替代料初筛

MTFC4GACAJCN-4MIT 替代料候选与BOM转入

候选仅供初筛,替换前需核对封装、脚位、参数和应用条件。库存、价格、交期以最终核实为准。

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替代风险提示

候选仅供初筛,不能视为等效承诺;替换前需核对封装、脚位、关键电气参数、温度等级、认证要求和实际应用条件。

候选型号

同类目、同封装或同品牌候选

转入BOM

KLM8G1GETF-B041

SAMSUNG(三星半导体)

接口类型:eMMC 5.1 · 工作电压:2.7V~3.6V
状态现货可下单批号批号 25+,23+起订按需交期核对后发
封装FBGA-153 可供数量107,982 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / eMMC
FBGA-153
107,982
询盘报价
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MT41K128M16JT-125IT:K

micron(镁光)

存储器构架(格式):SDRAM DDR3L · 存储容量:2Gbit
状态现货可下单批号批号 25+,21+25+起订按需交期核对后发
封装FBGA-96 可供数量106,691 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / DDR内存
FBGA-96
106,691
询盘报价
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MT41K256M16TW-107:P

micron(镁光)

存储器构架(格式):SDRAM DDR3L · 存储容量:4Gbit
状态现货可下单批号批号 23+,20+22+23,25+,20+21+,20+,2322,23+25+,21+起订按需交期核对后发
封装FBGA-96 可供数量101,209 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / DDR内存
FBGA-96
101,209
询盘报价
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MT41K256M16TW-107IT:P

micron(镁光)

存储器构架(格式):SDRAM DDR3L · 存储容量:4Gbit
状态现货可下单批号批号 23+25+,23+,25+起订按需交期核对后发
封装FBGA-96 可供数量92,014 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / DDR内存
FBGA-96
92,014
询盘报价
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KLMAG1JETD-B041

SAMSUNG(三星半导体)

接口类型:eMMC 5.1 · 工作电压:2.7V~3.6V
状态现货可下单批号批号 25+,24+25+,24+起订按需交期核对后发
封装FBGA-153 可供数量80,320 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / eMMC
FBGA-153
80,320
询盘报价
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MT29F2G01ABAGDWB-IT:G

micron(镁光)

存储容量:2Gbit · 接口类型:SPI
状态现货可下单批号批号 25+,17+起订按需交期核对后发
封装DFN-8 可供数量63,050 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / NAND闪存
DFN-8
63,050
询盘报价
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MT29F1G08ABAEAH4:E

micron(镁光)

MT29F1G08ABAEAH4:E
状态现货可下单批号批号 23+22,17+18+起订按需交期核对后发
封装FBGA 可供数量60,826 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / NAND闪存
FBGA
60,826
询盘报价
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MT41K64M16TW-107:J

micron(镁光)

存储器构架(格式):SDRAM DDR3L · 存储容量:1Gbit
状态现货可下单批号批号 24+,21+,25+,23+,19+起订按需交期核对后发
封装FBGA-96 可供数量45,550 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / DDR内存
FBGA-96
45,550
询盘报价
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MT41K512M8DA-107IT:P

micron(镁光)

存储器构架(格式):SDRAM DDR3L · 存储容量:4Gbit
状态现货可下单批号批号 21+,25+,24+起订按需交期核对后发
封装FBGA-78 可供数量41,499 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / DDR内存
FBGA-78
41,499
询盘报价
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MT29F8G08ABACAWP-IT:C

micron(镁光)

MT29F8G08ABACAWP-IT:C
状态现货可下单批号批号 18+19+,25+,2144+,21+,20+25+起订按需交期核对后发
封装TSSOP-48 可供数量35,867 起订按需 报价方式询盘报价
存储器 / NAND闪存
TSSOP-48
35,867
询盘报价
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封装

先比封装与脚位

封装名称相近仍需核对尺寸、焊盘和引脚定义。

参数

再比关键电气参数

电压、电流、精度、频率、温度等级和保护指标需逐项确认。

应用

最后看使用场景

量产、维修、车规、工控或认证项目需要保留更严格边界。

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