TOLL-8L 现货库存

已为你匹配 118 个相关型号，可继续按品牌、封装、类目和参数缩小范围，或先转入 BOM 统一核价。

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TOLL-8L 匹配型号

共 118 个匹配型号

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TOLL-8L 结果较多，先缩小范围

采购员通常先按品牌、封装或类目缩小，再把候选型号暂存到 BOM，能减少后续反复确认。

让业务协助筛选
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BOM 协同暂存对比后统一提交，业务人工复核回复
资料辅助结合制造商 PDF、参数与替代料建议核对
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类目
品牌
封装 / 规格
已筛选：封装：TOLL-8L

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优先核价清单

系统按现货、库存量、资料和封装完整度挑出更适合先看的型号。

对比这 3 个转 BOM 核价

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把本页型号整理成采购需求

适合采购员先粗筛，再统一核对品牌、封装、批号、数量和交期。

12候选型号 24现货行 0资料候选 1封装
对比前 4 个本页型号转 BOM
HL(富海微) / AGMSEMI(芯控源)TOLL-8L
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

320N04TL

HL(富海微)

320N04TL，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，工艺:SGT，类型:N，漏源电压(Vdss) (V):40，阈值电压VGS:±20，Vth(V):1.3～2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):0.75/1.1，连续漏极电流ID(A):320A
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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AGM012N10LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM012N10LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:100V 电流:385A
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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AGM015N10LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM015N10LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGM015N10LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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AGM016T08LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM016T08LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGM016T08LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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AGM01T08LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM01T08LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGM01T08LL 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，可实现极低的 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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AGM12T02LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM12T02LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGM12T02LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
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TOLL-8L
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AGM15T03LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM15T03LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGM15T03LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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AGM15T05LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM15T05LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGM15T05LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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AGM15T06LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM15T06LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGM15T06LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
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TOLL-8L
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AGM20T09LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM20T09LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGM20T09LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
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TOLL-8L
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AGM4005LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM4005LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGM4005LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
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TOLL-8L
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AGM4005LLM1

AGMSEMI(芯控源)

AGM4005LLM1，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGM4005LLM1将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
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AGM4008LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM4008LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：500A 功率(Pd)：428W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.63mΩ@10V,50A 栅极电荷(Qg@Vgs)：221nC@10V 输入电
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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AGM601LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM601LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGM601LL结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。此设备非常适合用于负载开关和电池保护应用。
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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AGMH022N10LL

AGMSEMI(芯控源)

AGMH022N10LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，AGMH022N10LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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ASR65R046EFD

ANHI(安海)

ASR65R046EFD，ANHI(安海)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，VDS=700V/Id=59A,Rds(on)=39mΩ/Qg=111nC /Ciss=5309pF/Trr=168.9nS
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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ASR65R120EFD

ANHI(安海)

ASR65R120EFD，ANHI(安海)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，VDS=700V/Id=30A,Rds(on)=105mΩ/Qg=55.4nC /Ciss=2657pF/Trr=136.7nS
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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AUR020N10

ANHI(安海)

AUR020N10，ANHI(安海)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，VDS=100V/Id=305A,Rds(on)=1.6mΩ/Qg=213nC /Ciss=14994pF/Trr=84.44nS
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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BLP023N10-T

BL(上海贝岭)

BLP023N10-T，BL(上海贝岭)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，BLP023N10是N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术制造，该技术可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这是适用于电池管理系统（BMS）和大电流开关应用的理想器件。
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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BLP038N15-T

BL(上海贝岭)

BLP038N15-T，BL(上海贝岭)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，MOSFET，150V,2.9mΩ,254A，TOLL8
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BRCS013N04SHTL

BLUE ROCKET(蓝箭)

BRCS013N04SHTL，BLUE ROCKET(蓝箭)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，1个N沟道，漏源电压(Vdss):40V，连续漏极电流(ld):210A，导通电阻(RDS(on)):1.3mΩ@10V
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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BRCS019N10SHTL

BLUE ROCKET(蓝箭)

BRCS019N10SHTL，BLUE ROCKET(蓝箭)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，1个N沟道，漏源电压(Vdss):100V，连续漏极电流(ld):292A，导通电阻(RDS(on)):1.9mΩ@10V
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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BRCS022N12SHTL

BLUE ROCKET(蓝箭)

BRCS022N12SHTL，BLUE ROCKET(蓝箭)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，1个N沟道，漏源电压(Vdss):120V，连续漏极电流(ld):260A，导通电阻(RDS(on)):2.2mΩ@10V
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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BRCS023N10SHTL

BLUE ROCKET(蓝箭)

BRCS023N10SHTL，BLUE ROCKET(蓝箭)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8L封装，询盘确认库存，1个N沟道，漏源电压(Vdss):100V，连续漏极电流(ld):280A，导通电阻(RDS(on)):2.3mΩ@10V
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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PROCUREMENT CONTEXT

TOLL-8L 现货采购说明

本页展示可公开查询的电子元器件现货和资料库候选。采购人员可先核对品牌、封装、数量和资料入口，再统一提交 BOM 询价。

118匹配型号 5高频品牌 1封装规格
HL(富海微)AGMSEMI(芯控源)ANHI(安海)BL(上海贝岭)BLUE ROCKET(蓝箭)TOLL-8L
TOLL-8L 可以直接下单吗？

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