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WMB043N10LGS Wayon(上海维安) 现货与清单询价

WMB043N10LGS，Wayon(上海维安)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN5060-8L封装，询盘确认库存，WMB043N10LGS采用了功率沟槽MOSFET技术，该技术经过特别优化，可在降低导通电阻的同时保持出色的开关性能。此器件非常适合高效快速开关应用。