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DFN-3x3-8L 现货库存

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30P03D

UMW(友台半导体)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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AON3419-MS

MSKSEMI(美森科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3x3-8L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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AON3611-MS

MSKSEMI(美森科)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3x3-8L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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AON7401-MS

MSKSEMI(美森科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3x3-8L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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AON7422E-MS

MSKSEMI(美森科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3x3-8L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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AON7430-MS

MSKSEMI(美森科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3x3-8L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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AON7506-MS

MSKSEMI(美森科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3x3-8L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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AON7544(XBLW)

XBLW(芯伯乐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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AONR21357(XBLW)

XBLW(芯伯乐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
询盘确认可单次提交
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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AONR36366-MS

MSKSEMI(美森科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
询盘确认可单次提交
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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AONR36368-MS

MSKSEMI(美森科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
询盘确认可单次提交
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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AP60N04DF

APM(永源微电子)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
询盘确认可单次提交
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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BRCS060N03YB

BLUE ROCKET(蓝箭)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3x3-8L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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BUK7M12-60E

Leiditech(雷卯电子)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3x3-8L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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DMN6013LFGQ

Leiditech(雷卯电子)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3x3-8L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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FDMC510P-MS

MSKSEMI(美森科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3x3-8L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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FH8838BG3

鑫飞宏

漏源电压(Vdss):18V · 连续漏极电流(Id):22A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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G10P03

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装DFN-3x3-8L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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G120N03D3

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3x3-8L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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G170P03D3

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3x3-8L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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G18P03D3

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3x3-8L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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G200P04D3

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3x3-8L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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G2K2P10D3E

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3x3-8L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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G300P06D3

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):28A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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