可供数量询盘确认
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光电器件 / 红外发射管
L=4.4mm
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还有 5 个型号需要时再展开完整结果展开
QEE122
onsemi(安森美)
正向压降(Vf):1.7V · 波长:880nm
封装L=4.4mm
可供数量询盘确认
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光电器件 / 红外发射管
L=4.4mm
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QEE123
onsemi(安森美)
正向压降(Vf):1.7V · 耗散功率(Pd):100mW
封装L=4.4mm
可供数量询盘确认
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光电器件 / 红外发射管
L=4.4mm
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QSE113
onsemi(安森美)
晶体管类型:NPN · 集射极击穿电压(Vceo):30V
封装L=4.4mm
可供数量询盘确认
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光电器件 / 光电晶体管
L=4.4mm
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QSE114
onsemi(安森美)
晶体管类型:NPN · 集射极击穿电压(Vceo):30V
封装L=4.4mm
可供数量询盘确认
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光电器件 / 光电晶体管
L=4.4mm
询盘确认
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