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WM02N08F Wayon(上海维安) 现货与清单询价
WM02N08F，Wayon(上海维安)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-1006-3L封装，询盘确认库存，特性：VDS = 20V。 ID = 0.75A。 RDS(on) < 0.38Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(on) < 0.45Ω @ VGS = 2.5V。 沟槽低压MOSFET技术。 ESD保护
- MPN
- WM02N08F
- 品牌/制造商
- Wayon(上海维安)
- 封装
- DFN-1006-3L
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/WM02N08F