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型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价
ADM3490ARZ-REEL7
ADI(亚德诺)
ADM3490ARZ-REEL7,ADI(亚德诺),通信接口芯片 > RS-485/RS-422芯片,TO-247封装,16,200件现货,3.3V供电,符合EIA RS-422和RS-485标准,数据速率最高可达10Mbps,支持全双工通信。通信接口芯片 > RS-485/RS-422芯片
TO-247
16,200
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APT40DQ120BG
Microsemi
APT40DQ120BG,Microsemi,二极管 > 开关二极管,TO-247封装,9,600件现货,特性:超快恢复时间。 软恢复特性。 低正向电压。 低泄漏电流。 雪崩能量额定。 符合RoHS标准。应用:功率因数校正(PFC)。 反并联二极管二极管 > 开关二极管
TO-247
9,600
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APT60DQ120BG
Microchip(美国微芯)
APT60DQ120BG,Microchip(美国微芯),二极管 > 快恢复/高效率二极管,TO-247封装,4,800件现货,TO-247-2,1200V,60A,35ns 应用领域:开关电源系、逆变器与变频器 新能源逆变器 工业变频器、电机控制 电动汽车驱动 伺服系统、高频加热设备 电磁炉/感应加热二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-247
4,800
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APT60DQ60BCTG
Microchip(美国微芯)
APT60DQ60BCTG,Microchip(美国微芯),二极管 > 肖特基二极管,TO-247封装,5,600件现货,APT60DQ60BCTG二极管 > 肖特基二极管
TO-247
5,600
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APT60DQ60BG
Microchip(美国微芯)
APT60DQ60BG,Microchip(美国微芯),二极管 > 快恢复/高效率二极管,TO-247-2封装,4,450件现货,特性:超快恢复时间。软恢复特性。低正向电压。低漏电流。雪崩能量额定。采用流行的TO-247封装。应用:连续导通模式。续流二极管二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-247-2
4,450
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C3M0075120K
WOLFSPEED
C3M0075120K,WOLFSPEED,碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET),TO-247封装,33,550件现货,特性:第三代碳化硅MOSFET技术。 采用独立驱动源引脚的优化封装,漏源之间爬电距离为8mm。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复电荷 (Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:可碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
33,550
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C4D15120D
CREE
C4D15120D,CREE,二极管 > 碳化硅二极管,TO-247封装,2,559件现货,C4D15120D二极管 > 碳化硅二极管
TO-247
2,559
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DSEI30-06A
IXYS只做/只有原.装
DSEI30-06A,IXYS只做/只有原.装,二极管 > 快恢复/高效率二极管,TO-247封装,2,700件现货,TO-247-2 600V 40A 45ns 应用:开关电源.PFC.UPS二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-247
2,700
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DSEP60-06A
Littelfuse/IXYS
DSEP60-06A,Littelfuse/IXYS,二极管 > 快恢复/高效率二极管,TO-247封装,1,000件现货,特性:平面钝化芯片。 极低的泄漏电流。 极短的恢复时间。 改善的热性能。 极低的反向恢复电流值。 非常软的恢复特性。应用:高频开关器件的反并联二极管。 抗饱和二极管二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-247
1,000
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FCH165N65S3R0-F155
onsemi(安森美)
FCH165N65S3R0-F155,onsemi(安森美),现货库存,TO-247封装,3,600件现货现货库存
TO-247
3,600
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FFSH30120ADN-F155
onsemi(安森美)
FFSH30120ADN-F155,onsemi(安森美),二极管 > 碳化硅二极管,TO-247封装,834件现货,碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、温度无关的开关特性和出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及二极管 > 碳化硅二极管
TO-247
834
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FGH40N60SMD
onsemi(安森美)
FGH40N60SMD,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块,TO-247封装,23,600件现货,飞兆半导体的场截止第二代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术,为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
23,600
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FGH60N60SMD
onsemi(安森美)
FGH60N60SMD,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块,TO-247封装,17,550件现货,安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
17,550
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