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TSA12N90M Truesemi(信安) 现货与BOM询价

TSA12N90M,Truesemi(信安),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-3P封装,询盘确认库存,特性:采用先进的平面条纹 DMOS 技术,该技术可降低导通电阻,提供出色的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 12A,900V,最大导通电阻 RDS(on)=1.1Ω(VGS=10V 时)。 低栅极电荷:Qg =

MPN
TSA12N90M
品牌/制造商
Truesemi(信安)
封装
TO-3P
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/TSA12N90M
公开引用边界

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