PACKAGE STOCK

PDFN5x6-8 封装现货型号与BOM询价

围绕 PDFN5x6-8 封装聚合公开现货和可询型号，方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 115 个公开可查询型号。

进入实时筛选候选转 BOM对比前 5 个
115匹配型号 8常见品牌 1相关分类
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Existar(毅芯达)12Megain(美佳音)11ALLPOWER(铨力)8AGMSEMI(芯控源)6NH(纽航)6iCM(创芯微)4Vergiga(威兆)4Bruckewell(隽佾)3
按分类继续
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)80
采购提示
批量转 BOM提交封装需求实时筛选
封装核对PDFN5x6-8 只代表封装识别入口，正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。

PACKAGE COMPATIBILITY

PDFN5x6-8 同封装兼容核对台

同封装只代表初筛入口，不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、PDF 证据和不可放宽条件放到同一张核对表里。

同封装对比 封装需求转 BOM 查看判断方法
完整MPN

先用原型号和候选型号做一对一比对，避免只拿封装名替代完整型号。

引脚/尺寸

核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。

关键参数

电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。

制造商PDF

以官方 PDF 和修订版本为准，页面资料只作为采购初筛入口。

数量交期

同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。

不可放宽

把不能替代的参数写入 BOM 备注，减少业务和工程反复确认。

样本候选
SFS08R03GNFORIENTAL SEMI(东微) · PDFN5x6-8转 BOMHKTG50N03Hottech(合科泰) · PDFN5x6-8转 BOMJMSL0406AG-13JJW(捷捷微) · PDFN5x6-8转 BOM

PACKAGE DECISION

PDFN5x6-8 封装核对指南

把封装页从“型号列表”变成采购员可执行的筛选台：先统一封装写法，再按品牌、类目、库存和资料把候选缩小到可核价范围。

0 现货样本 / 115 个可查询型号
可合并检索写法
PDFN5X6-8PDFN5X68
01

先识别封装写法

PDFN5x6-8 可能会和 PDFN5X68 同时出现在资料或BOM里，先统一封装关键词再筛型号。

02

再核对品牌与类目

当前样本覆盖 Existar(毅芯达)、Megain(美佳音)、ALLPOWER(铨力)、AGMSEMI(芯控源)，常见分类包括 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，避免只按封装忽略应用参数。

03

保留可替代候选

同封装型号可先暂存或对比，提交 BOM 时写明可接受品牌、参数范围和交期要求。

04

下单前复查资料

封装页是入口，最终仍需核对制造商 PDF、引脚数、尺寸图、批号、包装和检测资料。

按 PDFN5x6-8 筛现货型号 对比候选型号 候选转 BOM 提交封装需求

RFQ HANDOFF

PDFN5x6-8 封装采购备注模板

把入口页里的候选型号、品牌封装、不可放宽参数和交付要求整理成可提交备注，方便业务继续确认库存、替代边界和报价。

带备注提交 BOM 
采购入口：PDFN5x6-8 封装
候选型号：SFS08R03GNF / HKTG50N03 / JMSL0406AG-13 / APG038N01G / AP040N03G / MOT3140G
品牌/制造商范围：Existar(毅芯达) / Megain(美佳音) / ALLPOWER(铨力) / AGMSEMI(芯控源) / NH(纽航)
分类范围：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
封装线索：PDFN5x6-8
需求数量：请按型号填写目标数量、阶梯数量或年用量
不可放宽参数：完整MPN、品牌/制造商、封装、引脚、电压、电流、温度等级、认证、替代边界
可接受替代范围：请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代
交付要求：批号、包装、交期、检测资料、含税报价、付款和交付条件
公开库存和价格仅用于采购初筛，最终以业务人员确认报价为准

SOURCING PATH

PDFN5x6-8 封装采购路径

把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。

品牌Existar(毅芯达) / Megain(美佳音) / ALLPOWER(铨力) / AGMSEMI(芯控源) 封装PDFN5x6-8
01

进入实时筛选

按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。

02

保留候选型号

把优先样本带入对比或 BOM，避免从搜索入口反复重新查找。

03

统一核价

业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。

04

资料复核

采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。

进入实时筛选 对比前 4 个 候选转 BOM 提交PDFN5x6-8 封装需求

BUYER ANSWER

同封装型号能直接替代吗？

不能直接判断。插件、SOIC-8、SOT-23、0603、SOP-8、SMD3225-4P 这类封装入口只适合初筛，正式替代还要逐项核对完整 MPN、引脚定义、外形尺寸、关键电气参数、温度等级、生命周期、制造商 PDF 和应用场景，并把原型号、候选型号、数量、交期和不可放宽参数一起提交 BOM 复核。

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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

SFS08R03GNF

ORIENTAL SEMI(东微)

SFS08R03GNF，ORIENTAL SEMI(东微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，SFGMOS MOSFET基于独特的器件设计，实现了低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。高阈值电压（Vth）系列专门针对栅极驱动电压大于10V的高压系统进行了优化。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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HKTG50N03

Hottech(合科泰)

HKTG50N03，Hottech(合科泰)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：低导通电阻。快速开关速度。易于设计驱动电路。易于并联
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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JMSL0406AG-13

JJW(捷捷微)

JMSL0406AG-13，JJW(捷捷微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：超低导通电阻 RDS(ON)。 低栅极电荷。 高电流能力。 100%进行UIS测试，100%进行Rg测试。应用：计算机、消费电子、工业4.0、通信领域的电源管理。 DC/DC和AC/DC（同步整流）子系统中的电流切
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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APG038N01G

ALLPOWER(铨力)

APG038N01G，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：100V，RDS(ON) <3.8mΩ @VGS=10V（典型值：3.1mΩ），RDS(ON) <4.9mΩ @VGS=4.5V（典型值：4.2mΩ）。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)
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AP040N03G

ALLPOWER(铨力)

AP040N03G，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，AP040N03G通过创新设计和硅工艺技术，实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能，为设计人员提供了一种高效的器件，适用于广泛的电源应用。 PDFN5*6封装广泛用于所有使用红外回流技术的商业工业表面贴装应用，由于连接电阻
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MOT3140G

MOT(仁懋)

MOT3140G，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：较低的RDS(ON)以最大限度地降低传导损耗。 可靠且耐用。 符合ROHS标准且无卤。 100%进行UIS和Rg测试。应用：便携式设备和电池供电系统。 笔记本电脑的电源管理
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NSH110N15P5

NH(纽航)

NSH110N15P5，NH(纽航)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：大功率适配器和LED电源次级侧同步整流或LLC谐振电路。
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CMS4070M

iCM(创芯微)

CMS4070M，iCM(创芯微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，40V PDFN5*6封装MOSFET
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SP40P04AGHNK

Siliup(矽普)

SP40P04AGHNK，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，中压SGT MOSFET产品，P沟道，耐压：-40V，电流：-120A,Rdson：3.7mR
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LWS6028AD5

Lewa Micro(乐瓦微电子)

LWS6028AD5，Lewa Micro(乐瓦微电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，LWS6028AD5采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。其封装形式为PDFN5*6-8L，符合ROHS标准和无卤标准
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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APG011N04G

ALLPOWER(铨力)

APG011N04G，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：40V，200A，RDS(ON) <1.1mΩ @VGS=10V（典型值：0.9mΩ），RDS(ON) <1.5mΩ @VGS=4.5V（典型值：1.3mΩ）。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS
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E38P100KH

Existar(毅芯达)

E38P100KH，Existar(毅芯达)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，1个P沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):38A功率(Pd)104W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vg
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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S125N06F

HL(富海微)

S125N06F，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):60 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.2～2.2导通电阻RDS(ON) (mΩ):2.4连续漏极电流ID(A):125A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SL90N03R

Slkor(萨科微)

SL90N03R，Slkor(萨科微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，该功率MOSFET采用先进的沟槽技术制造。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SFS15R10GNF

ORIENTAL SEMI(东微)

SFS15R10GNF，ORIENTAL SEMI(东微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，FSMOS MOSFET基于独特的器件设计，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。高电压系列专为驱动电压超过10V的电源系统而设计。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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NSH045N100P5

NH(纽航)

NSH045N100P5，NH(纽航)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：PD 次级侧同步整流。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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E100N8P5HL1

Existar(毅芯达)

E100N8P5HL1，Existar(毅芯达)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，1个N沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):45A功率(Pd)31W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V栅极电荷(Qg@
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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PTN3006

PUOLOP(迪浦)

PTN3006，PUOLOP(迪浦)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：低导通电阻RDS(on) @ 5V逻辑。5V逻辑电平控制。PDFN5X6 SMD封装。无铅，符合RoHS标准。应用：高端负载开关。电池开关
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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HKTG90N03

Hottech(合科泰)

HKTG90N03，Hottech(合科泰)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：低导通电阻。 快速开关速度。 易于设计驱动电路。 易于并联
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SFS08R07GF

ORIENTAL SEMI(东微)

SFS08R07GF，ORIENTAL SEMI(东微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，基于独特的器件设计，可实现低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和优异的雪崩特性。低阈值电压系列专为低驱动电压的同步整流电源系统设计。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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NSS060N04P5

NH(纽航)

NSS060N04P5，NH(纽航)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：BMS、汽车电子、同步整流、马达驱动等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MGC031N06L

Megain(美佳音)

MGC031N06L，Megain(美佳音)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：超低栅极电荷。 100% EAS保证。 出色的CdV/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：电机驱动。 电动工具
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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E030N2P0HL1

Existar(毅芯达)

E030N2P0HL1，Existar(毅芯达)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，1个N沟道漏源电压(Vdss):30V连续漏极电流(Id):180A功率(Pd)114W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.3V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V栅极电荷(Qg@V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CMS60H20M

iCM(创芯微)

CMS60H20M，iCM(创芯微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，60V PDFN5*6封装MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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NTS036N03P5

NH(纽航)

NTS036N03P5，NH(纽航)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：BMS、汽车电子、同步整流、马达驱动等。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8
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MGC031N06N

Megain(美佳音)

MGC031N06N，Megain(美佳音)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：先进的沟槽MOS技术。 低栅极电荷。 低导通电阻。 100% EAS保证。 提供环保器件。应用：电机控制。 DC/DC转换器
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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NSS085N100P5

NH(纽航)

NSS085N100P5，NH(纽航)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：PD 次级侧同步整流。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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RCQ5409

RealChip(正芯半导体)

RCQ5409，RealChip(正芯半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，P- 沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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E060N2P3HL1

Existar(毅芯达)

E060N2P3HL1，Existar(毅芯达)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，1个N沟道漏源电压(Vdss):60V连续漏极电流(Id):180A功率(Pd)132W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3mΩ@10V栅极电荷(Qg
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CMT3095M

iCM(创芯微)

CMT3095M，iCM(创芯微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，30V PDFN5*6封装MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MGC054N06L

Megain(美佳音)

MGC054N06L，Megain(美佳音)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：快速开关速度。 可靠耐用。 符合ROHS标准且无卤。 100%进行UIS和Rg测试。应用：DC/DC转换器
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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E030P4P0HL1

Existar(毅芯达)

E030P4P0HL1，Existar(毅芯达)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，1个P沟道漏源电压(Vdss):30V连续漏极电流(Id):99A功率(Pd)58W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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TW120N03EF

TWGMC(迪嘉)

TW120N03EF，TWGMC(迪嘉)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，N沟道/30V/120A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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VS3510AP

Vergiga(威兆)

VS3510AP，Vergiga(威兆)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，P沟道 耐压:30V 电流:45A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM303MNA

AGMSEMI(芯控源)

AGM303MNA，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，AGM303MNA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AP180N03G

ALLPOWER(铨力)

AP180N03G，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：30V, 180A。RDS(ON) = 1.7mΩ (Typ.) @ VGS = 10V。RDS(ON) = 3.2mΩ (Typ.) @ VGS = 4.5V。低总栅极电荷。低反向传输电容。改善的dv/dt能力。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AP3912GD

ALLPOWER(铨力)

AP3912GD，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：N沟道：VDD = 30V，ID = 36A，RDS(ON) 13mΩ @VGS = 10V（典型值：10mΩ），RDS(ON) 19mΩ @VGS = 4.5V（典型值：14mΩ）。 P沟道：VDD = 30V，I
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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DMTH4014LPSW-13-CN

ChipNobo(无边界)

DMTH4014LPSW-13-CN，ChipNobo(无边界)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，1.高频共模阻抗高，噪声抑制性能优良.\n2.对于不同的噪声电频和信号频率，可选择20Ω~2000Ω阻抗.\n3.用于电脑和外围设备的USB 2.0/USB 3.0/HDMI2.0线路.\n4.用于计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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100N03NF

GOODWORK(固得沃克)

100N03NF，GOODWORK(固得沃克)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:30V 电流:100A适用于电源开关和信号控制
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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E100N6P0HL1

Existar(毅芯达)

E100N6P0HL1，Existar(毅芯达)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，1个N沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):62A功率(Pd)41W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vg
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APG032N04G

ALLPOWER(铨力)

APG032N04G，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 40 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1.2-2.2 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 2.7/3.2 连续漏极电流ID (A) 100
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HKTG48N10

Hottech(合科泰)

HKTG48N10，Hottech(合科泰)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：低导通电阻。 快速开关速度。 易于设计驱动电路。 易于并联
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E150N9P0HL1

Existar(毅芯达)

E150N9P0HL1，Existar(毅芯达)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，1个N沟道漏源电压(Vdss):150V连续漏极电流(Id):60A功率(Pd)60W阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)
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AGM18N10MNA

AGMSEMI(芯控源)

AGM18N10MNA，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流（Id）：35A功率(Pd）：50W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：18mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6@250uA 栅
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TW30P06EF

TWGMC(迪嘉)

TW30P06EF，TWGMC(迪嘉)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，P沟道/60V/30A
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BSC012N06

KTP(科泰普)

BSC012N06，KTP(科泰普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，这款功率MOSFET采用先进的SGT技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
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E060N8P5HL1

Existar(毅芯达)

E060N8P5HL1，Existar(毅芯达)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，1个N沟道漏源电压(Vdss):60V连续漏极电流(Id):64A功率(Pd)63W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@10V栅极电荷(Qg@V
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BSC180N03

KTP(科泰普)

BSC180N03，KTP(科泰普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，应用在锂电保护、电机控制、电动工具、电源、无人机、航模、船模、储能
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E100N010HL1

Existar(毅芯达)

E100N010HL1，Existar(毅芯达)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，1个N沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):54A功率(Pd)52W阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs
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APG022N06G

ALLPOWER(铨力)

APG022N06G，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：60V，150A。 RDS(ON) 2.3mΩ @ VGS = 10V (典型值: 1.9mΩ)。 RDS(ON) 3.5mΩ @ VGS = 4.5V (典型值: 3.0mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品
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150N03NF

GOODWORK(固得沃克)

150N03NF，GOODWORK(固得沃克)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:30V 电流:150A适用于电源开关和信号控制
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VSP003N10HS-G

Vergiga(威兆)

VSP003N10HS-G，Vergiga(威兆)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：N- 通道，10V 逻辑电平控制。增强模式。VitoMOS II 技术。快速开关和高效率。100% 雪崩测试。无铅镀铅；符合 RoHS 标准
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80N03NF

GOODWORK(固得沃克)

80N03NF，GOODWORK(固得沃克)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:30V 电流:82A适用于电源开关和信号控制
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MGC050N10N

Megain(美佳音)

MGC050N10N，Megain(美佳音)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：快速开关速度。 可靠耐用。 符合ROHS标准且无卤。 100%进行UIS和Rg测试。应用：DC/DC转换器中的电源管理。 USB电源传输 (USB PD)
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E080N020HL1

Existar(毅芯达)

E080N020HL1，Existar(毅芯达)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，1个N沟道漏源电压(Vdss):80V连续漏极电流(Id):35A功率(Pd)35W阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vgs)
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AP85P04G

ALLPOWER(铨力)

AP85P04G，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：40V。 -85A，RDS (ON) <5.3mΩ @VGS=-10V，典型值4.3mΩ；RDS (ON) <7.6mΩ @VGS=-4.5V，典型值5.9mΩ。 先进的沟槽技术。 高功率和电流处理能力。 获得无铅产
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MGC036N04L

Megain(美佳音)

MGC036N04L，Megain(美佳音)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：先进的沟槽MOS技术。 低导通电阻。 100% EAS保证。 有环保器件可供选择。应用：开关电源同步整流。 DC/DC转换器
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MGC066N10N

Megain(美佳音)

MGC066N10N，Megain(美佳音)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：先进的沟槽MOS技术。 100% EAS保证。 快速开关速度。 有绿色环保器件可供选择。应用：高频开关。 同步整流
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ASDM20N90Q-R

ASDsemi(安森德)

ASDM20N90Q-R，ASDsemi(安森德)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：100% EAS保证。 有绿色环保器件可选。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：逆变器系统的电源管理
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MGC036N10N

Megain(美佳音)

MGC036N10N，Megain(美佳音)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：快速开关速度。 可靠耐用。 符合ROHS标准且无卤。 100%经过UIS和Rg测试。应用：DC/DC转换器中的电源管理。 USB电源传输（USB PD）
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MGC021N04L

Megain(美佳音)

MGC021N04L，Megain(美佳音)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：先进的沟槽MOS技术。 100% EAS保证。 低RDS(ON)。 有绿色环保器件可供选择。应用：SMPS同步整流。 DC/DC转换器
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NSH079N15P5

NH(纽航)

NSH079N15P5，NH(纽航)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：大功率适配器和LED电源次级侧同步整流或LLC谐振电路。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM40P35A-KU

AGMSEMI(芯控源)

AGM40P35A-KU，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，AGM40P35A-KU 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，可提供极低的导通电阻 (RDS(ON))。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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VS4620GP

Vergiga(威兆)

VS4620GP，Vergiga(威兆)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：增强模式-VitoMOS II 技术。 快速开关和高效率。 100% 雪崩测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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TW80P04EF

TWGMC(迪嘉)

TW80P04EF，TWGMC(迪嘉)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，P沟道/40V/80A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MGC017N06L

Megain(美佳音)

MGC017N06L，Megain(美佳音)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，VDS 60V，ID 100A，RDS(ON)（在 VGS = 10V 时）<2.1 mΩ（典型值：1.7 mΩ）
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CMSH1070M

iCM(创芯微)

CMSH1070M，iCM(创芯微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，100V PDFN5*6封装MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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WTM11N65ANF

WPMtek(维攀)

WTM11N65ANF，WPMtek(维攀)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 11A 功率(Pd): 78W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 380mΩ@10V,3.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@370u
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E040N2P5HL1

Existar(毅芯达)

E040N2P5HL1，Existar(毅芯达)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，1个N沟道漏源电压(Vdss):40V连续漏极电流(Id):105A功率(Pd)35.7W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.3V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5mΩ@10V栅极电荷(Q
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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E18P100KH

Existar(毅芯达)

E18P100KH，Existar(毅芯达)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，1个P沟道漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):19A功率(Pd)79W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V栅极电荷(Qg@Vg
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MGC085N10N

Megain(美佳音)

MGC085N10N，Megain(美佳音)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：先进的沟槽MOS技术。 100% EAS保证。 快速开关速度。 提供环保器件。应用：高频开关和同步整流。 DC/DC转换器
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MGC038N10N

Megain(美佳音)

MGC038N10N，Megain(美佳音)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：先进的沟槽MOS技术。 100% EAS保证。 超低导通电阻。 有绿色环保器件可选。应用：电机驱动。 电池管理系统
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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VS3602GPMT

Vergiga(威兆)

VS3602GPMT，Vergiga(威兆)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：增强模式。 超低导通电阻。 VitoMOS II技术。 快速开关和高效率。 100%雪崩测试，100%栅极电阻测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MSH30P100

Bruckewell(隽佾)

MSH30P100，Bruckewell(隽佾)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，P-Channel Power MOSFET,-30V,-100A,DFN5x6
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MSH60N35D

Bruckewell(隽佾)

MSH60N35D，Bruckewell(隽佾)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，该器件采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。此器件适用于脉宽调制（PWM）、负载开关及通用应用。该器件符合RoHS和绿色产品要求，100%经过耐雪崩能力（EAS）测试，具备
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MSH40N032

Bruckewell(隽佾)

MSH40N032，Bruckewell(隽佾)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，该器件采用沟槽式 DMOS 技术。这项先进技术经过特别设计，可将 RDS(ON)降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM3045A

AGMSEMI(芯控源)

AGM3045A，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，AGM3045A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM602A

AGMSEMI(芯控源)

AGM602A，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：220A 功率(Pd)：224W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.9mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：91nC@10V 输入电容(
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SL142N06Q

Slkor(萨科微)

SL142N06Q，Slkor(萨科微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，特性：快速开关速度。 可靠且耐用。 符合ROHS标准且无卤。 100%进行UIS和Rg测试。应用：开关和同步整流。 无刷直流电机
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM13T15A

AGMSEMI(芯控源)

AGM13T15A，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5x6-8封装，询盘确认库存，类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：135V 连续漏极电流(Id)：58A 功率(Pd)：120W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.8V@250u
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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PACKAGE FAQ

PDFN5x6-8 封装采购常见问题

PDFN5x6-8 封装在华芯购有多少可查询型号？

当前 PDFN5x6-8 封装页收录 115 个公开可查询型号，本页优先展示 近期可询样本。

筛选 PDFN5x6-8 封装型号时还要核对什么？

除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。

PDFN5x6-8 封装找不到完全一致型号怎么办？

可以从 ORIENTAL SEMI(东微)、Hottech(合科泰)、JJW(捷捷微)、ALLPOWER(铨力)、MOT(仁懋) 或 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。