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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
AZ431AN-ATRE1
DIODES(美台)
AZ431AN-ATRE1，DIODES(美台)，电源管理 > 电压基准芯片，SOT-23-3封装，1,609,000件现货，AZ431 - A是一款三端可调并联稳压器，在整个工作范围内具有热稳定性。它具有陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗，使其成为开关电源、充电器及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。AZ431 - A的输出电压可设置为VRE电源管理 > 电压基准芯片
SOT-23-3
1,609,000
询盘报价
查看详情 >AZ431AN-ATRG1
DIODES(美台)
AZ431AN-ATRG1，DIODES(美台)，电源管理 > 电压基准芯片，SOT-23-3封装，1,074,000件现货，AZ431 - A是一款三端可调并联稳压器，在整个工作范围内具有热稳定性。它具有陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗，使其成为开关电源、充电器及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。AZ431 - A的输出电压可设置为VRE电源管理 > 电压基准芯片
SOT-23-3
1,074,000
询盘报价
查看详情 >AIP1628
中微爱芯
AIP1628，中微爱芯，现货库存，SOP封装，850,000件现货现货库存
SOP
850,000
询盘报价
查看详情 >AZ1117H-3.3TRG1
DIODES
AZ1117H-3.3TRG1，DIODES，现货库存，SOT-223封装，404,000件现货现货库存
SOT-223
404,000
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查看详情 >AT8236
杭州中科微
AT8236，杭州中科微，电机驱动芯片 > 有刷直流电机驱动芯片，ESOP-8封装，349,500件现货，AT8236是一款直流有刷电机驱动器，能够以高达6A的峰值电流双向控制电机。利用电流衰减模式，可通过对输入信号进行脉宽调制(PWM) 来控制电机转速，同时具备低功耗休眠模式。 AT8236集成同步整流功能，可显著降低系统功耗要求。电机驱动芯片 > 有刷直流电机驱动芯片
ESOP-8
349,500
询盘报价
查看详情 >AO3422
AOS
AO3422，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，329,010件现货，特性：55V, 2A, RDS(ON) = 120mΩ@VGS = 10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件可供选择。应用：电机驱动。 电动工具三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
329,010
询盘报价
查看详情 >AS358MTR-G1
DIODES(美台)
AS358MTR-G1，DIODES(美台)，运算放大器/比较器 > 运算放大器，SO-8封装，320,000件现货，AS358/358A/358B由两个独立的、高增益且内部频率补偿的运算放大器组成，它们专为单电源供电而设计。也可以采用双电源供电，且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。典型应用包括传感器放大器、直流增益模块以及大多数传统运算放大器电路运算放大器/比较器 > 运算放大器
SO-8
320,000
询盘报价
查看详情 >AP3015AKTR-G1
DIODES(美台)
AP3015AKTR-G1，DIODES(美台)，电源管理 > DC-DC电源芯片，SOT-23-5封装，297,000件现货，AP3015/A 是脉冲频率调制（PFM）DC/DC 转换器。除开关电流限制外，这两款器件在功能上等效电源管理 > DC-DC电源芯片
SOT-23-5
297,000
询盘报价
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AON7318
AOS
AON7318，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-3x3封装，281,000件现货，Trench Power MOSFET technology。Low RDS(ON)。Low Gate Charge。High Current Capability。RoHS and Halogen-Free Compliant三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3
281,000
询盘报价
查看详情 >AO3418
AOS
AO3418，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，280,000件现货，特性：30V，3.8A，RDS(ON)=45mΩ@VGS=10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有环保器件可供选择。应用：MB/VGA/Vcore负载开关。 手持仪器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
280,000
询盘报价
查看详情 >AO3420
AOS
AO3420，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，280,000件现货，类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流(Id): 6.5A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
280,000
询盘报价
查看详情 >AO3400A
AOS/美国万代
AO3400A，AOS/美国万代，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，273,113件现货，特性：VDS(max) = 30V。 ID(max) = 5.8A。 RDS(ON) = 20mΩ(max)(VGS = 10V)。 RDS(ON) = 32mΩ(max)(VGS = 4.5V)。 改善的dv/dt能力。 有三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
273,113
询盘报价
查看详情 >AN431AN-ATRG1
DIODES(美台)
AN431AN-ATRG1，DIODES(美台)，电源管理 > 电压基准芯片，SOT-23-3封装，270,000件现货，AN431系列集成电路是三端可调并联稳压器，在整个工作范围内具有可靠的热稳定性。这些集成电路具有陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗，使其成为开关电源、充电器及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。这些集成电路的输出电压可设置为电源管理 > 电压基准芯片
SOT-23-3
270,000
询盘报价
查看详情 >AO3407A
AOS
AO3407A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，267,724件现货，特性：VDS(max) = -30V。 ID(max) = -4A。 RDS(ON) < 51mΩ (max)@VGS = -10V。 RDS(ON) < 70mΩ (max)@VGS = -4.5V。 先进沟槽技术。 出色的RDS(O三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
267,724
询盘报价
查看详情 >AT7456E
杭州中科微
AT7456E，杭州中科微，单片机/微控制器 > 单片机(MCU/MPU/SOC)，TSSOP-28封装，259,800件现货，视频字符叠加芯片，跟MAX7456-pin-pin单片机/微控制器 > 单片机(MCU/MPU/SOC)
TSSOP-28
259,800
询盘报价
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ACT45B-510-2P-TL003
TDK
ACT45B-510-2P-TL003，TDK，磁珠/滤波器/EMI优化 > 共模滤波器，SMD封装，256,400件现货，特性：兼容 -40至+150℃的工作温度范围，可用于需要耐高温的车辆设备。 符合AEC-Q200标准。应用：CAN-BUS。 FAXs磁珠/滤波器/EMI优化 > 共模滤波器
SMD
256,400
询盘报价
查看详情 >AO3402
AOS
AO3402，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，249,001件现货，MOS场效应管三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
249,001
询盘报价
查看详情 >ACPL-W314-500E
Broadcom(博通)
ACPL-W314-500E，Broadcom(博通)，光耦 > 栅极驱动光耦，SOP封装，246,600件现货，由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率I光耦 > 栅极驱动光耦
SOP
246,600
询盘报价
查看详情 >AO3414
AOS
AO3414，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，246,000件现货，特性：20V, 3A, RDS(ON) = 50mΩ@VGS = 4.5V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。 有环保器件。应用：笔记本电脑。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
246,000
询盘报价
查看详情 >AT2659S
杭州中科微
AT2659S，杭州中科微，射频芯片/天线 > 射频低噪声放大器，SOT-23-6封装，240,000件现货，AT2659S是一款具有低功耗、高增益、低噪声系数的低噪声放大器（LNA)芯片，支持L1频段多模式全球卫星定位，可以应用于北斗二代、GPS、伽利略、Glonass等GNSS导航设备中。芯片采用先进的SiGe工艺制造，采用2.9mm×2.8mm×1.1射频芯片/天线 > 射频低噪声放大器
SOT-23-6
240,000
询盘报价
查看详情 >ATTINY10-TSHR
Microchip(美国微芯)
ATTINY10-TSHR，Microchip(美国微芯)，现货库存，SOT-23-6封装，235,000件现货现货库存
SOT-23-6
235,000
询盘报价
查看详情 >ATTINY1616-MNR
Microchip(美国微芯)
ATTINY1616-MNR，Microchip(美国微芯)，现货库存，QFN-20-EP封装，215,000件现货现货库存
QFN-20-EP
215,000
询盘报价
查看详情 >AO3401A
AOS
AO3401A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，210,000件现货，AO3401A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
210,000
询盘报价
查看详情 >AO3406
AOS
AO3406，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，210,000件现货，特性：30V,3.5A, RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。 有环保器件可供选择。应用：MB/VGA/Vcore。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
210,000
询盘报价
查看详情 >AO4822A
AOS
AO4822A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，206,700件现货，N-CH三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
206,700
询盘报价
查看详情 >AO4612
AOS
AO4612，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，201,000件现货，1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
201,000
询盘报价
查看详情 >AQ24C-01FTG
ElecSuper(静芯)
AQ24C-01FTG，ElecSuper(静芯)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOD-323封装，191,819件现货，24V 单路双向ESD静电防护器件，30kV，CJ：15pF；CAN/CANFD、12V、24V电源防护。TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
191,819
询盘报价
查看详情 >AO6409
AOS
AO6409，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TSOP-6封装，190,000件现货，P沟 -20V -5.5A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSOP-6
190,000
询盘报价
查看详情 >AX3701ABA
Axelite(亚瑟莱特)
AX3701ABA，Axelite(亚瑟莱特)，电源管理 > DC-DC电源芯片，SOT-23-5封装，188,000件现货，AX3701是一款高效率的单片同步降压调节器,采用恒定频率、电流模式架构。该设备提供可调版本,无负载时的供电电流约为200μA,在关断模式下降至<1μA。1.4MHz的工作频率允许使用小型表面贴装电感器和电容器。内部同步开关提高了效率电源管理 > DC-DC电源芯片
SOT-23-5
188,000
询盘报价
查看详情 >AS179-92LF
SKYWORKS
AS179-92LF，SKYWORKS，射频芯片/天线 > 射频开关，SOT-363封装，178,995件现货，AS179-92LF是一款基于pHEMTGaAsFET的单刀双掷(SPDT)开关，具有低插入损耗和正电压操作，且功耗极低。该器件采用紧凑、低成本的2.00x1.25mm、6引脚SC-70封装。射频芯片/天线 > 射频开关
SOT-363
178,995
询盘报价
查看详情 >AP63205WU-7
DIODES(美台)
AP63205WU-7，DIODES(美台)，电源管理 > DC-DC电源芯片，SOT-26-6封装，177,000件现货，AP63200/AP63201/AP63203/AP63205是一款2A同步降压转换器，输入电压范围宽，为3.8V至32V，并且完全集成了一个125mΩ的高端功率MOSFET和一个68mΩ的低端功率MOSFET，以提供高效的降压式DC/电源管理 > DC-DC电源芯片
SOT-26-6
177,000
询盘报价
查看详情 >ASM330LHHTR
ST(意法半导体)
ASM330LHHTR，ST(意法半导体)，传感器 > 姿态传感器/陀螺仪，LGA-14封装，174,800件现货，汽车6轴惯性模块：3D加速度计和3D陀螺仪传感器 > 姿态传感器/陀螺仪
LGA-14
174,800
询盘报价
查看详情 >AO4407C
AOS
AO4407C，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，173,800件现货，产地：重庆 1个P沟道 耐压:30V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
173,800
询盘报价
查看详情 >AO3404A
AOS
AO3404A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，171,000件现货，特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 VDS = 30V。 ID = 5.8A（VGS = 10V）。 RDS(ON) = 18mΩ（典型值）@VGS = 10V。 RDS(ON) = 24mΩ（典型值）@VGS三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
171,000
询盘报价
查看详情 >AON7544
AOS
AON7544，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-3X3封装，165,000件现货，AON7544采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3X3
165,000
询盘报价
查看详情 >AON6512
AOS
AON6512，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，163,268件现货，N沟道,30V,150A,1.7mΩ@10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
163,268
询盘报价
查看详情 >AO3415A
AOS
AO3415A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，162,623件现货，特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。 漏源击穿电压V(BR)DSS为 -20V。 漏极电流ID为 -4A。 最大导通电阻RDS(ON)：在 -4.5V时为36mΩ，在 -三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
162,623
询盘报价
查看详情 >AT2401C
杭州中科微
AT2401C，杭州中科微，射频芯片/天线 > 射频前端芯片，QFN-16封装，157,500件现货，AT2401C是一款面向Zigbee，无线传感网络以及其他2.4GHz频段无线系统的全集成射频功能的射频前端单芯片。其内部集成了功率放大器（PA)，低噪声放大器（LNA)，芯片收发开关控制电路，输入输出匹配电路以及谐波滤波电路。射频芯片/天线 > 射频前端芯片
QFN-16
157,500
询盘报价
查看详情 >AON6354
AOS
AON6354，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，150,812件现货，沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。高电流能力。符合RoHS和无卤标准三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
150,812
询盘报价
查看详情 >AS321KTR-G1
DIODES(美台)
AS321KTR-G1，DIODES(美台)，运算放大器/比较器 > 运算放大器，SOT-23-5封装，150,000件现货，AS321是一款高增益、内部频率补偿的运算放大器，专为单电源供电而设计，也可采用双电源供电，且低电源电流消耗与电源电压大小无关。典型应用包括电池充电器、有源滤波器、通用控制器以及大多数传统运算放大器电路。运算放大器/比较器 > 运算放大器
SOT-23-5
150,000
询盘报价
查看详情 >AT24C16C-SSHM-T
JSMSEMI(杰盛微)
AT24C16C-SSHM-T，JSMSEMI(杰盛微)，存储器 > EEPROM，SOIC-8封装，149,210件现货，AT24C16C-SSHM-T是一款2K至16K位的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，写保护引脚可防止误写入，支持部分页面写入，具有高可靠性和增强的ESD/闩锁保护。存储器 > EEPROM
SOIC-8
149,210
询盘报价
查看详情 >AT24C64D-SSHM-T
Microchip(美国微芯)
AT24C64D-SSHM-T，Microchip(美国微芯)，现货库存，SOIC-8封装，148,431件现货现货库存
SOIC-8
148,431
询盘报价
查看详情 >AT24C128C-SSHM-T
Microchip(美国微芯)
AT24C128C-SSHM-T，Microchip(美国微芯)，现货库存，SOIC-8封装，145,881件现货现货库存
SOIC-8
145,881
询盘报价
查看详情 >AO3400C
AOS
AO3400C，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，141,000件现货，AO3400C 是电源开关器件，不支持高速信号。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
141,000
询盘报价
查看详情 >AP62301WU-7
DIODES(美台)
AP62301WU-7，DIODES(美台)，电源管理 > DC-DC电源芯片，SOT-23-6封装，141,000件现货，AP62300/AP62301/AP62300T 是一款 3A 同步降压转换器，输入电压范围宽，为 4.2V 至 18V。该器件完全集成了一个 75mΩ 的高端功率 MOSFET 和一个 45mΩ 的低端功率 MOSFET，可实现高效的电源管理 > DC-DC电源芯片
SOT-23-6
141,000
询盘报价
查看详情 >AMC1200BDWVR
TI(德州仪器)
AMC1200BDWVR，TI(德州仪器)，运算放大器/比较器 > 隔离式放大器，SOIC-8封装，139,209件现货，AMC1200 ±250mV 输入、精密电流检测基本隔离式放大器运算放大器/比较器 > 隔离式放大器
SOIC-8
139,209
询盘报价
查看详情 >AT24C02C-SSHM-T
JSMSEMI(杰盛微)
AT24C02C-SSHM-T，JSMSEMI(杰盛微)，存储器 > EEPROM，SOP-8封装，137,762件现货，AT24C02C-SSHM-T是一款2K位串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。提供多种封装选项，包括8引脚PDIP/SOP/TSSOP/UDFN和WLCSP4。存储器 > EEPROM
SOP-8
137,762
询盘报价
查看详情 >AP2210K-3.3TRG1
美台超美超美
AP2210K-3.3TRG1，美台超美超美，现货库存，SOT-23-5封装，135,000件现货现货库存
SOT-23-5
135,000
询盘报价
查看详情 >AT24C32D-SSHM-T
Microchip(美国微芯)
AT24C32D-SSHM-T，Microchip(美国微芯)，现货库存，SOIC-8封装，133,136件现货现货库存
SOIC-8
133,136
询盘报价
查看详情 >ACPL-P480-500E
Broadcom(博通)
ACPL-P480-500E，Broadcom(博通)，光耦 > 逻辑输出光耦，SOIC-6封装，131,876件现货，高速光耦合器包含 GaAsP 发光二极管和内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异最小化，通过减少开关死区时间提高逆变器效率。光耦 > 逻辑输出光耦
SOIC-6
131,876
询盘报价
查看详情 >AON7408
AOS
AON7408，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，130,000件现货，N-CH三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
130,000
询盘报价
查看详情 >ACS711KEXLT-31AB-T
ALLEGRO(美国埃戈罗)
ACS711KEXLT-31AB-T，ALLEGRO(美国埃戈罗)，传感器 > 电流传感器，QFN-12封装，129,500件现货，ACS711为低于100V的音频、通信系统和白色家电中的交流或直流电流检测提供了经济且精确的解决方案。该器件封装便于客户轻松实现应用。典型应用包括电路保护、电流监测以及电机和逆变器控制传感器 > 电流传感器
QFN-12
129,500
询盘报价
查看详情 >AO3416
AOS
AO3416，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，129,000件现货，使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于用作负载开关或PWM应用，具有ESD保护功能。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
129,000
询盘报价
查看详情 >AO3423
AOS
AO3423，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，129,000件现货，特性：-20V, -2.0A, RDS(ON) = 95mΩ@VGS = -4.5V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。 有环保器件。应用：笔记本电脑。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
129,000
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查看详情 >AT24C256C-SSHL-T
Microchip(美国微芯)
AT24C256C-SSHL-T，Microchip(美国微芯)，现货库存，SOIC-8封装，124,458件现货现货库存
SOIC-8
124,458
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查看详情 >AZ1117CH-3.3TRG1
DIODES/美台
AZ1117CH-3.3TRG1，DIODES/美台，现货库存，SOT-223-3封装，120,925件现货现货库存
SOT-223-3
120,925
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查看详情 >AO3403
AOS
AO3403，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，120,000件现货，特性：-30V, -3.0A, RDS(ON) = 85mΩ @ VGS = -10V。快速开关。有环保器件。适用于 -4.5V 栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
120,000
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查看详情 >AO3442
AOS
AO3442，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，120,000件现货，特性：100V, 1.3A, RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件。应用：网络。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
120,000
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查看详情 >AO4468
AOS
AO4468，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，120,000件现货，特性：高密度单元设计，超低导通电阻。 雪崩电压和电流经过全面表征。 出色的散热封装。应用：电源开关应用三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
120,000
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查看详情 >AON7534
AOS
AON7534，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-3X3封装，120,000件现货，N沟三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3X3
120,000
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查看详情 >ACPL-W341-500E
Broadcom(博通)
ACPL-W341-500E，Broadcom(博通)，光耦 > 栅极驱动光耦，SOP-6封装，117,701件现货，包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常光耦 > 栅极驱动光耦
SOP-6
117,701
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查看详情 >ATMEGA8A-AU
Microchip(美国微芯)
ATMEGA8A-AU，Microchip(美国微芯)，现货库存，TQFP-32封装，116,000件现货现货库存
TQFP-32
116,000
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查看详情 >AMS1117-5.0
AMS
AMS1117-5.0，AMS，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-223封装，116,000件现货，稳定的5V输出电压及1A连续电流能力，可在最高18V输入电压下保持高效稳定运作电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-223
116,000
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查看详情 >A1221LLHLX-T
ALLEGRO(美国埃戈罗)
A1221LLHLX-T，ALLEGRO(美国埃戈罗)，传感器 > 线性霍尔传感器，SOT-23W封装，115,820件现货，霍尔效应锁存传感器 > 线性霍尔传感器
SOT-23W
115,820
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查看详情 >ADP150AUJZ-3.3-R7
ADI(亚德诺)
ADP150AUJZ-3.3-R7，ADI(亚德诺)，现货库存，SOT-23-5封装，112,900件现货现货库存
SOT-23-5
112,900
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查看详情 >AO4606
AOS
AO4606，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，112,695件现货，使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并且可以在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
112,695
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查看详情 >AT24C02D-SSHM-T
JSMSEMI(杰盛微)
AT24C02D-SSHM-T，JSMSEMI(杰盛微)，存储器 > EEPROM，SOIC-8封装，112,451件现货，AT24C02D-SSHM-T存储器 > EEPROM
SOIC-8
112,451
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查看详情 >ADP123AUJZ-R7
ADI(亚德诺)
ADP123AUJZ-R7，ADI(亚德诺)，现货库存，SOT-23-5封装，112,300件现货现货库存
SOT-23-5
112,300
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查看详情 >ACM2520-301-2P-T002
TDK
ACM2520-301-2P-T002，TDK，磁珠/滤波器/EMI优化 > 共模滤波器，SMD封装，112,154件现货，特性：小型绕线式芯片共模滤波器，保持所需的共模滤波特性，对共模噪声的阻抗可超过1000Ω（100MHz），具有出色的EMC抑制能力。 差模阻抗受到抑制，因此对高速信号几乎没有影响。 有两线式和三线式，可用于各种电路和噪声。 工作温度范围磁珠/滤波器/EMI优化 > 共模滤波器
SMD
112,154
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查看详情 >AD5160BRJZ10-RL7
ADI(亚德诺)
AD5160BRJZ10-RL7，ADI(亚德诺)，ADC/DAC/数据转换 > 数字电位器，SOT-23-8封装，110,350件现货，提供了一个2.9mm×3mm封装的解决方案，适用于256位置调整应用。这些器件与机械电位器或可变电阻器具有相同的电子调节功能，但具有更高的分辨率、固态可靠性和优异的低温系数性能。通过SPI兼容数字接口可控制抽头设置。固定电ADC/DAC/数据转换 > 数字电位器
SOT-23-8
110,350
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查看详情 >AONR21321
AOS
AONR21321，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-3X3封装，110,000件现货，1个P沟道 耐压:30V 电流:24A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3X3
110,000
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查看详情 >AT25SF161-SSHD-T
RENESAS(瑞萨)/IDT
AT25SF161-SSHD-T，RENESAS(瑞萨)/IDT，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，109,900件现货，停产 支持双I/O和四I/O，最小工作电压2.5V的16Mbit SPI串行闪存存储器 > NOR FLASH
SOP-8
109,900
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查看详情 >AO3415
AOS
AO3415，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，108,000件现货，PMOS 漏源电压(Vdss)：20V VGS=±12V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)):37mΩ@4.5V,3A 耗散功率(Pd):1.5W三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
108,000
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查看详情 >AO4435
AOS
AO4435，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，108,000件现货，特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作。 漏源电压（VDS）：-30V。 漏极电流（ID）：-12A。 导通电阻（RDS(ON)）< 20mΩ（VGS = 10V）。应用：电池保护。 其他开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
108,000
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查看详情 >AP2553AW6-7
DIODES(美台)
AP2553AW6-7，DIODES(美台)，电源管理 > 功率电子开关，SOT-26封装，107,474件现货，单通道精密可调限流开关，适用于需要精密限流的应用，或在重载/短路时提供高达2.1A的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻在75mA至2.36A（典型值）之间设置可编程的电流限制阈值。在高电流限制设置下，可实现±6%的电流限制精度。控制上升和下降时电源管理 > 功率电子开关
SOT-26
107,474
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查看详情 >AS78L05RTR-E1
DIODES/美台
AS78L05RTR-E1，DIODES/美台，现货库存，SOT-89封装，107,000件现货现货库存
SOT-89
107,000
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查看详情 >AMS1117-2.5
AMS
AMS1117-2.5，AMS，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-223封装，106,151件现货，AMS1117是一個輸出電流達到1A的三端輸出低壓差線性穩壓器，有1.2V、1.8V、2.5V、3.3V、5.0V及可調節輸出電壓等各種版本，其電壓降在1A時僅為1.2V。以其優良的性能和極度的經濟性能，適用於各種電器產品。电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-223
106,151
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查看详情 >A5973ADTR
ST(意法半导体)
A5973ADTR，ST(意法半导体)，电源管理 > DC-DC电源芯片，SOP-8封装，102,500件现货，最高1.5 A的降压开关稳压器，用于汽车应用电源管理 > DC-DC电源芯片
SOP-8
102,500
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查看详情 >AO4441
AOS
AO4441，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，102,000件现货，P沟道,-60V,-4A,100mΩ@-10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
102,000
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查看详情 >AW-NM372SM
英飞凌
AW-NM372SM，英飞凌，现货库存，QFN-3封装，100,500件现货现货库存
QFN-3
100,500
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AT24C02C-MAHM-T
Microchip(美国微芯)
AT24C02C-MAHM-T，Microchip(美国微芯)，现货库存，N封装，100,000件现货现货库存
N
100,000
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查看详情 >AO4406A
AOS
AO4406A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，99,000件现货，特性：使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)。 低栅极电荷。 栅极电压低至4.5V时可工作。 VDS = 30V。 ID = 12A。 RDS(ON) < 13mΩ（VGS = 10V）。应用：电池保护。 其他开关应用三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
99,000
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查看详情 >AO4407A
AOS
AO4407A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，99,000件现货，使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和超低的栅极电荷，栅极额定电压为25V。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。产品为无铅产品（符合ROHS和索尼259规格）。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
99,000
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查看详情 >AO4419
AOS
AO4419，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，99,000件现货，P-MOS三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
99,000
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查看详情 >AO4447A
AOS
AO4447A，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，99,000件现货，P沟 30V 17A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
99,000
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查看详情 >AON6411
AOS
AON6411，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6封装，99,000件现货，P沟道,-20V,-85A,2.5mΩ@-4.5V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6
99,000
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查看详情 >AON6413
AOS
AON6413，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6封装，99,000件现货，1个P沟道 耐压:30V 电流:32A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6
99,000
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查看详情 >AON7405
AOS
AON7405，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN3.3X3.3封装，99,000件现货，P沟道三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN3.3X3.3
99,000
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查看详情 >AONS21321
AOS
AONS21321，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6封装，99,000件现货，1个P沟道 耐压:30V 电流:24A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6
99,000
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查看详情 >AONS21357
AOS
AONS21357，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6封装，99,000件现货，1个P沟道 耐压:30V 电流:21A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6
99,000
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查看详情 >ATMEGA168PA-AU
Microchip(美国微芯)
ATMEGA168PA-AU，Microchip(美国微芯)，现货库存，TQFP-32封装，97,000件现货现货库存
TQFP-32
97,000
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查看详情 >AO4614B
AOS
AO4614B，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，96,000件现货，使用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器和其他应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
96,000
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查看详情 >AO4800
AOS
AO4800，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，96,000件现货，N沟道,30V,6.9A,27mΩ@10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
96,000
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查看详情 >ADR3412ARJZ-R7
ADI(亚德诺)
ADR3412ARJZ-R7，ADI(亚德诺)，现货库存，SOT-23-6封装，95,669件现货现货库存
SOT-23-6
95,669
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查看详情 >AT8833CT
杭州中科微
AT8833CT，杭州中科微，电机驱动芯片 > 步进电机驱动芯片，TSSOP-16封装，95,350件现货，AT8833为玩具、打印机和其它电机一体化应用提供一种集成的双通道电机驱动方案。AT8833有两路H桥驱动器，可以驱动两个直流有刷电机，或者一个双极步进电机，或者螺线管及其它感性负载。每一个H桥的功率输出级由N通道功率MOSFET组成，叫作H桥驱动器。电机驱动芯片 > 步进电机驱动芯片
TSSOP-16
95,350
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查看详情 >AOD407
AOS
AOD407，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，95,000件现货，AOD407采用先进的沟槽技术，可实现出色的 $\\mathsf{R}_{\\mathsf{DS}(\\mathsf{ON})}$、低栅极电荷和低栅极电阻。凭借DPAK封装出色的热阻特性，该器件非常适合大电流负载应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
95,000
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查看详情 >AMS1117-ADJ
AMS
AMS1117-ADJ，AMS，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-223封装，93,244件现货，AMS1117是一款低压差线性稳压电路，该电路输出电流能力为1A 。该系列电路包含固定输出电压版本和可调输出电压版本，其输出电压精度为±1.5% 。为了保证芯片和电源系统的稳定性，AMS1117内置热保护和电流限制保护功能，同时产品采用了修正技术，保证电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-223
93,244
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查看详情 >AT24C512C-SSHD-T
Microchip(美国微芯)
AT24C512C-SSHD-T，Microchip(美国微芯)，现货库存，SOIC-8封装，93,170件现货现货库存
SOIC-8
93,170
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查看详情 >ACT45B-220-2P-TL003
TDK
ACT45B-220-2P-TL003，TDK，磁珠/滤波器/EMI优化 > 共模滤波器，SMD封装，93,000件现货，贴片共模滤波电感磁珠/滤波器/EMI优化 > 共模滤波器
SMD
93,000
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查看详情 >AOD409
AOS
AOD409，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，92,500件现货，特性：高密度单元设计，实现超低导通电阻。 具备完全表征的雪崩电压和电流。 出色的封装，实现良好的散热。应用：PWM应用。 电源管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
92,500
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查看详情 >AP4310AMTR-G1
DIODES(美台)
AP4310AMTR-G1，DIODES(美台)，运算放大器/比较器 > 运算放大器，SOP-8封装，92,224件现货，AP4310A 是一款专为调节开关电池充电器和电源供应器的输出电流和电压水平而设计的单片 IC。该设备包含两个运算放大器和一个2.5V精密分流电压基准源。运算放大器1用于电压控制，其非反相输入端内部连接到分流稳压器的输出；运算放大器2用于运算放大器/比较器 > 运算放大器
SOP-8
92,224
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查看详情 >ACM7060-701-2PL-TL01
TDK
ACM7060-701-2PL-TL01，TDK，磁珠/滤波器/EMI优化 > 共模滤波器，SMD封装，92,000件现货，电源滤波器 共模滤波器 共模电感 差模滤波器 同时具有共模和差模滤波能力 额定电流4A磁珠/滤波器/EMI优化 > 共模滤波器
SMD
92,000
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查看详情 >ACT45B-101-2P-TL003
TDK
ACT45B-101-2P-TL003，TDK，磁珠/滤波器/EMI优化 > 共模滤波器，SMD封装，92,000件现货，汽车级磁珠/滤波器/EMI优化 > 共模滤波器
SMD
92,000
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查看详情 >AON7407
AOS
AON7407，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-33EP封装，92,000件现货，AON7407将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的导通电阻RDS(ON)。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择。符合RoHS标准 无卤素三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-33EP
92,000
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查看详情 >ACPL-W340-500E
Broadcom(博通)
ACPL-W340-500E，Broadcom(博通)，光耦 > 栅极驱动光耦，SOP封装，91,650件现货，IGBT驱动光耦-1A-SO6(ROHS)光耦 > 栅极驱动光耦
SOP
91,650
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查看详情 >AT24C512C-SSHM-T
Microchip(美国微芯)
AT24C512C-SSHM-T，Microchip(美国微芯)，现货库存，SOP-8封装，90,127件现货现货库存
SOP-8
90,127
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查看详情 >AO6602
AOS
AO6602，AOS，现货库存，TSOP-6封装，90,000件现货现货库存
TSOP-6
90,000
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查看详情 >APN337S3959
Infineon/10K/包
APN337S3959，Infineon/10K/包，现货库存，USON8封装，90,000件现货现货库存
USON8
90,000
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查看详情 >AH1911-W-7
DIODES(美台)
AH1911-W-7，DIODES(美台)，传感器 > 霍尔开关，SC-59封装，90,000件现货，AH1911/AH1921是一款超低功耗数字全极霍尔效应开关IC。得益于休眠时钟系统，在3V电压下，其平均供电电流仅为1.6μA，这使得AH1911/AH1921非常适合用于电池供电的消费产品、燃气表或水表、烟雾探测器以及物联网设备。更宽的供电电压范围（1.传感器 > 霍尔开关
SC-59
90,000
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查看详情 >AH3781-SA-7
DIODES(美台)
AH3781-SA-7，DIODES(美台)，传感器 > 线性霍尔传感器，SOT-23封装，90,000件现货，AH3781是一款带有内部上拉电阻的高压、高灵敏度霍尔效应锁存IC，专为工业、家用消费电器和个人护理应用中的无刷直流电机换向、流量计、线性编码器和位置传感器而设计。为满足各种严苛应用需求，该设计经过优化，可在3.0V至28V的电源电压范围内工作。A传感器 > 线性霍尔传感器
SOT-23
90,000
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查看详情 >AO6604
AOS
AO6604，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TSOP-6封装，90,000件现货，结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，可提供极低的导通电阻RDS(ON)。 适用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSOP-6
90,000
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查看详情 >AO6800
AOS
AO6800，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TSOP-6封装，90,000件现货，特性：VDS(V)=20V。 RDS(ON)<22mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<28mΩ(VGS=4.5V)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSOP-6
90,000
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查看详情 >AONR21357
AOS
AONR21357，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-3X3EP封装，89,114件现货，AONR21357采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3X3EP
89,114
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查看详情 >AMS1117-3.3
AMS
AMS1117-3.3，AMS，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-223封装，88,000件现货，低压差线性稳压器 LDO 线性稳压器，工作电压（Vcc）(v) 1.25-15V电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-223
88,000
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查看详情 >AO4411
AOS
AO4411，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，87,000件现货，P沟道,-30V,-8A,32mΩ@-10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
87,000
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查看详情 >AT8222
杭州中科微
AT8222，杭州中科微，电机驱动芯片 > 有刷直流电机驱动芯片，ESOP8封装，86,500件现货，AT8222是一款直流有刷电机驱动器，能够以高达2.8A的峰值电流双向控制电机。利用电流衰减模式，可通过对输入信号进行脉宽调制(PWM) 来控制电机转速，同时具备低功耗休眠模式。 AT8222集成同步整流功能，可显著降低系统功耗要求。电机驱动芯片 > 有刷直流电机驱动芯片
ESOP8
86,500
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查看详情 >ATMEGA88PA-AU
Microchip(美国微芯)
ATMEGA88PA-AU，Microchip(美国微芯)，现货库存，TQFP-32封装，85,500件现货现货库存
TQFP-32
85,500
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查看详情 >AM26LV32EIDR
TI(德州仪器)
AM26LV32EIDR，TI(德州仪器)，通信接口芯片 > RS-485/RS-422芯片，SOP-16封装，85,000件现货，该设备包括四个差分线接收器，具有三态输出。设计用于符合TIA/EIA-422-B和ITU推荐V.11标准的平衡总线传输。通信接口芯片 > RS-485/RS-422芯片
SOP-16
85,000
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查看详情 >APS1604M-SQR-ZR
Apmemory
APS1604M-SQR-ZR，Apmemory，存储器 > PSRAM(伪静态)，USON-8封装，85,000件现货，该伪静态随机存取存储器（Pseudo-SRAM）设备具有高速、低引脚数接口。它有4个I/O引脚，以SPI（串行外设接口）或QP（四路外设接口）模式运行，频率高达144 MHz。内存的数据输入（A/DQ）依靠时钟（CLK）来锁存所有指令、地存储器 > PSRAM(伪静态)
USON-8
85,000
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查看详情 >ADP1755ACPZ-R7
ADI 小飞棍来喽
ADP1755ACPZ-R7，ADI 小飞棍来喽，现货库存，LFCSP-16封装，84,571件现货现货库存
LFCSP-16
84,571
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