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封装:PDFNWB5x6-8L
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型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价
CJAC110N03A
CJ(江苏长电/长晶)
漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):110A三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFNWB5x6-8L
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CJAC110SN10A
CJ(江苏长电/长晶)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFNWB5x6-8L
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CJAC110SN10H
CJ(江苏长电/长晶)
漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):110A三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFNWB5x6-8L
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CJAC110SN10L
CJ(江苏长电/长晶)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFNWB5x6-8L
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CJAC130SN04L
CJ(江苏长电/长晶)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFNWB5x6-8L
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CJAC130SN06L
CJ(江苏长电/长晶)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFNWB5x6-8L
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CJAC150N03A
CJ(江苏长电/长晶)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFNWB5x6-8L
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CJAC1R3SN04C
CJ(江苏长电/长晶)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFNWB5x6-8L
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CJAC200SN04U
CJ(江苏长电/长晶)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFNWB5x6-8L
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CJAC2R0SN04C
CJ(江苏长电/长晶)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFNWB5x6-8L
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CJAC2R5SN04C
CJ(江苏长电/长晶)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFNWB5x6-8L
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CJAC50N06
CJ(江苏长电/长晶)
漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):50A三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFNWB5x6-8L
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CJAC80SN10
CJ(江苏长电/长晶)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFNWB5x6-8L
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CJAC90SN12
CJ(江苏长电/长晶)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):120V三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDFNWB5x6-8L
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