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NCE80TD60BT
NCE(无锡新洁能)
使用专有沟槽设计和先进的 FS(场截止)第二代技术 · 600V 沟槽 FSII IGBT 具有卓越的导通和三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247
28,000
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FGH40N60SMD
onsemi(安森美)
飞兆半导体的场截止第二代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术 · 为光伏逆变器、UPS、焊机、通三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247
23,600
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FGH60N60SMD
onsemi(安森美)
安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术 · 为太阳能逆变器、UPS三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-247
17,550
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