封装现货

TO-263AB 封装现货型号与清单询价

围绕 TO-263AB 封装聚合公开现货和可询型号，方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 306 个公开可查询型号。

进入实时筛选候选转清单对比前 5 个查看现货
306匹配型号 8常见品牌 8相关分类
按品牌继续
onsemi(安森美)21DIODES(美台)15Vishay(威世)12Power Integrations(帕沃英蒂格盛)10TI(德州仪器)8Taiwan Semiconductor(台湾半导体)7ROHM(罗姆)4DIOTEC(德欧泰克)1
按分类继续
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块26二极管 > 超势垒整流器(SBR)12二极管 > 快恢复/高效率二极管11二极管 > 通用二极管11二极管 > 肖特基二极管8三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块7二极管 > 碳化硅二极管3二极管 > 开关二极管1
常用动作
批量转清单实时筛选候选对比
封装核对TO-263AB 只代表封装识别入口，正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。

同封装核对

TO-263AB 同封装兼容说明

同封装只代表初筛入口，不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。

同封装对比 候选转清单 查看现货
完整MPN

先用原型号和候选型号做一对一比对，避免只拿封装名替代完整型号。

引脚/尺寸

核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。

关键参数

电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。

制造商PDF

以官方 PDF 和修订版本为准，页面资料只作为采购初筛入口。

数量交期

同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。

不可放宽

把不能替代的参数写入清单备注，减少业务和工程反复确认。

样本候选
SCS212AJTLLROHM(罗姆) · TO-263AB转清单MBRB10150CT-13DIODES(美台) · TO-263AB转清单SBR3060CTB-13DIODES(美台) · TO-263AB转清单

购物路径

TO-263AB 封装购物路径

把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。

品牌onsemi(安森美) / DIODES(美台) / Vishay(威世) / Power Integrations(帕沃英蒂格盛) 封装TO-263AB
01

进入实时筛选

按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。

02

保留候选型号

把优先样本带入对比或清单，避免从搜索入口反复重新查找。

03

统一核价

业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。

04

资料复核

采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。

进入实时筛选 对比前 4 个 候选转清单 提交TO-263AB 封装需求
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

SCS212AJTLL

ROHM(罗姆)

SCS212AJTLL，ROHM(罗姆)，二极管 / 碳化硅二极管，TO-263AB封装，16,608件现货，SCS212AJTLL
二极管 > 碳化硅二极管
TO-263AB
16,608
询盘报价
查看详情 >

MBRB10150CT-13

DIODES(美台)

MBRB10150CT-13，DIODES(美台)，二极管 / 肖特基二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，电压:150V 电流:5A
二极管 > 肖特基二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

SBR3060CTB-13

DIODES(美台)

SBR3060CTB-13，DIODES(美台)，二极管 / 超势垒整流器(SBR)，TO-263AB封装，询盘确认库存，特性：低正向电压降。 低漏电流。 出色的高温稳定性。 专利超级势垒整流器技术 (SBR)。 软、快速开关能力。 +150°C 工作结温。 无铅涂层；符合 RoHS 标准
二极管 > 超势垒整流器(SBR)
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

SDT60100CTB-13

DIODES(美台)

SDT60100CTB-13，DIODES(美台)，二极管 / 肖特基二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，电压:100V 电流:30A
二极管 > 肖特基二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

SBR40U200CTB-13

DIODES(美台)

SBR40U200CTB-13，DIODES(美台)，二极管 / 超势垒整流器(SBR)，TO-263AB封装，询盘确认库存，SBR40U200CTB-13
二极管 > 超势垒整流器(SBR)
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

ISL9V5036S3ST

onsemi(安森美)

ISL9V5036S3ST，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，ISL9V5036S3S、ISL9V5036P3 和 ISL9V5036S3 是下一代 IGBT，提供卓越的 SCIS 能力，采用 D-Pak (TO-263) 和 TO-220 塑料封装。此类器件适用于汽车点火电路，尤其适
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

VS-15ETX06S-M3

Vishay(威世)

VS-15ETX06S-M3，Vishay(威世)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，VS-15ETX06S-M3
二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

VS-25TTS12STRL-M3

Vishay(威世)

VS-25TTS12STRL-M3，Vishay(威世)，三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，VS-25TTS12STRL-M3
三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

VS-25TTS12S-M3

Vishay(威世)

VS-25TTS12S-M3，Vishay(威世)，三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，VS-25TTS.S-M3 高压系列可控硅整流器专为中功率开关和相位控制应用而设计。所采用的玻璃钝化技术可在高达 125°C 的结温下可靠运行。
三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

MBRS20H200CT

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

MBRS20H200CT，Taiwan Semiconductor(台湾半导体)，二极管 / 肖特基二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，MBRS20H200CT
二极管 > 肖特基二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

VS-16TTS12STRL-M3

Vishay(威世)

VS-16TTS12STRL-M3，Vishay(威世)，三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，VS-16TTS12STRL-M3
三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

VS-25TTS16STRL-M3

Vishay(威世)

VS-25TTS16STRL-M3，Vishay(威世)，三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，VS-25TTS16STRL-M3
三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

VS-16TTS08S-M3

Vishay(威世)

VS-16TTS08S-M3，Vishay(威世)，三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，VS-16TTS08S-M3
三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

SBR30A45CTB-13

DIODES(美台)

SBR30A45CTB-13，DIODES(美台)，二极管 / 超势垒整流器(SBR)，TO-263AB封装，询盘确认库存，SBR30A45CTB-13
二极管 > 超势垒整流器(SBR)
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

SCS210AJTLL

ROHM(罗姆)

SCS210AJTLL，ROHM(罗姆)，二极管 / 碳化硅二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，SCS210AJTLL
二极管 > 碳化硅二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

VS-HFA06TB120S-M3

Vishay(威世)

VS-HFA06TB120S-M3，Vishay(威世)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，VS-HFA06TB120S-M3
二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

VS-20CTH03S-M3

Vishay(威世)

VS-20CTH03S-M3，Vishay(威世)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，超快速恢复整流器，具有正向压降和超快速恢复时间的优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。极低的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗，并减少开关元件和缓冲器的过耗散。
二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

FGB3040G2-F085

onsemi(安森美)

FGB3040G2-F085，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，N 沟道点火 IGBT，用于汽车点火线圈驱动器电路和插头应用上的线圈。
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

VS-25TTS08STRL-M3

Vishay(威世)

VS-25TTS08STRL-M3，Vishay(威世)，三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，VS-25TTS08STRL-M3
三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

LQA40B200C

Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

LQA40B200C，Power Integrations(帕沃英蒂格盛)，二极管 / 通用二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，该器件在所有200V硅二极管中具有最低的反向恢复电荷（QRR）。其恢复特性可提高效率、降低电磁干扰并消除缓冲器。
二极管 > 通用二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

HGT1S10N120BNS

onsemi(安森美)

HGT1S10N120BNS，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S10N120BNST 基于无通冲孔 (NPT) IGBT 设计。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

SBR30A45CTBQ-13

DIODES(美台)

SBR30A45CTBQ-13，DIODES(美台)，二极管 / 超势垒整流器(SBR)，TO-263AB封装，询盘确认库存，这些超级势垒整流器 (SBR) 二极管旨在满足汽车应用的严格要求。它们非常适合用作极性保护二极管、续流二极管和开关二极管。
二极管 > 超势垒整流器(SBR)
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

RS1608E-CW

RICKY

RS1608E-CW，RICKY，三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，应用：吸尘器、电动工具等马达调速控制器。固态继电器。加热控制器（调温）。其它相控电路
三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

SBR10100CTB-13

DIODES(美台)

SBR10100CTB-13，DIODES(美台)，二极管 / 超势垒整流器(SBR)，TO-263AB封装，询盘确认库存，提供极低的正向电压（VF），并在高温下具有出色的反向泄漏稳定性。适用于作为整流器、续流二极管或阻塞二极管。
二极管 > 超势垒整流器(SBR)
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

SBR20A200CTB

DIODES(美台)

SBR20A200CTB，DIODES(美台)，二极管 / 超势垒整流器(SBR)，TO-263AB封装，询盘确认库存，提供极低的VF和高温下出色的反向泄漏稳定性。适用于作为整流器、续流二极管或阻塞二极管。
二极管 > 超势垒整流器(SBR)
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

SBR10200CTB-13-G

DIODES(美台)

SBR10200CTB-13-G，DIODES(美台)，二极管 / 超势垒整流器(SBR)，TO-263AB封装，询盘确认库存，特性：优异的高温稳定性。 专利超级势垒整流器技术（SBR）。 软、快速开关能力。 TO263AB（D2PAK）封装。 无铅涂层，符合RoHS标准。 提供“绿色”封装：TO263AB（D2PAK）。 无铅涂层，符合RoHS标准。 无卤
二极管 > 超势垒整流器(SBR)
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

ISL9V3040S3ST

onsemi(安森美)

ISL9V3040S3ST，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，ISL9V3040D3S、ISL9V3040S3S、ISL9V3040P3 和 ISL9V3040S3 为下一代点火 IGBT，提供了卓越的 SCIS 功能，采用节省空间的 D-Pak (TO-252)、以及行业标准 D-P
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

SBR40U200CTB

DIODES(美台)

SBR40U200CTB，DIODES(美台)，二极管 / 超势垒整流器(SBR)，TO-263AB封装，询盘确认库存，特性：超低正向压降。 低漏电流。 优异的高温稳定性。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 无铅表面处理；符合RoHS标准。 无卤素和锑。“绿色”器件。 也提供绿色模塑化合物版本
二极管 > 超势垒整流器(SBR)
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

SBR10100CTB

DIODES(美台)

SBR10100CTB，DIODES(美台)，二极管 / 超势垒整流器(SBR)，TO-263AB封装，询盘确认库存，提供极低的正向电压（VF），并在高温下具有出色的反向泄漏稳定性。适用于作为整流器、续流二极管或阻塞二极管。
二极管 > 超势垒整流器(SBR)
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

VS-MURB2020CTL-M3

Vishay(威世)

VS-MURB2020CTL-M3，Vishay(威世)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，MUR..系列是先进的超快恢复整流器，专门设计用于优化正向压降和超快恢复时间的性能。平面结构和铂掺杂寿命控制，保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件旨在用于开关电源、不间断电源、DC/DC转换器的输出整流级，以及低压逆变器和
二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

SBR1040CTB

DIODES(美台)

SBR1040CTB，DIODES(美台)，二极管 / 超势垒整流器(SBR)，TO-263AB封装，询盘确认库存，特性：出色的高温稳定性。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 无铅表面处理，符合RoHS标准。 也有绿色模塑料版本
二极管 > 超势垒整流器(SBR)
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

SBR20A300CTB

DIODES(美台)

SBR20A300CTB，DIODES(美台)，二极管 / 超势垒整流器(SBR)，TO-263AB封装，询盘确认库存，Super Barrier Rectifier系列旨在满足商业应用的一般要求。这些器件非常适合用作极性保护二极管、再循环二极管、升压二极管、阻塞二极管。
二极管 > 超势垒整流器(SBR)
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

2SCR586JGTLL

ROHM(罗姆)

2SCR586JGTLL，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-263AB封装，询盘确认库存，NPN 电流:5A 电压:80V
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

ISL9V5045S3ST-F085

onsemi(安森美)

ISL9V5045S3ST-F085，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，ISL9V5045S3ST_F085 是下一代 IGBT，提供卓越的 SCIS 能力，采用 D2-Pak (TO-263) 塑料封装。此器件适用于汽车点火电路，尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供了电压箝位，而无
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

LQA40B150C

Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

LQA40B150C，Power Integrations(帕沃英蒂格盛)，二极管 / 通用二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，该器件是所有150V硅二极管中反向恢复电荷（QRR）最低的。其恢复特性可提高效率、降低电磁干扰并消除缓冲器。
二极管 > 通用二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

LXA04B600

Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

LXA04B600，Power Integrations(帕沃英蒂格盛)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，该器件在所有600 V硅二极管中具有最低的反向恢复电荷（QRR）。其恢复特性可提高效率、降低电磁干扰（EMI）并无需缓冲器。
二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

MBR3060CGD

LGE(鲁光)

MBR3060CGD，LGE(鲁光)，二极管 / 肖特基二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，特性：高浪涌容量。 用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 金属硅结，多数载流子传导。 高电流容量，低正向压降。 用于过压保护的保护环
二极管 > 肖特基二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

LQA12B300C

Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

LQA12B300C，Power Integrations(帕沃英蒂格盛)，二极管 / 肖特基二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，此设备在所有300V硅二极管中具有最低的反向恢复电荷（QRR）。其恢复特性可提高效率、减少电磁干扰并消除缓冲器。
二极管 > 肖特基二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

MBRB10100CT-13

DIODES(美台)

MBRB10100CT-13，DIODES(美台)，二极管 / 肖特基二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的严格要求。它非常适合用作极性保护二极管、续流二极管和开关二极管。
二极管 > 肖特基二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

SCS206AJTLL

ROHM(罗姆)

SCS206AJTLL，ROHM(罗姆)，二极管 / 碳化硅二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，SCS206AJTLL
二极管 > 碳化硅二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

UGS5JMNG

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

UGS5JMNG，Taiwan Semiconductor(台湾半导体)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，耐压:600V 电流:5A 反向恢复时间：20ns
二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

SBR20A60CTB

DIODES(美台)

SBR20A60CTB，DIODES(美台)，二极管 / 超势垒整流器(SBR)，TO-263AB封装，询盘确认库存，特性：低正向压降。 优异的高温稳定性。 专利超级势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 无铅表面处理：符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具备高可靠性（仅适用于D2PAK / TO263）。 具备生产件批准
二极管 > 超势垒整流器(SBR)
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

VS-ETL1506S-M3

Vishay(威世)

VS-ETL1506S-M3，Vishay(威世)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，先进的超低VF、软开关超快整流器，针对不连续（临界）模式（DCM）功率因数校正（PFC）进行了优化。最小化的传导损耗、优化的存储电荷和低恢复电流，可最小化开关损耗，并减少开关元件和缓冲器中的过耗散。
二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

30CTQ040S

DIOTEC(德欧泰克)

30CTQ040S，DIOTEC(德欧泰克)，二极管 / 肖特基二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，电压:40V 电流:15A
二极管 > 肖特基二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

FESB16JT-E3/81

Vishay(威世)

FESB16JT-E3/81，Vishay(威世)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，耐压:600V 电流:16A 反向恢复时间：50ns
二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

FGB3056-F085

onsemi(安森美)

FGB3056-F085，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，IGBT，EcoSPARK 300mJ，560V，N 沟道点火
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

FGB3245G2-F085

onsemi(安森美)

FGB3245G2-F085，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，FGB3245G2_F085 和 FGD3245G2 是使用安森美半导体的 EcoSPARK 2 技术设计的 N 沟道 IGBT，有助于消除外部保护电路。该技术适用于在汽车点火系统的严酷环境中驱动线圈，在更高的运行温度下也
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

FGB3440G2-F085

onsemi(安森美)

FGB3440G2-F085，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，FGB3245G2_F085 和 FGD3245G2 是使用安森美半导体的 EcoSPARK 2 技术设计的 N 沟道 IGBT，有助于消除外部保护电路。该技术适用于在汽车点火系统的严酷环境中驱动线圈，在更高的运行温度下也
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

FGB5N60UNDF

onsemi(安森美)

FGB5N60UNDF，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，FGB5N60UNDF
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

GPAS1004

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

GPAS1004，Taiwan Semiconductor(台湾半导体)，二极管 / 通用二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，GPAS1004
二极管 > 通用二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

GPAS1005

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

GPAS1005，Taiwan Semiconductor(台湾半导体)，二极管 / 通用二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，GPAS1005
二极管 > 通用二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

GPAS1006

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

GPAS1006，Taiwan Semiconductor(台湾半导体)，二极管 / 通用二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，GPAS1006
二极管 > 通用二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

GPAS1007

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

GPAS1007，Taiwan Semiconductor(台湾半导体)，二极管 / 通用二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，GPAS1007
二极管 > 通用二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

HGT1S10N120BNST

onsemi(安森美)

HGT1S10N120BNST，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S10N120BNST 基于无通冲孔 (NPT) IGBT 设计。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

HGT1S12N60B3DS

TI(德州仪器)

HGT1S12N60B3DS，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S12N60B3DS
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

HGT1S12N60C3DS

onsemi(安森美)

HGT1S12N60C3DS，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S12N60C3DS
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

HGT1S14N41G3VLS

onsemi(安森美)

HGT1S14N41G3VLS，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S14N41G3VLS
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

HGT1S15N120C3S

TI(德州仪器)

HGT1S15N120C3S，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S15N120C3S
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

HGT1S20N36G3VLS

onsemi(安森美)

HGT1S20N36G3VLS，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S20N36G3VLS
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

HGT1S20N60B3S

TI(德州仪器)

HGT1S20N60B3S，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S20N60B3S
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

HGT1S20N60C3S9A

onsemi(安森美)

HGT1S20N60C3S9A，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S20N60C3S9A
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

HGT1S3N60B3S

TI(德州仪器)

HGT1S3N60B3S，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S3N60B3S
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

HGT1S3N60C3DS

TI(德州仪器)

HGT1S3N60C3DS，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S3N60C3DS
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

HGT1S7N60B3DS

TI(德州仪器)

HGT1S7N60B3DS，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S7N60B3DS
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

HGT1S7N60C3DS

TI(德州仪器)

HGT1S7N60C3DS，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S7N60C3DS
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

HGT1S7N60C3DS9A

TI(德州仪器)

HGT1S7N60C3DS9A，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，HGT1S7N60C3DS9A
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

ISL9R18120S3ST

onsemi(安森美)

ISL9R18120S3ST，onsemi(安森美)，二极管 / 通用二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，ISL9R8120S3S 是一款 STEALTH 二极管，适合在高频率硬开关应用中提供低损耗性能。STEALTH 系列在典型运行条件下具有低逆向恢复电流 (IRR) 和卓越的软恢复性能。该器件适合在电源和其他电源开关应用中用作续流或升压二极管。低
二极管 > 通用二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

ISL9R860S3ST

onsemi(安森美)

ISL9R860S3ST，onsemi(安森美)，二极管 / 通用二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，ISL9R860S3ST
二极管 > 通用二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

ISL9R860S3ST_NL

onsemi(安森美)

ISL9R860S3ST_NL，onsemi(安森美)，二极管 / 开关二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，ISL9R860S3ST_NL
二极管 > 开关二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

ISL9V2040S3ST

onsemi(安森美)

ISL9V2040S3ST，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，ISL9V2040D3S、ISL9V2040S3S 和 ISL9V2040P3 是下一代点火 IGBT，具备出色的 SCIS 能力，采用节省空间的 D-Pak (TO-252) 以及工业标准D-Pak (TO-263) 和
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

ISL9V2540S3ST

onsemi(安森美)

ISL9V2540S3ST，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，ISL9V2540S3ST 是下一代点火 IGBT，提供工业标准 D-Pak (TO-263) 塑封和杰出的 SCIS 能力。 此器件设计用于车用点火电路，特别是电感驱动模块。 内部二极管提供电压钳位，无需外部组件。
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

ISL9V3036S3ST

onsemi(安森美)

ISL9V3036S3ST，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，ISL9V3036D3S、ISL9V3036S3S 和 ISL9V3036P3 是下一代 IGBT，具备出色的 SCIS 能力，采用节省空间的 D-Pak (TO-252)、工业标准 D
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

ISL9V5045S3ST

onsemi(安森美)

ISL9V5045S3ST，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-263AB封装，询盘确认库存，ISL9V5045S3ST
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

LQA20B300C

Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

LQA20B300C，Power Integrations(帕沃英蒂格盛)，二极管 / 通用二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，LQA20B300C
二极管 > 通用二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

LQA30B150C

Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

LQA30B150C，Power Integrations(帕沃英蒂格盛)，二极管 / 通用二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，此设备是所有150V硅二极管中QRR最低的。其恢复特性可提高效率、减少电磁干扰并消除缓冲器。
二极管 > 通用二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

LQA30B200C

Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

LQA30B200C，Power Integrations(帕沃英蒂格盛)，二极管 / 通用二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，LQA30B200C
二极管 > 通用二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

LXA03B600

Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

LXA03B600，Power Integrations(帕沃英蒂格盛)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，LXA03B600
二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

LXA06B600

Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

LXA06B600，Power Integrations(帕沃英蒂格盛)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，LXA06B600
二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

LXA08B600

Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

LXA08B600，Power Integrations(帕沃英蒂格盛)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，LXA08B600
二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

MBRS10100

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

MBRS10100，Taiwan Semiconductor(台湾半导体)，二极管 / 肖特基二极管，TO-263AB封装，询盘确认库存，MBRS10100
二极管 > 肖特基二极管
TO-263AB
询盘确认
询盘报价
查看详情 >

封装选购

TO-263AB 封装选购常见问题

TO-263AB 封装在华芯购有多少可查询型号？

当前 TO-263AB 封装页收录 306 个公开可查询型号，本页优先展示 1 个现货样本。

筛选 TO-263AB 封装型号时还要核对什么？

除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。

TO-263AB 封装找不到完全一致型号怎么办？

可以从 ROHM(罗姆)、DIODES(美台)、onsemi(安森美)、Vishay(威世)、Taiwan Semiconductor(台湾半导体) 或 二极管 > 碳化硅二极管、二极管 > 肖特基二极管、二极管 > 超势垒整流器(SBR)、三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。