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INA281A2IDBVR
TI(德州仪器)
INA281A2IDBVR，TI(德州仪器)，电源管理 > 电流感应放大器，-封装，2,000件现货，INA281 -4V 至 110V、1.3MHz 高精度电流检测放大器电源管理 > 电流感应放大器
-
2,000
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K4A4G165WF-BCTD
SAMSUNG(三星半导体)
K4A4G165WF-BCTD，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，78,824件现货，4Gb F-die x16 DDR4 SDRAM存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
78,824
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K4A8G165WB-BCRC
SAMSUNG(三星半导体)
K4A8G165WB-BCRC，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，33,600件现货，8Gb B-die DDR4 SDRAM x16，96FBGA封装，1.2V存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
33,600
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K4A8G165WB-BCTD
SAMSUNG(三星半导体)
K4A8G165WB-BCTD，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，1,620件现货，K4A8G165WB-BCTD存储器 > DDR SDRAM
BGA
1,620
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K4B2G1646F-BCNB
SAMSUNG(三星半导体)
K4B2G1646F-BCNB，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-96封装，81,096件现货，DDR3 SDRAM内存存储器 > DDR SDRAM
BGA-96
81,096
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K4B4G1646E-BCMA
SAMSUNG(三星半导体)
K4B4G1646E-BCMA，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，3,360件现货，4Gb E-die DDR3 SDRAM，x16 停产存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
3,360
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K4B4G1646E-BCNB
SAMSUNG(三星半导体)
K4B4G1646E-BCNB，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，90,590件现货，K4B4G1646E-BCNB存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
90,590
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LAN8720AI-CP-TR
Microchip(美国微芯)
LAN8720AI-CP-TR，Microchip(美国微芯)，通信接口芯片 > 以太网收发器，QFN-24封装，89,625件现货，单芯片以太网物理层收发器，支持IEEE 802.3/802.3u标准，具有灵活的电源管理架构和自动MDIX支持。通信接口芯片 > 以太网收发器
QFN-24
89,625
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M25P40-VMN6TPB
ST(意法半导体)
M25P40-VMN6TPB，ST(意法半导体)，存储器 > NOR FLASH，SOP-8封装，38,220件现货，特性：4 Mbit闪存。 2.3 V至3.6 V单电源电压。 SPI总线兼容串行接口。 75 MHz时钟速率（最大值）。 0.8 ms（典型值）内完成页面编程（最多256字节）。 0.6 s（典型值）内完成扇区擦除（512 Kbit）。 4.存储器 > NOR FLASH
SOP-8
38,220
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MT29F32G08ABAAAWP-Z:A
micron(镁光)
MT29F32G08ABAAAWP-Z:A，micron(镁光)，存储器 > NAND FLASH，-封装，554件现货，MT29F32G08ABAAAWP-Z:A存储器 > NAND FLASH
-
554
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MT29F4G08ABBDAH4-IT:D
micron(镁光)
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D，micron(镁光)，存储器 > NAND FLASH，-封装，580件现货，MT29F4G08ABBDAH4-IT:D存储器 > NAND FLASH
-
580
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MT41K128M16JT-125AIT:K
micron(镁光)
MT41K128M16JT-125AIT:K，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，9,700件现货，MT41K128M16JT-125 AIT:K存储器 > DDR SDRAM
BGA
9,700
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MT41K256M8DA-125IT:K
micron(镁光)
MT41K256M8DA-125IT:K，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，BGA封装，6,000件现货，特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V 中心端接推挽式 I/O。 差分双向数据选通。 8n 位预取架构存储器 > DDR SDRAM
BGA
6,000
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MT41K512M8DA-107:P
micron(镁光)
MT41K512M8DA-107:P，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，23,567件现货，4Gb：X4、x8、X16 DDR3L 同步动态随机存取存储器存储器 > DDR SDRAM
FBGA
23,567
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MT46V32M16P-5B:J
micron(镁光)
MT46V32M16P-5B:J，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，-封装，803件现货，512Mb DDR SDRAM，具有双数据速率架构，支持高速操作。每个时钟周期传输两个数据字，在I/O引脚上实现。支持4个内部banks并发操作，提高有效带宽。存储器 > DDR SDRAM
-
803
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MT48LC16M16A2P-6AIT:G
MICRON镁光
MT48LC16M16A2P-6AIT:G，MICRON镁光，现货库存，BGA封装，6,770件现货现货库存
BGA
6,770
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