制造商现货
Wayon(上海维安) 制造商型号现货与清单询价
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129匹配型号
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
WE03DUCS
Wayon(上海维安)
特性：小外形尺寸：0.60mm x 0.30mm · 保护一个I三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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WS03D5-B
Wayon(上海维安)
特性：每线360瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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WS03DLC-B
Wayon(上海维安)
特性：350 瓦每线峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20 μs)TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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WMQ50P03T1
Wayon(上海维安)
WMQ50P03T1采用先进的功率沟槽技术 · 该技术经过特别设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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WS05DLC-B
Wayon(上海维安)
特性：每线350瓦峰值脉冲功率（tp = 8 · 20μs）TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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WMB020N03LG4
Wayon(上海维安)
采用第四代功率沟槽MOSFET技术 · 专门设计用于最小化导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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WMQ050N03LG4
Wayon(上海维安)
WMQ050N03LG4采用了的第四代功率沟槽MOSFET技术 · 该技术经过特别设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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WR0332-12A50R
Wayon(上海维安)
是一种高精度、低噪声、高速、低压差、具有高电源抑制比 (PSRR) 的CMOS线性稳压器 · 可提供300电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-5
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WR0332-25A30R
Wayon(上海维安)
是一种高精度、低噪声、高速、低压差、具有高电源抑制比 (PSRR) 的CMOS线性稳压器 · 可提供300电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-3
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WR0332-30A30R
Wayon(上海维安)
是一种高精度、低噪声、高速、低压差、具有高电源抑制比 (PSRR) 的CMOS线性稳压器 · 可提供300电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-3
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WMO25N10T1
Wayon(上海维安)
WMO25N10T1采用先进的功率沟槽技术 · 该技术经过特别优化三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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WMO5N50D1B
Wayon(上海维安)
旨在大幅降低导通电阻和超低栅极电荷 · 适用于需要高功率密度和高效率的应用三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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WR0332-33A30R
Wayon(上海维安)
是一种高精度、低噪声、高速、低压差、具有高电源抑制比 (PSRR) 的CMOS线性稳压器 · 可提供300电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-3
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WMB060N10LGS
Wayon(上海维安)
WMB060N10LGS采用了第二代功率沟槽MOSFET技术 · 该技术经过特别优化三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5060-8L
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WMO15N10T1
Wayon(上海维安)
WMO15N10T1采用先进的功率沟槽技术 · 该技术经过特别设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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WMO10N70C4
Wayon(上海维安)
利用电荷平衡技术实现极低导通电阻和低栅极电荷性能 · 适用于要求卓越功率密度和出色效率的应用三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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WR0332-18A50R
Wayon(上海维安)
是一种高精度、低噪声、高速、低压差、具有高电源抑制比 (PSRR) 的CMOS线性稳压器 · 可提供300电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-5
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WMD7N50RC
Wayon(上海维安)
漏源电压\n500V\n连续漏极电流\n7A\n导通电阻\n1.1Ω@10V · 2.5A\n耗散功率\n6三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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WMO50N06TS
Wayon(上海维安)
WMO50N06TS采用先进的功率沟槽技术 · 该技术经过特别优化三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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WMLL013N08HGS
Wayon(上海维安)
采用先进的功率沟槽MOSFET技术 · 专门设计用于最小化导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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WMB115N15HG4
Wayon(上海维安)
WMB115N15HG4采用了第四代功率沟槽MOSFET技术 · 该技术经过特别优化三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5060-8L
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WML25N65EM
Wayon(上海维安)
WMOSTM EM 是第三代超结 MOSFET 产品系列 · 采用电荷平衡技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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WMO08N65C4
Wayon(上海维安)
WMOSTM C4是第四代超结MMOSFET产品系列 · 采用电荷平衡技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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WML80R350S
Wayon(上海维安)
WMOS S 是新一代超结 MOSFET 产品系列 · 采用电荷平衡技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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WMO80R720S
Wayon(上海维安)
WMOSTM S 是新一代超结 MOSFET 系列产品 · 采用电荷平衡技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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WML28N65F2
Wayon(上海维安)
WMOSTM F2 是 第二代具有快速体二极管的超结 MOSFET 系列 · F2 系列具备快速开关 SJ三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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WML26N60C4
Wayon(上海维安)
WMOSTM C4是第四代超结MOSFET系列产品 · 采用电荷平衡技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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WMO10N65C4
Wayon(上海维安)
WMOSTM C4是第四代超结MOSFET系列产品 · 采用电荷平衡技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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WR0332-28A50R
Wayon(上海维安)
是一种高精度、低噪声、高速、低压差、具有高电源抑制比 (PSRR) 的CMOS线性稳压器 · 可提供300电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-5
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WMK36N60C4
Wayon(上海维安)
WMOS™ C4是第四代超结MOSFET产品系列 · 它采用电荷平衡技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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WMB043N10LGS
Wayon(上海维安)
WMB043N10LGS采用了功率沟槽MOSFET技术 · 该技术经过特别优化三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5060-8L
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WML25N80M3
Wayon(上海维安)
WMOSTM M3 是第三代 800V 超结 MOSFET 产品系列 · 采用电荷平衡技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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WMO175N10LG2
Wayon(上海维安)
N沟道增强型功率MOSFET N沟道 耐压:100V 电流:44A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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WML10N65C4
Wayon(上海维安)
WMOSTM C4是第四代超结MOSFET系列产品 · 采用电荷平衡技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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WML14N65C4
Wayon(上海维安)
WMOSTM C4 是第四代超结 MOSFET 产品系列 · 采用电荷平衡技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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WMK119N12LG4
Wayon(上海维安)
WMK119N12LG4采用了第四代功率沟槽MOSFET技术 · 该技术经过特别设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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