MSKSEMI(美森科) 电子元器件现货与BOM询价

库存133,500

NTS4001NT1G，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-323封装，90,000件现货，特性：30V, 300mA, RDS(ON) = 1Ω @VGS = 10V。改善的dv/dt能力。快速开关。有环保器件。应用：笔记本电脑。负载开关

NTS4001NT1G

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封装SOT-323

库存90,000

FDV303N，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，30,000件现货，这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

FDV303N

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库存30,000

FDD5614P，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，16,500件现货，P-Channel增强模式功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

FDD5614P

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封装TO-252

库存16,500

ESD5451N-MS，MSKSEMI(美森科)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-1006-2封装，询盘确认库存，峰值脉冲功率（tp=8/20s）(PPP):80W 钳位电压（VC): 10V 工作电压（VRWM）:5V 反向峰值脉冲电流(IPP):8A 最小击穿电压VBR）:5.6V-8.4V 结电容（CJ）:15P

ESD5451N-MS

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SS34-MS，MSKSEMI(美森科)，二极管 > 肖特基二极管，SMA封装，询盘确认库存，此款肖特基二极管采用SMA封装，他具有更低的正向压降，更快的开关速度和更高的反向耐压能力，最大正向电流高达3A,被广泛应用于广泛应用于DC-DC转换器、电压钳位、保护电路（如ESD保护）、电池充电电路、脉冲电路、以及各种电子设备中的信号线保护等。

SS34-MS

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封装SMA

ZMM5V1-MS

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ZMM5V1-MS，MSKSEMI(美森科)，二极管 > 稳压二极管，LL-34封装，询盘确认库存，此款稳压二极管采用LL34圆柱封装，他具备Vznom为5.1V，因其可靠性和灵活性，在多个行业和应用中扮演关键角色，包括但不限于消费电子、通信设备、计算机外设、工业控制、医疗设备及汽车电子等领域

封装LL-34

TL431A-MS

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TL431A-MS，MSKSEMI(美森科)，电源管理 > 电压基准芯片，SOT-23封装，询盘确认库存，TL431A-MS 是具有特定热稳定性的三端可调并联稳压器。输出电压可设置为 Vref（约 2V）至 36V 之间的任意值。

ESD5Z5.0T1G-MS，MSKSEMI(美森科)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOD-523封装，询盘确认库存，特性：小外形尺寸。低本体高度。截止电压：2.5V-12V。峰值功率高达200瓦（8x20μs脉冲）。低泄漏。响应时间通常 < 1 ns。应用：手机。便携式设备

ESD5Z5.0T1G-MS

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ESD5Z3.3T1G-MS，MSKSEMI(美森科)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOD-523封装，询盘确认库存，特性：小外形尺寸。低本体高度。截止电压：2.5V-12V。峰值功率高达200瓦（8x20μs脉冲）。低泄漏。响应时间通常 < 1 ns。应用：手机。便携式设备

ESD5Z3.3T1G-MS

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SMF5.0CA-MS，MSKSEMI(美森科)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOD-123FL封装，询盘确认库存，TVS管@@反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压：6.4V 最大钳位电压：9.2V封装SOD-123FL双向

SMF5.0CA-MS

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SOD4007-MS，MSKSEMI(美森科)，二极管 > 通用二极管，SOD-123FL封装，询盘确认库存，此款SOD-123FL封装4007整流二极管，他能完美的处理最大1安培的连续正向电流和稳定的反向耐压，确保在PCB板上能稳定运行，被广泛应用于适用于各种电源整流、简单电压调节、保护电路以及桥式整流电路等，特别是在需要小体积、高密度组装的电子产品中。

SOD4007-MS

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SS24-MS，MSKSEMI(美森科)，二极管 > 肖特基二极管，SMA封装，询盘确认库存，特性：塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级。适用于表面贴装应用。低反向泄漏。内置应力消除功能，适合自动化贴装。高正向浪涌电流能力。保证高温焊接：引脚在250℃下可承受10秒

SS24-MS

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封装SMA

BV05C-MS

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BV05C-MS，MSKSEMI(美森科)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOD-323封装，询盘确认库存，AC

封装SOD-323

XC6206P332MR-MS，MSKSEMI(美森科)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-23封装，询盘确认库存，是高精度、低功耗的三端正电压调节器，采用CMOS和激光微调技术制造。该系列可提供大电流，且压降非常小。由限流器电路、驱动晶体管、精密参考电压和误差校正电路组成，与低ESR陶瓷电容兼容。限流器的折返电路可作为短路保护和输出引脚的输出电流

XC6206P332MR-MS

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RT9013-33GB-MS，MSKSEMI(美森科)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-23-5封装，询盘确认库存，输出类型：固定输出极性：正最大输入电压：5.5V 输出电压：3.3V 输出电流：500mA 电源纹波抑制比(PSRR)：75dB@(1kHz)后面-MS代表品牌

RT9013-33GB-MS

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封装SOT-23-5

PESD0402MS05-MS，MSKSEMI(美森科)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，0402封装，询盘确认库存，高分子ESD,双向：VDC：5V低容值0.05PF,快速响应时间1ns,广泛应用于USB 3.0/3.1、HDMI 1.3/ 1.4/2.0、RF射频天线型号后面-MS代表品牌

PESD0402MS05-MS

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封装0402

RT9193-33GB-MS，MSKSEMI(美森科)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-23-5封装，询盘确认库存，Vin=8V(Max)，极低的关断电流Typ.=1ua;高精度2%，广泛用于电池供电设备，安防摄像头，蓝牙设备及车载导航系统等

RT9193-33GB-MS

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封装SOT-23-5

TP4056-MS，MSKSEMI(美森科)，电源管理 > 电池管理，SOP-8-EP封装，询盘确认库存，电池管理@@输入电源电压（VCC）：-0.3V~9V;高达 1000mA 的可编程充电电流;恒定电流/恒定电压;锂电池正负极反接保护;待机模式下的供电电流为 70uA;2.9V涓流充电;软启动限制了浪涌电流;采用 8 引脚带散热片 ESOP 封装;精度达

TP4056-MS

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封装SOP-8-EP

SK34

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SK34，MSKSEMI(美森科)，二极管 > 肖特基二极管，SMA封装，询盘确认库存，此款肖特基二极管采用SMA封装，他具有更低的正向压降，更快的开关速度和更高的反向耐压能力，最大正向电流高达3A,被广泛应用于广泛应用于DC-DC转换器、电压钳位、保护电路（如ESD保护）、电池充电电路、脉冲电路、以及各种电子设备中的信号线保护等。

封装SMA

RCLAMP0524P.TCT-MS

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RCLAMP0524P.TCT-MS，MSKSEMI(美森科)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SLP2510-8封装，询盘确认库存，特性：IEC 61000-4-2 4级ESD保护：接触放电 ±12kV，空气放电 ±17kV。 IEC 61000-4-4 EFT保护：40A (5/50ns)。 IEC 61000-4-5浪涌

封装SLP2510-8

MC34063，MSKSEMI(美森科)，电源管理 > DC-DC电源芯片，SOP-8封装，询盘确认库存，MC34063是一款单片DC-DC变换集成电路,内含温度补偿的参考电压源、比较器、振荡器、驱动器及大电流输出开关管等。它的工作电压范围宽（3.0V~40V）,具有输出电流限制功能,输出电压可调,工作频率可达100kHz,采用DIP8和SOP8封装。

MC34063

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分类电源管理 > DC-DC电源芯片

SS56，MSKSEMI(美森科)，二极管 > 肖特基二极管，SMA封装，询盘确认库存，特性：适用于表面贴装应用。易于拾取和放置。内置应力消除。低正向压降

SS56

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封装SMA

SS14-MS

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SS14-MS，MSKSEMI(美森科)，二极管 > 肖特基二极管，SMA封装，询盘确认库存，特性：塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。适用于表面贴装应用。金属硅结，多数载流子传导。低功率损耗，高效率。内置应力释放，适合自动化贴装。高正向浪涌电流能力。保证250℃/10秒高温焊接

封装SMA

SS510C

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SS510C，MSKSEMI(美森科)，二极管 > 肖特基二极管，SMC封装，询盘确认库存，特性：适用于表面贴装应用。易于拾取和放置。内置应力消除。低正向压降

封装SMC

JRC4558

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JRC4558，MSKSEMI(美森科)，运算放大器/比较器 > 运算放大器，SOP-8封装，询盘确认库存，双路低功耗的差分式运算放大器，可以单电源或双电源供电,低功耗：典型值 500uA@VCC=5V,共模抑制比90dB

分类运算放大器/比较器 > 运算放大器

AO3401CI-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，询盘确认库存，AO3401CI - MS 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。AO3401CI - MS 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功

AO3401CI-MS

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P0080FA-MS，MSKSEMI(美森科)，TVS/保险丝/板级保护 > 半导体放电管(TSS)，SOD-123FL封装，询盘确认库存，P008A

P0080FA-MS

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分类TVS/保险丝/板级保护 > 半导体放电管(TSS)

AO3400A-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，询盘确认库存，特性：30V, 5.8 A, RDS(ON) = 20mΩ@VGS = 10V。改进的dv/dt能力。快速开关。有绿色环保器件可供选择。适用于2.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关

AO3400A-MS

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MTLP521-1GB(SOP)，MSKSEMI(美森科)，光耦 > 晶体管输出光耦，SMD-4P封装，询盘确认库存，MTLP521-1XX(DIP)/MTLP521-1XX(SOP)是可控制的光电藕合器件，电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。四引脚封装，两种形式（DIP-4、SMD-4P）。

MTLP521-1GB(SOP)

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封装SMD-4P

RCLAMP0521P.TCT-MS

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RCLAMP0521P.TCT-MS，MSKSEMI(美森科)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，0402封装，询盘确认库存，RCLAMP0521P.TCT丝印N ESD静电管

封装0402

MMBT3904T-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，SOT-523封装，询盘确认库存，特性：与MMBT3906T互补。小封装。标记：1N

MMBT3904T-MS

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分类三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)

封装SOT-523

RZ7899-MS，MSKSEMI(美森科)，电机驱动芯片 > 有刷直流电机驱动芯片，SOP-8封装，询盘确认库存，DC双向马达驱动芯片，采用SOP8封装，具备最大输出电流6A,工作电压3.0-30V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能等。因其卓越的性能，被广泛应用于机器人、无人机、智能家居设备、电动工具、个人移动设

RZ7899-MS

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分类电机驱动芯片 > 有刷直流电机驱动芯片

MSDB628，MSKSEMI(美森科)，电源管理 > DC-DC电源芯片，SOT-23-6封装，询盘确认库存，MSDB628 是一款常频、6引脚SOT23封装的电流模式升压转换器,适用于小型低功耗应用。该器件以1.2MHz的频率切换,允许使用高度不超过2mm的小型低成本电容器和电感器。内部软启动功能减少了浪涌电流并延长了电池寿命。MSDB628 在轻负载时

MSDB628

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分类电源管理 > DC-DC电源芯片

封装SOT-23-6

PRTR5V0U2X-MS，MSKSEMI(美森科)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOT-143封装，询盘确认库存，WR1

PRTR5V0U2X-MS

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封装SOT-143

RZ7889-MS，MSKSEMI(美森科)，电机驱动芯片 > 有刷直流电机驱动芯片，SOP-8封装，询盘确认库存，此款DC双向马达驱动芯片，采用SOP8封装，最大输出电流5A,工作电压3.0-18V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能，能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等，可应用于电动玩具、安防设备、家用电

RZ7889-MS

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分类电机驱动芯片 > 有刷直流电机驱动芯片

PESD0603MS28-MS，MSKSEMI(美森科)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，0603封装，询盘确认库存，ESD管@@VDC：28V VC:40V CJ容值：0.05PF封装：0603可应用于 USB3.0 HDMI RF等设备,后面-MS代表品牌

PESD0603MS28-MS

MSKSEMI(美森科)

封装0603

MS50N06，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-2封装，询盘确认库存，这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供出色的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

MS50N06

MSKSEMI(美森科)

封装TO-252-2

1SMA4747A-MS，MSKSEMI(美森科)，二极管 > 稳压二极管，DO-214AC封装，询盘确认库存，MS代表品牌

1SMA4747A-MS

MSKSEMI(美森科)

封装DO-214AC

B340B-13-F(MS)

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B340B-13-F(MS)，MSKSEMI(美森科)，二极管 > 肖特基二极管，SMB封装，询盘确认库存，此款肖特基采用SMB封装,他具备正向压降(Vf)：0.55V@3A,直流反向耐压(Vr):40V平均整流电流(Io):3A适用于各种需要高效能电源转换、高频信号处理、电池充电保护、以及任何需要快速响应和低功耗特性的电路设计，强劲的性能满足你的电路设计需

封装SMB

CAT811STBI-GT3-MS

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CAT811STBI-GT3-MS，MSKSEMI(美森科)，电源管理 > 监控和复位芯片，SOT-143封装，询盘确认库存，此款复位芯片，采用SOT-143封装，阈值电压：2.93V低功耗，低电平，广泛用于便携式音频设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和高端音频播放器等

封装SOT-143

TP4057-MS

MSKSEMI(美森科)

TP4057-MS，MSKSEMI(美森科)，电源管理 > 电池管理，SOT-23-6封装，询盘确认库存，电池管理@@输入电源电压（VCC）：0V～9V；兼容 20mA-600mA 的可编程充电电流；VIN=0V，BAT 端漏电流<0.1uA；精度达到±1%的 4.2V 预设充电电压自动再充电；2 个充电状态开漏输出引脚，红绿灯指示0.15C 充电终止；待机

封装SOT-23-6

SM712-02HTG

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SM712-02HTG，MSKSEMI(美森科)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOT-23封装，询盘确认库存，峰值脉冲功率（tp=8/20μs）(PPP):500W 最大峰值脉冲电流（tp=8/20us）(IPP):20A 峰值反向工作电压(VRWM):7V-12V 击穿电压(VBR):8V-13.3V 钳位电压（VC）:

1SMA4772A-MS，MSKSEMI(美森科)，二极管 > 稳压二极管，DO-214AC封装，询盘确认库存，MS代表品牌

1SMA4772A-MS

MSKSEMI(美森科)

封装DO-214AC

MTLP521-1GB(DIP)

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MTLP521-1GB(DIP)，MSKSEMI(美森科)，光耦 > 晶体管输出光耦，DIP-4封装，询盘确认库存，MTLP521-1XX(DIP)/MTLP521-1XX(SOP)是可控制的光电藕合器件，电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。四引脚封装，两种形式（DIP-4、SMD-4P）。

封装DIP-4

F7(MS)

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F7(MS)，MSKSEMI(美森科)，二极管 > 快恢复/高效率二极管，SOD-123FL封装，询盘确认库存，特性：适用于表面贴装应用。易于拾取和放置。内置应力释放。快速开关速度

分类二极管 > 快恢复/高效率二极管

ESD5Z2.5T1G-MS，MSKSEMI(美森科)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOD-523封装，询盘确认库存，特性：小外形尺寸。低本体高度。截止电压：2.5V-12V。峰值功率高达200瓦（8x20μs脉冲）。低泄漏。响应时间通常 < 1 ns。应用：手机。便携式设备

ESD5Z2.5T1G-MS

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LESD5D5.0CT1G-MS，MSKSEMI(美森科)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOD-523封装，询盘确认库存，特性：小外形尺寸。低本体高度。 8 x 20 μs脉冲下峰值功率高达200瓦。低泄漏电流。响应时间通常 < 1 ns。人体模型静电放电等级为3级（>16 kV）。应用：手机。便携式设备

LESD5D5.0CT1G-MS

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LM1117S-3.3(MS)，MSKSEMI(美森科)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-223封装，询盘确认库存，是一系列低压差三端稳压器，在1A负载电流下压差为1.3V。与竞争对手的5mA相比，待机电流非常低，仅为2mA。除了固定版本（输出电压为1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、2.85V、3.3V和5V）外，还有一个可调版本，仅需两个

LM1117S-3.3(MS)

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封装SOT-223

MMBT3904-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，SOT-23封装，询盘确认库存，特性：与MMBT3906-MS互补

MMBT3904-MS

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分类三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)

BTR06D3-MS，MSKSEMI(美森科)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，0603封装，询盘确认库存，直流电压DC：12V，结电容：3PF 描述：此款消费型ESD适用于低压和高速数据传输的应用场景，便携式媒体播放器、GPS设备、数码相机、移动电话

BTR06D3-MS

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封装0603

P6SMB24CA(MS)，MSKSEMI(美森科)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DO-214AA封装，询盘确认库存，特性：适用于表面贴装应用，以优化电路板空间。低外形封装。内置应力消除。玻璃钝化结。低电感。优异的钳位能力。应用：I/O接口。 AC/DC电源

P6SMB24CA(MS)

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封装DO-214AA

MRA4003T3G-MS，MSKSEMI(美森科)，二极管 > 通用二极管，SMA封装，询盘确认库存，MRA4003T3G一款整流二极管，采用SMA封装，峰值反向电压VRRM：300V，平均正向电流IF：1A，具有高耐压、高温的特性，广泛应用于：AC-DC 转换器和适配器、电机控制电路、电感性负载的截波保护、高压电路的过压保护等领域,-MS是品牌

MRA4003T3G-MS

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封装SMA

SURGE04B03-MS

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SURGE04B03-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，0402封装，询盘确认库存，直流电压(VDC)12V 典型电容值（C）：1PF 钳位电压（VC）:200V

分类三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

封装0402

ESD5451N-2-MS，MSKSEMI(美森科)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-1006-2L封装，询盘确认库存，ESD管峰值脉冲功率（tp=8/20s）(PPP):80W 钳位电压（VC): 10V 工作电压（VRWM）:5V 反向峰值脉冲电流(IPP):7A 最小击穿电压VBR）:5.6V-8.4V 结电容

ESD5451N-2-MS

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PESD5V0S1BB-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOD-523封装，询盘确认库存，功耗（PD）:150mW IPP:4A 钳位电压（VC): 12V 工作电压（VRWM）:5V 击穿电压VBR）:5.6V-7.8V 结电容（CJ）:15PF

PESD5V0S1BB-MS

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分类三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

DS18B20-MS，MSKSEMI(美森科)，传感器 > 温度传感器，TO-92封装，询盘确认库存，传感器可编程、一导线数字温度传感器，工作电压：3.0V~5.5V DS18B20

DS18B20-MS

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封装TO-92

662K-MS

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662K-MS，MSKSEMI(美森科)，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-23封装，询盘确认库存，此款LDO线性稳压器，具有稳定的3.3V输出电压及0.3A电流承载能力，在8V最大输入电压下表现优异。设计紧凑且高效，专为低功耗电子设备打造，确保提供精准、可靠的电源转换和稳压功能，是各类嵌入式系统和小型化应用的理想解决方案。

LNZ8F18VT5G-MS，MSKSEMI(美森科)，二极管 > 稳压二极管，SOD-882封装，询盘确认库存，这一系列齐纳二极管采用SOD-882表面贴装封装。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

LNZ8F18VT5G-MS

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封装SOD-882

SMF15CA-MS

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SMF15CA-MS，MSKSEMI(美森科)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOD-123FL封装，询盘确认库存，TVS管@@反向截止电压(Vrwm)：15V 击穿电压：16.7V 最大钳位电压：24.4V 封装SOD-123FL双向