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型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

PTD3020

HT(金誉)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):25A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD3090

HT(金誉)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):90A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD4050

HT(金誉)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):50A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD4N65

HT(金誉)

漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):4A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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P1006BD

U-NIKC(旭康微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD3004

PUOLOP(迪浦)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD3080

HT(金誉)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):80A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD4080

HT(金誉)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):80A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD7N65

PUOLOP(迪浦)

漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):7A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PD517BA

NIKO-SEM(尼克森)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):55A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PD600BA

NIKO-SEM(尼克森)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):42A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PS78M05

PSI(宝力芯)

输出类型:固定 · 工作电压:35V
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电源与功率 / 线性稳压器(LDO)
TO-252
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PTD3006

PUOLOP(迪浦)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD4N60

PUOLOP(迪浦)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PTD12N10

PUOLOP(迪浦)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):90V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PTD40P03

HT(金誉)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):40A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PTD40P20

HT(金誉)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):20A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PTD90N02

HT(金誉)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):90A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PTD90N08

HT(金誉)

漏源电压(Vdss):80V · 连续漏极电流(Id):90A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PTD3080A

HT(金誉)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):80A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PTD3080B

HT(金誉)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):80A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PTD60P03

HT(金誉)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PTD40P40

HT(金誉)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):40A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD20N06

PUOLOP(迪浦)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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