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LND12N65 LONTEN(龙腾半导体) 现货与清单询价

LND12N65，LONTEN(龙腾半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此生产出的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。漏源击穿电压（VDSS）650V，漏极电流（ID）12A，最大导通电阻（RDS(o

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MPN
LND12N65
品牌/制造商
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-220F
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/LND12N65
公开内容边界

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