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HYG080N10LS1C2 HUAYI(华羿微) 现货与清单询价

HYG080N10LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8L封装，询盘确认库存，特性：100V/65A，RDS(ON) = 6.9 mΩ（典型值）@ VGS = 4.5 V，RDS(ON) = 9.4 mΩ（典型值）@ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。可靠且耐用。有无卤器件（

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MPN: HYG080N10LS1C2
品牌/制造商: HUAYI(华羿微)
封装: PDFN5x6-8L
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HYG080N10LS1C2

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