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PTD4N65 HT(金誉) 现货与清单询价
PTD4N65,HT(金誉),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-252封装,询盘确认库存,特性:RDS(on) (典型值2.6Ω)@VGS = 10V。改进的dv/dt能力,高耐用性。100%雪崩测试。最大结温范围(150℃)
- MPN
- PTD4N65
- 品牌/制造商
- HT(金誉)
- 封装
- TO-252
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/PTD4N65
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PTD4N65,HT(金誉),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-252封装,询盘确认库存,特性:RDS(on) (典型值2.6Ω)@VGS = 10V。改进的dv/dt能力,高耐用性。100%雪崩测试。最大结温范围(150℃)