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PDFN5x6-8L 封装现货型号与BOM询价
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HYG053N10NS1C2
HUAYI(华羿微)
HYG053N10NS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，特性：100V/95A，RDS(ON) = 4.6mΩ（典型值）@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TMG60N04NF
TMC(台懋)
TMG60N04NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，N沟道,40V,60A,6.7mΩ@10v三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AP3910GD
ALLPOWER(铨力)
AP3910GD，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，AP3910GD采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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NH(纽航)
HBR20200P5，NH(纽航)，二极管 > 肖特基二极管，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，特性：金属硅结，多数载流子传导。低功耗，高可靠性。高正向浪涌能力，高可靠性。高频运行。应用：用于低压、高频逆变器、DC/DC转换器、续流和极性保护应用二极管 > 肖特基二极管
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查看详情 >ESN21307
ElecSuper(静芯)
ESN21307，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，P沟道，-30V，-45A，8.5mΩ@-10V,-20A，-1.5V@-250uA；应用领域：锂电池保护板、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >S130N10LF
HL(富海微)
S130N10LF，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，DC-DC转换器。电源管理功能。同步整流应用三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TM100N04NF
TMC(台懋)
TM100N04NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，N沟道,40V,100A,4.2mΩ@10v三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >S50N10LF
HL(富海微)
S50N10LF，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，分裂栅极沟槽MOSFET技术；优异的封装散热性能；高密度单元设计，实现低RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >S40P06F
HL(富海微)
S40P06F，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.3～-2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):19，连续漏极电流ID(A):-40A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AON6312-ES
ElecSuper(静芯)
AON6312-ES，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，N沟道，30V，123A，1.7mΩ@10V,20.0A，1.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >ESEP4045GU
ElecSuper(静芯)
ESEP4045GU，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：59A 功率(Pd)：44.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MDD(辰达半导体)
MDDG10R08G，MDD(辰达半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，100V N通道增强模式MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >HYG007N03LS1C2
HUAYI(华羿微)
HYG007N03LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，特性：30V/220A。 RDS(ON) = 0.63mΩ (典型值) @VGS = 10V。 RDS(ON) = 0.96mΩ (典型值) @VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >APG068N04G
ALLPOWER(铨力)
APG068N04G，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，特性：40V, 50A。 RDS(ON) < 6.8mΩ @VGS = 10V (典型值: 5.7mΩ)。 RDS(ON) < 10mΩ @VGS = 4.5V (典型值: 7.5mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >HYG080N10LS1C2
HUAYI(华羿微)
HYG080N10LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，特性：100V/65A，RDS(ON) = 6.9 mΩ（典型值）@ VGS = 4.5 V，RDS(ON) = 9.4 mΩ（典型值）@ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 有无卤器件（三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >S100N10LF
HL(富海微)
S100N10LF，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，DC-DC 转换器。电源管理功能。同步整流应用三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AP150N03G
ALLPOWER(铨力)
AP150N03G，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，特性：30V, 150A。 RDS(ON) < 3.2mΩ @VGS = 10V。 RDS(ON) < 6.2mΩ @VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM40P100A
AGMSEMI(芯控源)
AGM40P100A，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，AGM40P100A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM403Q
AGMSEMI(芯控源)
AGM403Q，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，AGM403Q将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >20G10F
HL(富海微)
20G10F，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，工艺:沟槽，类型:N+P，漏源电压(Vdss) (V):100/-100，阈值电压VGS:±20，Vth(V):±1.2～±2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):65/180，连续漏极电流ID(A):15A/-7A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >40P04F
HL(富海微)
40P04F，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-40，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-1～-2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):10/13，连续漏极电流ID(A):-40A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >FH3304GS
鑫飞宏
FH3304GS，鑫飞宏，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，FH3304GS采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >60P03F
HL(富海微)
60P03F，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-30，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-1～-2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):7.2/14，连续漏极电流ID(A):-60A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >FH8802G
鑫飞宏
FH8802G，鑫飞宏，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，FH8802G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >90P03F
HL(富海微)
90P03F，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-30，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-1～-2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.5/4.5，连续漏极电流ID(A):-90A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >YFW120N04NF
YFW(佑风微)
YFW120N04NF，YFW(佑风微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，特性：采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)。 低栅极电荷。 可在低至4.5V的栅极电压下工作。应用：电池保护。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TM55P03NF
TMC(台懋)
TM55P03NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，P沟道,-30V,-55A,8.3mΩ@-10v三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SDM99AGH15KB
SINEDEVICE(宇宏微)
SDM99AGH15KB，SINEDEVICE(宇宏微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，特性：低导通电阻。 低栅极电荷。 高电流能力。 绿色产品（符合RoHS标准），无铅。 100%进行UIS测试，100%进行栅极电阻测试三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >ESJG150N03A
ElecSuper(静芯)
ESJG150N03A，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：123A 功率(Pd)：6.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.7mΩ@10V,20.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >FH3210GS
鑫飞宏
FH3210GS，鑫飞宏，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:100V 电流:78A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >LWN3016AD5D
Lewa Micro(乐瓦微电子)
LWN3016AD5D，Lewa Micro(乐瓦微电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，LWN3016AD5D采用沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(ON)，适用于多种应用场景。其封装形式为PDFN5x6-8L，符合ROHS标准和无卤标准。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >MOT3114G
MOT(仁懋)
MOT3114G，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，特性：低电容。 低栅极电荷。 快速开关能力。 雪崩能量指定。应用：开关应用三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >YFW80N06NF
YFW(佑风微)
YFW80N06NF，YFW(佑风微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，N沟MOS管三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >ESN6484
ElecSuper(静芯)
ESN6484，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，N沟道，100V，11A，91mΩ@10V,7.5A，1.8V@250uA；应用领域：断路器、POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >FH3406GS
鑫飞宏
FH3406GS，鑫飞宏，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，单N沟道， 漏源电压(Vdss): 60V， 连续漏极电流(ld): 140A， RDS(on)：2.8mΩ三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >S100N85F
HL(富海微)
S100N85F，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，Tphtei S100N85F是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。S100N85F符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >S60P06F
HL(富海微)
S60P06F，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.3～-2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):12，连续漏极电流ID(A):-60A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >HYG015N03LS2C2
HUAYI(华羿微)
HYG015N03LS2C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，30V/140A。在VGS = 10V时，RDS(ON) = 1.5 mΩ（典型值）。在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 2.4 mΩ（典型值）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TPH1R403NL-ES
ElecSuper(静芯)
TPH1R403NL-ES，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，N沟道，30V，120A，1.15mΩ@10V,20A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >FH4008GS
鑫飞宏
FH4008GS，鑫飞宏，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，特性：SGT沟槽技术。 低RDS(on)和FOM。 极低的开关损耗。 出色的稳定性和均匀性。 100% UIS测试，100% VDS测试。 符合RoHS和无卤标准。应用：高频开关。 同步整流三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >JMTG3005A
JJW(捷捷微)
JMTG3005A，JJW(捷捷微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，特性：30V, 60A。 RDS(ON) < 4.7mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 7.9mΩ @ VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅。应用：负载开关。 PW三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >ESN6512
ElecSuper(静芯)
ESN6512，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，N沟道，30V，120A，1.15mΩ@10V,20A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TM90P03NF
TMC(台懋)
TM90P03NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，P沟道,-30V,-90A,3.6mΩ@-10v三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >50P03F
HL(富海微)
50P03F，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，特性：100% EAS保证。 提供绿色环保器件。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池保护。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >FH30120GS
鑫飞宏
FH30120GS，鑫飞宏，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，FH30120GS采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SDM07AG03K
SINEDEVICE(宇宏微)
SDM07AG03K，SINEDEVICE(宇宏微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，特性：低导通电阻。 低栅极电荷。 高电流能力。 绿色产品（符合RoHS标准），无铅。 100%进行UIS测试，100%进行栅极电阻测试三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM30P05A
AGMSEMI(芯控源)
AGM30P05A，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，AGM30P05A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM035N10A
AGMSEMI(芯控源)
AGM035N10A，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，AGM035N10A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM609MNA
AGMSEMI(芯控源)
AGM609MNA，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，AGM609MNA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >NTMFS5C670NLT1G(ES)
ElecSuper(静芯)
NTMFS5C670NLT1G(ES)，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，NTMFS5C670NLT1G(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >ESN6435
ElecSuper(静芯)
ESN6435，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，P沟道，-30V，-31.0A，13.0mΩ@-10V,-20A，-1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >60G20F
HL(富海微)
60G20F，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 60阈值电压VGS:±20V th(V):1.2～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):25-31 连续漏极电流ID(A):20A\nMOSFET类型:P 漏源电压(Vdss)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >ESAC80SN10
ElecSuper(静芯)
ESAC80SN10，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，ESAC80SN10 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >GBS032R4PMAR
GOSEMICON(顾邦半导体)
GBS032R4PMAR，GOSEMICON(顾邦半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，N-channel 30V 1.3mΩ (Typ) Power MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TM30G03NF
TMC(台懋)
TM30G03NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，N沟道,30V,30A,9.5mΩ@10v,P沟道,-30V,-20A,21mΩ@-10v三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >S30P06F
HL(富海微)
S30P06F，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.3～-2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):31，连续漏极电流ID(A):-30A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >120N03F
HL(富海微)
120N03F，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，120N03F 是高单元密度的沟槽式 N 沟道 MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。120N03F 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 测试，并经过全面功能可靠三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >WNM6006-8/TR
WILLSEMI(韦尔)
WNM6006-8/TR，WILLSEMI(韦尔)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，WNM6006 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >JMSH0401AGQ-13
JJW(捷捷微)
JMSH0401AGQ-13，JJW(捷捷微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，特性：超低导通电阻，RDS(ON)。 低栅极电荷，Qg。 100% UIS和Rg测试。 无铅镀铅。 无卤且符合RoHS标准。 通过AEC-Q101汽车应用认证三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >BSC180N045
KTP(科泰普)
BSC180N045，KTP(科泰普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，应用在锂电保护、电机控制、电动工具、电源、储能三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM412MPA
AGMSEMI(芯控源)
AGM412MPA，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，AGM412MPA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TMP3060NF
TMC(台懋)
TMP3060NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，P沟道,-30V,-60A,7.2mΩ@-10v三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >FH18P06G
鑫飞宏
FH18P06G，鑫飞宏，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，采用先进的SGT技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于各种应用。封装形式为PDFN5x6-8L，符合RoHS标准和无卤标准。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >BSC145N04
KTP(科泰普)
BSC145N04，KTP(科泰普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，应用在锂电保护、电机控制、电动工具、电源、储能三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TM20G04NF
TMC(台懋)
TM20G04NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，N沟道,40V,22A,17mΩ@10v,P沟道,-40V,-18A,33mΩ@-10v三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TM70N03NF
TMC(台懋)
TM70N03NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，低导通电阻。符合RoHS和无卤标准三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >ESN6204
ElecSuper(静芯)
ESN6204，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，N沟道，30V，32A，10.0mΩ@10V,20A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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JJW(捷捷微)
JMSL1006AG-13，JJW(捷捷微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，特性：超低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 100% UIS测试，100% Rg测试。 无铅镀层。 无卤且符合RoHS标准。应用：电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理。 DC/DC和AC/DC（SR）子系统中三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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ElecSuper(静芯)
AON6512-ES，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，N沟道，30V，120A，1.15mΩ@10V,20A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >JMSL0303AG-13
JJW(捷捷微)
JMSL0303AG-13，JJW(捷捷微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，特性：超低导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。 100%进行UIS测试，100%进行Rg测试。 无铅镀铅。 无卤且符合ReflS标准。应用：计算机、消费电子、工业4.0、通信领域的电源管理。 DC/DC和AC/DC子三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >UK650BA
U-NIKC(旭康微)
UK650BA，U-NIKC(旭康微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:70A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >GBS030R8TPMAR
GOSEMICON(顾邦半导体)
GBS030R8TPMAR，GOSEMICON(顾邦半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，N-channel 30V 0.85mΩ (Typ) Power MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >HYG090N06LS1C2
HUAYI(华羿微)
HYG090N06LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，特性：60V/60A，R₍D(ON)₎ = 7.7mΩ（典型值）@V₍GS₎ = 10V，R₍D(ON)₎ = 11.8mΩ（典型值）@V₍GS₎ = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM15T13A
AGMSEMI(芯控源)
AGM15T13A，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，AGM15T13A 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，可提供极低的导通电阻 (RDS(ON))。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >S100P06F
HL(富海微)
S100P06F，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.6～-2.4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):5.5，连续漏极电流ID(A):-100A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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ALLPOWER(铨力)
APG046N01G，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，特性：100V，85A。 RDS(ON) < 4.6mΩ @VGS = 10V（典型值：3.8mΩ）。 RDS(ON) < 6.4mΩ @VGS = 4.5V（典型值：5.2mΩ）。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >BSC090N02
KTP(科泰普)
BSC090N02，KTP(科泰普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，应用在锂电保护、负载开关、小家电、果汁机三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM40P75A
AGMSEMI(芯控源)
AGM40P75A，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，AGM40P75A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >ESN6586
ElecSuper(静芯)
ESN6586，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，N沟道，30V，43A，7.0mΩ@10V,20A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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鑫飞宏
FH3008GS，鑫飞宏，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，FH3008GS采用深沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种应用场景。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >PACKAGE FAQ
PDFN5x6-8L 封装采购常见问题
PDFN5x6-8L 封装在华芯购有多少可查询型号？
当前 PDFN5x6-8L 封装页收录 168 个公开可查询型号，本页优先展示 近期可询样本。
筛选 PDFN5x6-8L 封装型号时还要核对什么？
除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
PDFN5x6-8L 封装找不到完全一致型号怎么办？
可以从 HUAYI(华羿微)、TMC(台懋)、ALLPOWER(铨力)、NH(纽航)、ElecSuper(静芯) 或 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)、二极管 > 肖特基二极管 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。