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TSK50N50M Truesemi(信安) 现货与BOM询价

TSK50N50M,Truesemi(信安),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-247封装,询盘确认库存,特性:该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术,此技术可最小化导通电阻,提供出色的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 50A,500V,最大RDS(on)=0.11Ω @VGS=10V。 低栅极电荷。 高

MPN
TSK50N50M
品牌/制造商
Truesemi(信安)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/TSK50N50M
公开引用边界

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