TOLL 现货库存

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TOLL 匹配型号

共 95 个匹配型号

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前 4 个转 BOM

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这 4 个转 BOM
类目
品牌
封装 / 规格
已筛选：封装：TOLL
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

CRSZ019N10N4Q

CR MICRO/华润微

CRSZ019N10N4Q，CR MICRO/华润微，现货库存，TOLL封装，6,000件现货
批号 25+按需询价现货核对后发
现货库存
TOLL
6,000
询盘报价
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HYG011N04LS1TA

HUAYI(华羿微)

HYG011N04LS1TA，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，8,800件现货，特性：40V/320A，RDS(ON)=0.9 mΩ(典型值)@VGS = 10V，RDS(ON)=1.3 mΩ(典型值)@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 有无卤器件（符合RoHS标准）。应用：
批号 26+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
8,800
询盘报价
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HYG012N03LR1TA

HUAYI(华羿微)

HYG012N03LR1TA，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，2,000件现货，MOSFET
批号 25+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
2,000
询盘报价
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HYG015N10NS1TA

HUAYI(华羿微)

HYG015N10NS1TA，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，8,900件现货，特性：100V/380A，导通电阻（RDS(ON)）典型值为 1.2mΩ（VGS = 10V 时）。 100% 雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合 RoHS 标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
批号 25+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
8,900
询盘报价
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HYG016N10NS1TA

HUAYI(华羿微)

HYG016N10NS1TA，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，16,000件现货，特性：100V/370A，RDS(ON)=1.35mΩ (典型值)，@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
批号 26+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
16,000
询盘报价
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HYG017N10NS1TA

HUAYI(华羿微)

HYG017N10NS1TA，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，6,900件现货，特性：100V/330A。 RDS(ON) = 1.6mΩ（典型值），@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 可提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
批号 26+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
6,900
询盘报价
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NCEP018N85LL

NCE Power/新洁能

NCEP018N85LL，NCE Power/新洁能，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，26,000件现货，85V360A 1.4毫欧
批号 25+按需询价现货核对后发
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
26,000
询盘报价
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ADR065N028AH

ANHI(安海)

ADR065N028AH，ANHI(安海)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，VDS=650V/Id=80A,Rds(on)=30mΩ/Qg=97.6nC /Ciss=2333pF/Trr=19.52nS
批号询价确认按需询价交期询价确认
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
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AGM025N13LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM025N13LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，AGM025N13LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
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AGM401LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM401LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:40V 电流:200A
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
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AOTL66518

Tokmas(托克马斯)

AOTL66518，Tokmas(托克马斯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，150V220A 5毫欧
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
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AUR014N10

ANHI(安海)

AUR014N10，ANHI(安海)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻。 TOLL-8L RDS(on) = 1.2mΩ（典型值）。 高速功率开关。 增强型体二极管 dv/dt 能力。 增强型雪崩耐用性。应用：开关电源中的同步整流。 电信和工业领域的硬开关和高速 DC/DC 电路
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
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AUR020N085

ANHI(安海)

AUR020N085，ANHI(安海)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻。 TO220&TO263 RDS(on) = 2.1mΩ（典型值）。 TOLL-8L RDS(on) = 1.8 mΩ（典型值）。 高速功率开关。 增强型体二极管dv/dt能力。 增强型雪崩耐用性。应用：开关电源中
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
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AUR030N10

ANHI(安海)

AUR030N10，ANHI(安海)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻。 TO220&TO263 RDS(on) = 2.8mΩ (典型值)。 TOLL-8L RDS(on) = 2.4mΩ (典型值)。 高速功率开关。 增强型体二极管 dv/dt 能力。 增强型雪崩耐用性。应用：开关电
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
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BMT65N065UC1

Bestirpower(萃锦半导体)

BMT65N065UC1，Bestirpower(萃锦半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，超结 MOSFET,650V,55A,65mΩ@23.5V
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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CRSZ025N10N

CRMICRO(华润微)

CRSZ025N10N，CRMICRO(华润微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，停产 CRSZ025N10N
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
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CRSZ025N10NZ

CRMICRO(华润微)

CRSZ025N10NZ，CRMICRO(华润微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
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GT009N04TL

GOFORD(谷峰)

GT009N04TL，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。 可用于各种应用。
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
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GT016N10TL

GOFORD(谷峰)

GT016N10TL，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：330A 阈值电压(Vgs(th))：3.8V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：1.5mΩ@10V 封装：TOLL-8L
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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HK04N010SG

R+O(宏嘉诚)

HK04N010SG，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，HK04N010SG
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
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HSBL020N08

HUASHUO(华朔)

HSBL020N08，HUASHUO(华朔)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，HSBL020N08符合RoHS标准和无卤产品要求，100%通过EAS测试，具备全面的功能可靠性认证。
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
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HSY0076A

HUASHUO(华朔)

HSY0076A，HUASHUO(华朔)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，保证100%通过环境适应性规范测试，有绿色环保器件可供选择
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
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HYG006N04LS1TA

HUAYI(华羿微)

HYG006N04LS1TA，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，特性：40V/600A，RDS(ON)=0.45mΩ（典型值）@VGS = 10V。 RDS(ON)=0.61mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 有无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
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HYG012N08NS1TA

HUAYI(华羿微)

HYG012N08NS1TA，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，特性：80V/420A。 RDS(ON)=0.9mΩ（典型值）@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠且坚固。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
批号询价确认按需询价交期询价确认
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
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人工核对确认型号、品牌、封装、批号与可发数量
BOM 协同暂存对比后统一提交，业务人工复核回复
资料辅助结合制造商 PDF、参数与替代料建议核对
交付确认报价前确认交期、发票和收货要求

PROCUREMENT CONTEXT

TOLL 现货采购说明

本页展示可公开查询的电子元器件现货和资料库候选。采购人员可先核对品牌、封装、数量和资料入口，再统一提交 BOM 询价。

95匹配型号 6高频品牌 1封装规格
CR MICRO/华润微HUAYI(华羿微)NCE Power/新洁能ANHI(安海)AGMSEMI(芯控源)Tokmas(托克马斯)TOLL
TOLL 可以直接下单吗？

页面展示的是华芯购公开现货和可询型号。现货型号可先暂存、对比或加入 BOM，最终数量、批号、包装、交期和报价由业务人员确认后执行。

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