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LND10N60 LONTEN(龙腾半导体) 现货与BOM询价

LND10N60，LONTEN(龙腾半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。漏源击穿电压（VDSS）600V，漏极电流（ID）10A，最大导通电阻（RDS(on)

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MPN
LND10N60
品牌/制造商
LONTEN(龙腾半导体)
封装
TO-220F
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/LND10N60
公开引用边界

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