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DFN-3L 现货库存

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DFN-3L 现货结果

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AOZ8822DI-05

AOS

反向截止电压(Vrwm):5V · 钳位电压:17V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-3L
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AP1606

ALLPOWER(铨力)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3L
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AU0701P4-3

Applied Power(应能微)

反向截止电压(Vrwm):7V · 钳位电压:22V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-3L
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AU1501P4-3

Applied Power(应能微)

反向截止电压(Vrwm):15V · 钳位电压:36V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-3L
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BC847AM,315

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN · 集电极电流(Ic):100mA
询盘确认可单次提交
封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
DFN-3L
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BC847BM,315

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN · 集电极电流(Ic):100mA
询盘确认可单次提交
封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
DFN-3L
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BC847CMB,315

Nexperia(安世)

晶体管类型:NPN · 集电极电流(Ic):100mA
询盘确认可单次提交
封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
DFN-3L
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BC857BLP-7

DIODES(美台)

晶体管类型:PNP · 集电极电流(Ic):100mA
询盘确认可单次提交
封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
DFN-3L
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BDFN3A052U

BORN(伯恩半导体)

反向截止电压(Vrwm):5V · 钳位电压:12V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-3L
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BDFN3C052L

BORN(伯恩半导体)

反向截止电压(Vrwm):5V · 钳位电压:15V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-3L
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BFR460L3E6327

Infineon(英飞凌)

晶体管类型:NPN · 集电极电流(Ic):50mA
询盘确认可单次提交
封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
DFN-3L
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BND5V0F2U3LP

BORN(伯恩半导体)

极性:单向 · 反向截止电压(Vrwm):5V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-3L
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BRCS3139ZK

BLUE ROCKET(蓝箭)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3L
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CJBA3134K

CJ(江苏长电/长晶)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3L
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CJBA3139K

CJ(江苏长电/长晶)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3L
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CJBA7002K

CJ(江苏长电/长晶)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3L
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CJBB3139K

CJ(江苏长电/长晶)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3L
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DTC114EDC

PJSEMI(平晶微)

数量:1个NPN-预偏置 · 集射极击穿电压(Vceo):50V
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封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
DFN-3L
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DTC123JDC

PJSEMI(平晶微)

数量:1个NPN-预偏置 · 集射极击穿电压(Vceo):50V
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封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
DFN-3L
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DTC124EDC

PJSEMI(平晶微)

数量:1个NPN-预偏置 · 集射极击穿电压(Vceo):50V
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封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
DFN-3L
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DTC143EDC

PJSEMI(平晶微)

数量:1个NPN-预偏置 · 集射极击穿电压(Vceo):50V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
DFN-3L
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DTC143ZDC

PJSEMI(平晶微)

数量:1个NPN-预偏置 · 集射极击穿电压(Vceo):50V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
DFN-3L
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DTC144EDC

PJSEMI(平晶微)

数量:1个NPN-预偏置 · 集射极击穿电压(Vceo):50V
询盘确认可单次提交
封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管
DFN-3L
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ESD3N12V

XCH(旭昌辉)

反向截止电压(Vrwm):12V · 钳位电压:39.6V
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封装DFN-3L 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-3L
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