PACKAGE STOCK

PDFN3.3x3.3-8 封装现货型号与BOM询价

围绕 PDFN3.3x3.3-8 封装聚合公开现货和可询型号，方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 39 个公开可查询型号。

进入实时筛选候选转 BOM封装询价台对比前 5 个
39匹配型号 8常见品牌 1相关分类
按品牌继续
AGMSEMI(芯控源)23Bruckewell(隽佾)4ASDsemi(安森德)3Existar(毅芯达)3iCM(创芯微)3GOSEMICON(顾邦半导体)1ORIENTAL SEMI(东微)1RealChip(正芯半导体)1
按分类继续
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)39
采购提示
批量转 BOM提交封装需求实时筛选
封装核对PDFN3.3x3.3-8 只代表封装识别入口，正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。

PACKAGE COMPATIBILITY

PDFN3.3x3.3-8 同封装兼容核对台

同封装只代表初筛入口，不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、PDF 证据和不可放宽条件放到同一张核对表里。

同封装对比 封装需求转 BOM 封装询价台 查看判断方法
完整MPN

先用原型号和候选型号做一对一比对，避免只拿封装名替代完整型号。

引脚/尺寸

核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。

关键参数

电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。

制造商PDF

以官方 PDF 和修订版本为准，页面资料只作为采购初筛入口。

数量交期

同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。

不可放宽

把不能替代的参数写入 BOM 备注，减少业务和工程反复确认。

样本候选
AGM12N10APAGMSEMI(芯控源) · PDFN3.3x3.3-8转 BOMAGM60P85APAGMSEMI(芯控源) · PDFN3.3x3.3-8转 BOME030N5P8ML1Existar(毅芯达) · PDFN3.3x3.3-8转 BOM

PACKAGE DECISION

PDFN3.3x3.3-8 封装核对指南

把封装页从“型号列表”变成采购员可执行的筛选台：先统一封装写法，再按品牌、类目、库存和资料把候选缩小到可核价范围。

0 现货样本 / 39 个可查询型号
可合并检索写法
PDFN3.3X3.3-8PDFN3.3X3.38
01

先识别封装写法

PDFN3.3x3.3-8 可能会和 PDFN3.3X3.38 同时出现在资料或BOM里，先统一封装关键词再筛型号。

02

再核对品牌与类目

当前样本覆盖 AGMSEMI(芯控源)、Bruckewell(隽佾)、ASDsemi(安森德)、Existar(毅芯达)，常见分类包括 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，避免只按封装忽略应用参数。

03

保留可替代候选

同封装型号可先暂存或对比，提交 BOM 时写明可接受品牌、参数范围和交期要求。

04

下单前复查资料

封装页是入口，最终仍需核对制造商 PDF、引脚数、尺寸图、批号、包装和检测资料。

按 PDFN3.3x3.3-8 筛现货型号 对比候选型号 候选转 BOM 提交封装需求

RFQ HANDOFF

PDFN3.3x3.3-8 封装采购备注模板

把入口页里的候选型号、品牌封装、不可放宽参数和交付要求整理成可提交备注，方便业务继续确认库存、替代边界和报价。

带备注提交 BOM 
采购入口：PDFN3.3x3.3-8 封装
候选型号：AGM12N10AP / AGM60P85AP / E030N5P8ML1 / ASDM40DN20E-R / AGM40P35AP / ASDM30DN30E-R
品牌/制造商范围：AGMSEMI(芯控源) / Bruckewell(隽佾) / ASDsemi(安森德) / Existar(毅芯达) / iCM(创芯微)
分类范围：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
封装线索：PDFN3.3x3.3-8
需求数量：请按型号填写目标数量、阶梯数量或年用量
不可放宽参数：完整MPN、品牌/制造商、封装、引脚、电压、电流、温度等级、认证、替代边界
可接受替代范围：请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代
交付要求：批号、包装、交期、检测资料、含税报价、付款和交付条件
公开库存和价格仅用于采购初筛，最终以业务人员确认报价为准

SOURCING PATH

PDFN3.3x3.3-8 封装采购路径

把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。

品牌AGMSEMI(芯控源) / Bruckewell(隽佾) / ASDsemi(安森德) / Existar(毅芯达) 封装PDFN3.3x3.3-8
01

进入实时筛选

按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。

02

保留候选型号

把优先样本带入对比或 BOM，避免从搜索入口反复重新查找。

03

统一核价

业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。

04

资料复核

采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。

进入实时筛选 对比前 4 个 候选转 BOM 提交PDFN3.3x3.3-8 封装需求

BUYER ANSWER

同封装型号能直接替代吗？

不能直接判断。插件、SOIC-8、SOT-23、0603、SOP-8、SMD3225-4P 这类封装入口只适合初筛，正式替代还要逐项核对完整 MPN、引脚定义、外形尺寸、关键电气参数、温度等级、生命周期、制造商 PDF 和应用场景，并把原型号、候选型号、数量、交期和不可放宽参数一起提交 BOM 复核。

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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

AGM12N10AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM12N10AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，AGM12N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM60P85AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM60P85AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，AGM60P85AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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E030N5P8ML1

Existar(毅芯达)

E030N5P8ML1，Existar(毅芯达)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，1个N沟道漏源电压(Vdss):30V连续漏极电流(Id):40A功率(Pd)30W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.4V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@10V栅极电荷(
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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ASDM40DN20E-R

ASDsemi(安森德)

ASDM40DN20E-R，ASDsemi(安森德)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，Trench Power LV MOSFET 技术。出色的散热封装。高密度单元设计，实现低导通电阻 RDS(Ω)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM40P35AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM40P35AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，AGM40P35AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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ASDM30DN30E-R

ASDsemi(安森德)

ASDM30DN30E-R，ASDsemi(安森德)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，100% EAS保证。绿色环保器件。超低栅极电荷。出色的CdV/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM30P16MBP

AGMSEMI(芯控源)

AGM30P16MBP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，类型：双P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20.5A 功率(Pd)：24W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.5mΩ@-10V,-10A 阈值电压(Vgs(th)@Id
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CMT4070K

iCM(创芯微)

CMT4070K，iCM(创芯微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，40V PDFN3*3封装MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CMT2050K

iCM(创芯微)

CMT2050K，iCM(创芯微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，20V PDFN3*3封装MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM14N10AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM14N10AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，AGM14N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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CMT3025K

iCM(创芯微)

CMT3025K，iCM(创芯微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，30V PDFN3*3封装MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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AGM403AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM403AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，AGM403AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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RCJ7118

RealChip(正芯半导体)

RCJ7118，RealChip(正芯半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，特性：VGS =-30V。 ID =-36.1 A。 RDS(on) < 12m。 RDS(on) < 19m。 VGS =-4.5V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM306MBP

AGMSEMI(芯控源)

AGM306MBP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，AGM306MBP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM01P15AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM01P15AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，AGM01P15AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
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GBS032R4PMBR

GOSEMICON(顾邦半导体)

GBS032R4PMBR，GOSEMICON(顾邦半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，N-channel 30V 1.55mΩ (Typ) Power MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM314MAP

AGMSEMI(芯控源)

AGM314MAP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，AGM314MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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E030N6P0ML1

Existar(毅芯达)

E030N6P0ML1，Existar(毅芯达)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，1个N沟道漏源电压(Vdss):30V连续漏极电流(Id):30A功率(Pd)30W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.4V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V栅极电荷(Qg
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM20P30AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM20P30AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，AGM20P30AP将先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM612MBP

AGMSEMI(芯控源)

AGM612MBP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，AGM612MBP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM60P14AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM60P14AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，AGM60P14AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM614MBP

AGMSEMI(芯控源)

AGM614MBP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，AGM614MBP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM304AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM304AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，AGM304AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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AGM1095MAP

AGMSEMI(芯控源)

AGM1095MAP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，AGM1095MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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ASDM30P30BE-R

ASDsemi(安森德)

ASDM30P30BE-R，ASDsemi(安森德)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，特性：低导通电阻。 快速开关。 有环保器件可供选择。应用：MB/VGA/Vcore。 POE应用
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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E030P7P8ML1

Existar(毅芯达)

E030P7P8ML1，Existar(毅芯达)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，1个P沟道漏源电压(Vdss):30V连续漏极电流(Id):44A功率(Pd)24W阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.8mΩ@10V栅极电荷(
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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AGM1075MBP

AGMSEMI(芯控源)

AGM1075MBP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，AGM1075MBP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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MSHM60P14

Bruckewell(隽佾)

MSHM60P14，Bruckewell(隽佾)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，该器件采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻RDS(ON)降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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AGM2025AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM2025AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：115A 功率(Pd)：69W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.4mΩ@4.5V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：70nC@4.5
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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MSHM40N085

Bruckewell(隽佾)

MSHM40N085，Bruckewell(隽佾)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，N-Channel Power MOSFET,40V,43A,DFN3x3
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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MSHM30N46

Bruckewell(隽佾)

MSHM30N46，Bruckewell(隽佾)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，N-Channel Power MOSFET,30V,46A,DFN3x3
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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AGM40P25AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM40P25AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流（Id）：19A功率(Pd）：34W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：32mΩ@10V,10A 栅极电荷（Qg@Vgs）19.3nC@10V 输入电容
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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AGM613AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM613AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：23A 功率(Pd)：31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：13.5nC@10V 输
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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AGM311MAP-M1

AGMSEMI(芯控源)

AGM311MAP-M1，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，AGM311MAP-M1将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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AGM1030AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM1030AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：26W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@10V,10A 栅极电荷(Qg@Vgs)：8.0nC@10V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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AGM308MAP

AGMSEMI(芯控源)

AGM308MAP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：28A/-28A 功率(Pd)：24W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,15A;12.5mΩ@-10V,-
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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MSHM40P40

Bruckewell(隽佾)

MSHM40P40，Bruckewell(隽佾)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，P-Channel Power MOSFET,-40V,-40A,DFN3x3
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM3045AP

AGMSEMI(芯控源)

AGM3045AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：65W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.6mΩ@10V,30A 栅极电荷(Qg@Vgs)：34nC@10V 输
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SFS06R045UNF

ORIENTAL SEMI(东微)

SFS06R045UNF，ORIENTAL SEMI(东微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN3.3x3.3-8封装，询盘确认库存，FSMOS MOSFET基于独特的器件设计，实现了低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。低阈值电压（Vth）系列专为低驱动电压的同步整流系统进行了特别优化。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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PACKAGE FAQ

PDFN3.3x3.3-8 封装采购常见问题

PDFN3.3x3.3-8 封装在华芯购有多少可查询型号？

当前 PDFN3.3x3.3-8 封装页收录 39 个公开可查询型号，本页优先展示 近期可询样本。

筛选 PDFN3.3x3.3-8 封装型号时还要核对什么？

除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。

PDFN3.3x3.3-8 封装找不到完全一致型号怎么办？

可以从 AGMSEMI(芯控源)、Existar(毅芯达)、ASDsemi(安森德)、iCM(创芯微)、RealChip(正芯半导体) 或 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。