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PDFN-8 匹配型号
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已匹配 642 个型号
封装：PDFN-8
封装：PDFN-8
先缩小范围642 个匹配优先锁定封装、品牌或类目，再保存筛选条件。当前页现货3 行可推进建议先暂存数量明确、资料完整的型号。优先封装PDFN-8当前页 24 行同封装，适合先看替代与交期。品牌核对AGMSEMI(芯控源)当前页 9 行集中在该品牌，可先核品牌偏好。
当前页型号可先加入 BOM，业务人员会继续核对批号、包装、交期和最终报价。
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PDFN-8 结果较多，先缩小范围
采购员通常先按品牌、封装或类目缩小，再把候选型号暂存到 BOM，能减少后续反复确认。
类目
品牌
封装 / 规格
库存5,000
理由优先核可发库存
库存2,360
理由优先核可发库存
库存90
理由优先核可发库存
MACOM / WINSOK(微硕) / HL(富海微) / KEXIN(科信)PDFN-8
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价
MASW-007107-TR3000
MACOM
MASW-007107-TR3000，MACOM，射频芯片/天线 > 射频开关，PDFN-8封装，2,360件现货，MASW-007107是一款采用无铅2mm8引脚PDFN封装的宽带GaAspHEMTMMICSPDT开关。典型应用包括WLANIEEE802.11a+b/g和MIMO，以及其他需要超快速切换速度的测试设备。设计用于低插入损耗，此SPDT开关在8射频芯片/天线 > 射频开关
PDFN-8
2,360
询盘报价
NPA1003QA
MACOM
NPA1003QA，MACOM，射频芯片/天线 > RF放大器，PDFN-8封装，90件现货，NPA1003QA 是一种基于硅的氮化镓功率放大器，优化用于20-1500MHz的操作。该放大器设计用于饱和和线性操作，输出功率可达5W（37dBm），封装在无铅4mm 16引脚QFN塑料封装中。射频芯片/天线 > RF放大器
PDFN-8
90
询盘报价
WSD90P06DN56
WINSOK(微硕)
WSD90P06DN56，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，5,000件现货，WSD90P06DN56是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD90P06DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
5,000
询盘报价
20N06D
HL(富海微)
20N06D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，20N06D是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。20N06D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
询盘确认
询盘报价
20P02D
HL(富海微)
20P02D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，20P02D是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。20P02D符合RoHS标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
询盘确认
询盘报价
2KJ7102DFN
KEXIN(科信)
2KJ7102DFN，KEXIN(科信)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：VDS = -20V。 ID = -30A。 RDS(ON) ≤ 20mΩ @VGS = -10V。 优化栅极电荷以最小化开关损耗三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
询盘确认
询盘报价
2KJ7103DFN
KEXIN(科信)
2KJ7103DFN，KEXIN(科信)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，P沟道 -30V -6A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
询盘确认
询盘报价
306D
HL(富海微)
306D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，306D 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。306D 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过易感性分析（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
询盘确认
询盘报价
30G20D
HL(富海微)
30G20D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，30G20D 是高性能互补型 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30G20D 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 认证，具备完整的三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
询盘确认
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30G20F
HL(富海微)
30G20F，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，30G20F 是具有高单元密度的高性能互补 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30G20F 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 认证，具备全面的功三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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40N06D
HL(富海微)
40N06D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，40N06D是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40N06D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备完整功能且可靠性经过验证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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询盘报价
4886D
HL(富海微)
4886D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，4886D是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4886D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过有效雪崩耐量（EAS）保证，且通过了全功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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60N04DF
GOODWORK(固得沃克)
60N04DF，GOODWORK(固得沃克)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，适用于电源开关和信号控制三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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7409
TF(拓锋)
7409，TF(拓锋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，P沟道增强型功率MOSFET,电流:-32A,耐压:-30V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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7506
TF(拓锋)
7506，TF(拓锋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，N沟道,电流:30A,耐压:30V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM038N10A
AGMSEMI(芯控源)
AGM038N10A，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，AGM038N10A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM056N10A
AGMSEMI(芯控源)
AGM056N10A，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=100V Id=100A Rds=4.7mΩ(6.5mΩ最大)DFN5x6封装；三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM1030MA
AGMSEMI(芯控源)
AGM1030MA，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，AGM1030MA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM1030MBP
AGMSEMI(芯控源)
AGM1030MBP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@10V,10A 栅极电荷(Qg@Vgs)：8.07nC@10V 输入电容三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM1030MNA
AGMSEMI(芯控源)
AGM1030MNA，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@10V,10A 栅极电荷(Qg@Vgs)：8.0nC@10V 输入电容(三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM1075AP
AGMSEMI(芯控源)
AGM1075AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，AGM1075AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM12N10A
AGMSEMI(芯控源)
AGM12N10A，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，AGM12N10A 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，可实现极低的 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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AGM12N10MNA
AGMSEMI(芯控源)
AGM12N10MNA，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：55A 功率(Pd)：96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11Ω@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA栅极三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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PROCUREMENT CONTEXT
PDFN-8 现货采购说明
本页展示可公开查询的电子元器件现货和资料库候选。采购人员可先核对品牌、封装、数量和资料入口，再统一提交 BOM 询价。
642匹配型号
6高频品牌
1封装规格
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