TO-252-4L 现货库存

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TO-252-4L 匹配型号

共 68 个匹配型号

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3020

HL(富海微)

3020,HL(富海微),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,3020 是具有高单元密度的高性能互补 N 沟道和 P 沟道 MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。3020 符合 RoHS 和绿色产品要求,100%通过环境适应性筛选(EAS),并经过全面功
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TO-252-4L
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AGM305MD

AGMSEMI(芯控源)

AGM305MD,AGMSEMI(芯控源),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,类型:一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):45A/-45A 功率(Pd):23W/31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,20A;7.6mΩ@-10V,-
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AGM628MD-M1

AGMSEMI(芯控源)

AGM628MD-M1,AGMSEMI(芯控源),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,类型:一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):20A/-19A 功率(Pd):34W/40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,15A;60mΩ@-10V,
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AOD603(XBLW)

XBLW(芯伯乐)

AOD603(XBLW),XBLW(芯伯乐),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,类型: N沟道+P沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 20A
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AOD603A

AOS

AOD603A,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:3A
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AOD603A-MS

MSKSEMI(美森科)

AOD603A-MS,MSKSEMI(美森科),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,此款MOS管搭载1个N沟道+1个P沟道,采用TO-252-4L封装,他具备漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):13A,强大的性能,被广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、LED驱动电路、移动通信设备、笔
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AOD609G

AOS

AOD609G,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:12A
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AOD661

AOS

AOD661,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,2个N沟道 耐压:30V 电流:12A
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AP4525GEH

APEC(富鼎)

AP4525GEH,APEC(富鼎),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,先进功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。
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BMI403NP1136

BORN(伯恩半导体)

BMI403NP1136,BORN(伯恩半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,N沟道+P沟道 Vds=30V ID=45A
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BMI404D1538

BORN(伯恩半导体)

BMI404D1538,BORN(伯恩半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,N+P双MOS 40V 30A TO-252-4L封装
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CMD30DN03

Cmos(广东场效应半导体)

CMD30DN03,Cmos(广东场效应半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,CMD30DN03是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET,它采用极高的单元密度,以实现低导通电阻(Rdson)和低栅极电荷特性。它非常适合用于同步降压转换器应用。
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CMD30NP06

Cmos(广东场效应半导体)

CMD30NP06,Cmos(广东场效应半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,CMD30NP06采用先进的沟槽技术MOSFET,以提供出色的导通电阻RDS(ON)。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
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CMD40DN06

Cmos(广东场效应半导体)

CMD40DN06,Cmos(广东场效应半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,MOS管,TO-252-4L,双N,耐压:60V,电流:40A,10V内阻:17.5mΩ,4.5V内阻:20mΩ,功率:30W,CISS(Typ):2450PF
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CMD40NP06

Cmos(广东场效应半导体)

CMD40NP06,Cmos(广东场效应半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,MOS管,TO-252-4L,N+P沟道,耐压:60V,电流:40A,10V内阻:18mΩ,4.5V内阻:20mΩ,功率:75W,CISS(Typ):2500PF
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CMD4511

Cmos(广东场效应半导体)

CMD4511,Cmos(广东场效应半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,CMD4511采用先进的沟槽技术MOSFET,可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
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CMD510B

Cmos(广东场效应半导体)

CMD510B,Cmos(广东场效应半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,CMD510B采用先进的沟槽技术MOSFET,可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
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CMD603

Cmos(广东场效应半导体)

CMD603,Cmos(广东场效应半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,CMD603采用先进的沟槽技术MOSFET,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
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CMD603A

Cmos(广东场效应半导体)

CMD603A,Cmos(广东场效应半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,CMD603A采用先进的沟槽技术MOSFET,可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
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Cmos(广东场效应半导体)

CMD603B,Cmos(广东场效应半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,MOS管,TO-252-4L,N+P沟道,耐压:60V/-60V,电流:13A/-13A,10V内阻:63mΩ/105mΩ,4.5V内阻:76mΩ/130mΩ,功率:27W,CISS(Typ):150PF
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CMD607

Cmos(广东场效应半导体)

CMD607,Cmos(广东场效应半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,CMD607采用先进的沟槽技术MOSFET,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
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Cmos(广东场效应半导体)

CMD607A,Cmos(广东场效应半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,CMD607A采用先进的沟槽技术MOSFET,可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
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CMD607B

Cmos(广东场效应半导体)

CMD607B,Cmos(广东场效应半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,MOS管,TO-252-4L,N+P场,耐压:30V,电流:20A,10V内阻:0.02Ω,4.5V:0.035Ω,功率:25W,CISS(Typ):650PF
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CMD609

Cmos(广东场效应半导体)

CMD609,Cmos(广东场效应半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-4L封装,询盘确认库存,CMD609采用先进的沟槽技术MOSFET,可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
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人工核对确认型号、品牌、封装、批号与可发数量
BOM 协同暂存对比后统一提交,业务人工复核回复
资料辅助结合制造商 PDF、参数与替代料建议核对
交付确认报价前确认交期、发票和收货要求

PROCUREMENT CONTEXT

TO-252-4L 现货采购说明

本页展示可公开查询的电子元器件现货和资料库候选。采购人员可先核对品牌、封装、数量和资料入口,再统一提交 BOM 询价。

68匹配型号 6高频品牌 1封装规格
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