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TO-252-2L 匹配型号
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已匹配 463 个型号
封装:TO-252-2L
封装:TO-252-2L
先缩小范围463 个匹配优先锁定封装、品牌或类目,再保存筛选条件。当前页现货3 行可推进建议先暂存数量明确、资料完整的型号。优先封装TO-252-2L当前页 24 行同封装,适合先看替代与交期。品牌核对CJ(江苏长电/长晶)当前页 13 行集中在该品牌,可先核品牌偏好。
当前页型号可先加入 BOM,业务人员会继续核对批号、包装、交期和最终报价。
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TO-252-2L 结果较多,先缩小范围
采购员通常先按品牌、封装或类目缩小,再把候选型号暂存到 BOM,能减少后续反复确认。
类目
品牌
封装 / 规格
库存195,840
理由优先核可发库存
库存18,258
理由优先核可发库存
库存10,000
理由优先核可发库存
CJ/长晶 / NCE(无锡新洁能) / XBLW(芯伯乐) / TDSEMIC(拓电半导体)TO-252-2L
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价
MJD32C
CJ/长晶
MJD32C,CJ/长晶,三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),TO-252-2L封装,10,000件现货,MJD32C三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-252-2L
10,000
询盘报价
NCE30H12K
NCE(无锡新洁能)
NCE30H12K,NCE(无锡新洁能),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-2L封装,18,258件现货,N沟道三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2L
18,258
询盘报价
NCE6020AK
NCE(无锡新洁能)
NCE6020AK,NCE(无锡新洁能),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-2L封装,195,840件现货,N沟道,60V/20A,37毫欧。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2L
195,840
询盘报价
15N10(XBLW)
XBLW(芯伯乐)
15N10(XBLW),XBLW(芯伯乐),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-2L封装,询盘确认库存,类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 100V 连续漏极电流(Id): 15A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价
15N10-TD
TDSEMIC(拓电半导体)
15N10-TD,TDSEMIC(拓电半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-2L封装,询盘确认库存,本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,额定电压100V,最大连续电流15A,专为高效电源转换、电机驱动等应用设计,提供卓越的开关性能和低损耗功率管理方案。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价
20N03-TD
TDSEMIC(拓电半导体)
20N03-TD,TDSEMIC(拓电半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-2L封装,询盘确认库存,具有高耐压、大电流、低导通电阻特点,广泛应用于电源管理、电机驱动及汽车电子领域。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价
2SA1012B(RANGE:120-270)
CJ(江苏长电/长晶)
2SA1012B(RANGE:120-270),CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),TO-252-2L封装,询盘确认库存,特性:2A, 50V中功率晶体管。 适用于中功率驱动器。 低集电极-发射极饱和电压。应用:中功率驱动器。 LED驱动器三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价
2SA1225
CJ(江苏长电/长晶)
2SA1225,CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),TO-252-2L封装,询盘确认库存,hFE:120-240三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价
2SA1952
CJ(江苏长电/长晶)
2SA1952,CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),TO-252-2L封装,询盘确认库存,特性:SA-60V 中功率晶体管。 适用于中功率驱动器。 互补 NPN 类型。 低集电极-发射极饱和电压。应用:中功率驱动器。 LED 驱动器三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价
2SB1182
CJ(江苏长电/长晶)
2SB1182,CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),TO-252-2L封装,询盘确认库存,特性:功率耗散三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价
2SB1184
CJ(江苏长电/长晶)
2SB1184,CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),TO-252-2L封装,询盘确认库存,特性:低VCE(sat):VCE(sat) = -0.5V(典型值) (IC / IB = -2A / -0.2A)。 与2SD1760 / 2SD1864互补三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价
2SB1184(RANGE:120-270)
CJ(江苏长电/长晶)
2SB1184(RANGE:120-270),CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),TO-252-2L封装,询盘确认库存,hfe=120~270 PNP 电流:3A 电压:50V三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价
2SC2983(RANGE:120-240)
CJ(江苏长电/长晶)
2SC2983(RANGE:120-240),CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),TO-252-2L封装,询盘确认库存,特性:高过渡频率三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价
2SD1758
CJ(江苏长电/长晶)
2SD1758,CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),TO-252-2L封装,询盘确认库存,特性:低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):VCE(sat) = 0.5V(典型值)(IC / IB = 2A / 0.2A)三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价
2SD1760
CJ(江苏长电/长晶)
2SD1760,CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),TO-252-2L封装,询盘确认库存,特性:低VCE(sat),VCE(sat) = 0.5V(典型值)(IC/IB = 2A/0.2A)。 与2SB1184互补三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价
2SD1760Q
CJ(江苏长电/长晶)
2SD1760Q,CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),TO-252-2L封装,询盘确认库存,特性:低VCE(sat),VCE(sat) = 0.5V(典型值)(IC / IB = 2A / 0.2A)。 与2SB1184互补三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价
2SD1802(RANGE:100-200)
CJ(江苏长电/长晶)
2SD1802(RANGE:100-200),CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),TO-252-2L封装,询盘确认库存,特性:采用FBET.MBIT工艺。 大电流容量和宽安全工作区(ASO)。 低集电极-发射极饱和电压。 快速开关速度三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价
2SD1815(RANGE:100-200)
CJ(江苏长电/长晶)
2SD1815(RANGE:100-200),CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),TO-252-2L封装,询盘确认库存,特性:低集电极-发射极饱和电压。 hFE 具有出色的线性度。 高 fT。 快速开关时间三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价
2SD1899(RANGE:100-200)
CJ(江苏长电/长晶)
2SD1899(RANGE:100-200),CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),TO-252-2L封装,询盘确认库存,特性:低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))。 高过渡频率三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价
3080K-TD
TDSEMIC(拓电半导体)
3080K-TD,TDSEMIC(拓电半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-2L封装,询盘确认库存,N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):60W三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价
30N06(XBLW)
XBLW(芯伯乐)
30N06(XBLW),XBLW(芯伯乐),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-2L封装,询盘确认库存,类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 30A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价
30N06-TD
TDSEMIC(拓电半导体)
30N06-TD,TDSEMIC(拓电半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-2L封装,询盘确认库存,N管/60V/30A/30mΩ(典型21mΩ)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价
AMS1117CD-3.3-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
AMS1117CD-3.3-HXY,HXY MOSFET(华轩阳电子),电源管理 > 线性稳压器(LDO),TO-252-2L封装,询盘确认库存,该款LDO线性稳压器采用高效TO-252-2L封装,提供稳定的17V输出电压(Vout)和高达1A的电流(Iout),满足大电流需求。最大输入电压为18V(Vin(Max)),适用于在有限电压范围内需要高效、稳定电电源管理 > 线性稳压器(LDO)
TO-252-2L
询盘确认
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AMS1117MDT-1.8RG
HGC(深圳汉芯)
AMS1117MDT-1.8RG,HGC(深圳汉芯),电源管理 > 线性稳压器(LDO),TO-252-2L封装,询盘确认库存,低压差线性稳压器 15V耐压 800MA电流低压差线性稳压(LDO)电源管理 > 线性稳压器(LDO)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价
PROCUREMENT CONTEXT
TO-252-2L 现货采购说明
本页展示可公开查询的电子元器件现货和资料库候选。采购人员可先核对品牌、封装、数量和资料入口,再统一提交 BOM 询价。
463匹配型号
6高频品牌
1封装规格
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可以提交 BOM 或寻料需求,业务会按资料库候选、替代料、渠道库存和现货库存继续确认。
当前页型号能批量询价吗?
可以。当前页可将 MJD32C、NCE30H12K、NCE6020AK、15N10(XBLW) 等型号加入 BOM 或采购暂存,集中确认数量与交期。