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AGM18N10MNA AGMSEMI(芯控源) 现货与清单询价
AGM18N10MNA,AGMSEMI(芯控源),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),PDFN5x6-8封装,询盘确认库存,类型:双N沟道 漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):35A功率(Pd):50W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id:18mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6@250uA 栅
- MPN
- AGM18N10MNA
- 品牌/制造商
- AGMSEMI(芯控源)
- 封装
- PDFN5x6-8
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/AGM18N10MNA
