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Microchip(美国微芯) · IGBT类型:PT(穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):900V · 三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块

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Microchip(美国微芯)

IGBT类型:PT(穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):900V

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分类三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块

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