制造商现货
Truesemi(信安) 制造商型号现货与清单询价
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105匹配型号
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
TSF4N90M
Truesemi(信安)
此功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术生产 · 该先进技术经过特别设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220FP-3
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TSB40N25M
Truesemi(信安)
该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术 · 可最大限度地降低导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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TSA28N50M
Truesemi(信安)
该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术 · 这种先进技术专门用于最小化导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3P-3
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TSA40N20M
Truesemi(信安)
这款功率 MOSFET 采用先进的平面条形 DMOS 技术制造 · 该先进技术经过专门设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3P
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TSP32N20M
Truesemi(信安)
这款功率MOSFET采用芯导科技（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造 · 这项先进技术经过专门三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSF65R550
Truesemi(信安)
65R550是一款功率MOSFET · 采用了东微半导体（Truesemi）先进的超结技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TSF14N30M
Truesemi(信安)
特性：高电压：BVDSS = 300V(Min.) · 低CRSS：CRSS = 19pF(Typ.)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TSD6N50M
Truesemi(信安)
6N50采用先进的高压MOSFET工艺制造 · 旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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TSU5N60M
Truesemi(信安)
这款功率MOSFET采用了东微半导（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造 · 该先进技术经过特别三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-251
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TSA25N50MD
Truesemi(信安)
这款功率MOSFET采用了东微半导体（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造 · 这项先进技术经过三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3P
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TSP40N25M
Truesemi(信安)
该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术 · 该先进技术经过特别设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSA50N20M
Truesemi(信安)
该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术 · 这种先进技术经过特别设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3P
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TSP50N20M
Truesemi(信安)
This Power MOSFET is produced using Truesemi's advance三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSF16N25M
Truesemi(信安)
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造 · 这项先进技术经过特别设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TSA12N90M
Truesemi(信安)
特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术 · 该技术可降低导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3P
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TSK50N50M
Truesemi(信安)
特性：该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术 · 此技术可最小化导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
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TSK65R140SD
Truesemi(信安)
65R140 是一款功率 MOSFET · 采用了东微半导体（Truesemi）先进的超结技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
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TSP18N20M
Truesemi(信安)
这款功率MOSFET采用了东微半导体（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造 · 这项先进技术经过三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSF10N80M
Truesemi(信安)
该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造 · 该先进技术专门用于最小化导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TSA20N50MR
Truesemi(信安)
该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术 · 该先进技术特别设计用于最小化导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3P-3
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TSU5N65M
Truesemi(信安)
该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术 · 该先进技术专门用于最小化导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-251
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TSP740MR
Truesemi(信安)
这款功率MOSFET采用了东微半导体（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造 · 这项先进技术经过三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSD65R300
Truesemi(信安)
65R300 是一款功率 MOSFET · 采用了东微半导体（Truesemi）先进的超结技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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TSF65R190S3
Truesemi(信安)
SJ-FET是新一代高压MOSFET系列 · 采用先进的电荷平衡机制三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TSK65R099
Truesemi(信安)
65R099 是一款功率 MOSFET · 采用了东微半导体（Truesemi）先进的超结技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
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TSP40N20M
Truesemi(信安)
这款功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术 · 该先进技术经过特别设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSF18N50MD
Truesemi(信安)
特性：采用先进的平面条纹DMOS技术 · 最大电流18.0A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TSA20N60MR
Truesemi(信安)
该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造 · 这项先进技术专门设计用于最小化导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3P-3
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TSK50N50MZ
Truesemi(信安)
特性：该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造 · 此技术旨在最小化导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
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