制造商现货
LONTEN(龙腾半导体) 制造商型号现货与清单询价
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78匹配型号
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
LSGNE03R098WB
LONTEN(龙腾半导体)
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用分裂栅沟槽DMOS技术 · 这种先进技术经过专门设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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LSG65R650HT
LONTEN(龙腾半导体)
采用先进的超结技术制造 · 由此产生的器件具有极低的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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LSG65R950HT
LONTEN(龙腾半导体)
采用先进的超结技术制造 · 由此产生的器件具有极低的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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LND18N50
LONTEN(龙腾半导体)
功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造 · 由此产生的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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LSF65R380HT
LONTEN(龙腾半导体)
采用先进的超结技术制造 · 由此产生的器件具有极低的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-262-3
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LNE06R062
LONTEN(龙腾半导体)
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术 · 这种先进技术经过专门设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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LNE08R085
LONTEN(龙腾半导体)
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术 · 这种先进技术经过特别设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
询盘确认
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LND7N65D
LONTEN(龙腾半导体)
该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造 · 由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
询盘确认
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LND10N65
LONTEN(龙腾半导体)
功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造 · 由此制成的器件具有低导通三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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LND12N65
LONTEN(龙腾半导体)
该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造 · 由此生产出的器件具有低三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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LSD80R2K8GT
LONTEN(龙腾半导体)
采用先进的超结技术制造 · 由此产生的器件具有极低的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220MF
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LSF65R570GT
LONTEN(龙腾半导体)
采用先进的超结技术制造 · 由此产生的器件具有极低的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-262-3
询盘确认
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LSGN04R025
LONTEN(龙腾半导体)
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用分裂栅沟槽DMOS技术 · 这种先进技术经过专门设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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LSG65R1K6GT
LONTEN(龙腾半导体)
采用先进的超级结技术制造 · 由此产生的器件具有极低的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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LSE65R570GT
LONTEN(龙腾半导体)
采用先进的超结技术制造 · 由此产生的器件具有极低的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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LSE70R380GT
LONTEN(龙腾半导体)
采用先进的超结技术制造 · 由此产生的器件具有极低的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263-2L
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LNG04R120
LONTEN(龙腾半导体)
N-Channel增强模式功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术 · 这种先进技术经过特别设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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LND10N60
LONTEN(龙腾半导体)
功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造 · 由此生产的器件具有低导通三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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LSH65R380GT
LONTEN(龙腾半导体)
采用先进的超级结技术制造 · 由此产生的器件具有极低的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-251
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LSD65R930GT
LONTEN(龙腾半导体)
采用先进的超结技术制造 · 由此产生的器件具有极低的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
询盘确认
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LNH08R085
LONTEN(龙腾半导体)
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽 DMOS 技术 · 这项先进技术经过专门设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-251
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LSG60R2K5HT
LONTEN(龙腾半导体)
采用先进的超结技术制造 · 由此产生的器件具有极低的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
询盘确认
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LSF65R180GT
LONTEN(龙腾半导体)
LonFET™功率MOSFET采用先进的超结技术制造 · 由此生产出的器件具有极低的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-262-3
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LSDN55R140GT
LONTEN(龙腾半导体)
采用先进的超结技术制造 · 由此产生的器件具有极低的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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LNC04R035B
LONTEN(龙腾半导体)
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术 · 这种先进技术经过专门设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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LND5N50
LONTEN(龙腾半导体)
功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造 · 由此产生的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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LNG045R210
LONTEN(龙腾半导体)
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术 · 这种先进技术经过专门设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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LSF65R380GF
LONTEN(龙腾半导体)
LonFET™功率MOSFET采用先进的超结技术制造 · 由此制成的器件导通电阻极低三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-262-3
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LNG045R140
LONTEN(龙腾半导体)
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术 · 这种先进技术经过专门设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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LSD60R105HF
LONTEN(龙腾半导体)
采用先进的超结技术制造 · 由此产生的器件具有极低的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220MF
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LSH65R650HT
LONTEN(龙腾半导体)
采用先进的超结技术制造 · 由此产生的器件具有极低的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-251
询盘确认
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LNC10R040W3
LONTEN(龙腾半导体)
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用了分裂栅沟槽DMOS技术 · 这项先进技术经过专门设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220FB-3
询盘确认
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LNC12N60
LONTEN(龙腾半导体)
该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造 · 由此生产出的器件具有低三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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LND06R079
LONTEN(龙腾半导体)
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术 · 这种先进技术经过特别设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220MF
询盘确认
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LND4N65
LONTEN(龙腾半导体)
功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造 · 由此生产的器件具有低导通三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
询盘确认
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LNE10N65
LONTEN(龙腾半导体)
功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造 · 由此制成的器件具有低导通三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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LSB55R140GF
LONTEN(龙腾半导体)
采用先进的超结技术制造 · 由此产生的器件具有极低的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
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LSGC03R020
LONTEN(龙腾半导体)
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用了分裂栅沟槽 DMOS 技术 · 这项先进技术经过特别设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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LSGC085R041W3
LONTEN(龙腾半导体)
特性：极低的导通电阻RDS(on) · 出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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LSGE06R046HWB
LONTEN(龙腾半导体)
N沟道增强型功率场效应晶体管采用分裂栅沟槽DMOS技术 · 这种先进技术专门用于最小化导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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LNC2N60
LONTEN(龙腾半导体)
功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造 · 由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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LND2N60
LONTEN(龙腾半导体)
功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造 · 由此产生的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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LNF10N60
LONTEN(龙腾半导体)
功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造 · 由此生产的器件具有低导通三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-262-3
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LNN04R050
LONTEN(龙腾半导体)
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术 · 这种先进技术经过特别设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8
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LSE80R680GT
LONTEN(龙腾半导体)
采用先进的超结技术制造 · 由此产生的器件具有极低的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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LSG65R380GF
LONTEN(龙腾半导体)
LonFET™功率MOSFET采用先进的超结技术制造 · 由此制成的器件导通电阻极低三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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LSG80R980GT
LONTEN(龙腾半导体)
采用先进的超结技术制造 · 由此产生的器件具有极低的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
询盘确认
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LSGNE04R075WB
LONTEN(龙腾半导体)
N-Channel增强型功率场效应晶体管采用分裂栅沟槽DMOS技术 · 这种先进技术专门用于最小化导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK
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