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封装:TO-252
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PTD3020
HT(金誉)
漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):25A
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD3090
HT(金誉)
漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):90A
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD4050
HT(金誉)
漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):50A
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD4N65
HT(金誉)
漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):4A
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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P1006BD
U-NIKC(旭康微)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD3004
PUOLOP(迪浦)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD3080
HT(金誉)
漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):80A
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD4080
HT(金誉)
漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):80A
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD7N65
PUOLOP(迪浦)
漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):7A
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PD517BA
NIKO-SEM(尼克森)
漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):55A
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PD600BA
NIKO-SEM(尼克森)
漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):42A
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD3006
PUOLOP(迪浦)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PTD4N60
PUOLOP(迪浦)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PTD12N10
PUOLOP(迪浦)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):90V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD40P03
HT(金誉)
漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):40A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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PTD40P20
HT(金誉)
漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):20A
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD90N02
HT(金誉)
漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):90A
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD90N08
HT(金誉)
漏源电压(Vdss):80V · 连续漏极电流(Id):90A
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD3080A
HT(金誉)
漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):80A
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD3080B
HT(金誉)
漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):80A
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD60P03
HT(金誉)
数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD40P40
HT(金誉)
漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):40A
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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