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TOLL 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货库存

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TOLL 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货结果

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封装：TOLL类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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结果货架 当前页 24 行 / 共 91 个 封装：TOLL / 类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

HYG011N04LS1TA

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
状态现货可下单批号批号 26+起订按需交期核对后发
封装TOLL 可供数量8,800 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TOLL
8,800
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HYG012N03LR1TA

HUAYI(华羿微)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):380A
状态现货可下单批号批号 25+起订按需交期核对后发
封装TOLL 可供数量2,000 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TOLL
2,000
询盘报价
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HYG015N10NS1TA

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
状态现货可下单批号批号 25+起订按需交期核对后发
封装TOLL 可供数量8,900 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TOLL
8,900
询盘报价
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HYG016N10NS1TA

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
状态现货可下单批号批号 26+起订按需交期核对后发
封装TOLL 可供数量16,000 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TOLL
16,000
询盘报价
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HYG017N10NS1TA

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
状态现货可下单批号批号 26+起订按需交期核对后发
封装TOLL 可供数量6,900 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TOLL
6,900
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NCEP018N85LL

NCE Power/新洁能

漏源电压(Vdss):85V · 连续漏极电流(Id):360A
状态现货可下单批号批号 25+起订按需交期核对后发
封装TOLL 可供数量26,000 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TOLL
26,000
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AGM025N13LL

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):135V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TOLL 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TOLL
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AGM401LL

AGMSEMI(芯控源)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TOLL 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TOLL
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AOTL66518

Tokmas(托克马斯)

漏源电压(Vdss):150V · 连续漏极电流(Id):220A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TOLL 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TOLL
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AUR014N10

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TOLL 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TOLL
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AUR020N085

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):85V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TOLL 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TOLL
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AUR030N10

ANHI(安海)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TOLL 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TOLL
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BMT65N065UC1

Bestirpower(萃锦半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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CRSZ025N10N

CRMICRO(华润微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TOLL 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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CRSZ025N10NZ

CRMICRO(华润微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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GT009N04TL

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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GT016N10TL

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):362A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TOLL
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HK04N010SG

R+O(宏嘉诚)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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HSBL020N08

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):80V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HSY0076A

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HYG006N04LS1TA

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TOLL
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HYG012N08NS1TA

HUAYI(华羿微)

漏源电压(Vdss):80V · 连续漏极电流(Id):420A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TOLL
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HYG022N10NS1TA

HUAYI(华羿微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TOLL 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TOLL
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MDDG04R01L

MDD(辰达半导体)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):320A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TOLL
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